公开(公告)号：CN109643660B

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN201780053309.9

申请日：2017-08-29

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 藤田静雄 ,  金子健太郎 ,  织田真也 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/737 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26

Abstract: 本申请提供了一种具有宽带隙和增强的电导率的新型且有用的p‑型氧化物半导体，以及制造该p‑型氧化物半导体的方法。将根据需要的包含铱和其他金属的原料溶液雾化以产生喷雾，并且在使用载气将喷雾传送到基材的表面附近之后，通过使基材表面附近的喷雾发生热反应，在基材上形成包含铱的金属氧化物的晶体或混合晶体，从而制造p‑型氧化物半导体。(56)对比文件US 2010155720 A1,2010.06.24CN 102916097 A,2013.02.06US 2006089006 A1,2006.04.27US 2015076496 A1,2015.03.19TW M296476 U,2006.08.21US 2013214271 A1,2013.08.22JP 2013234106 A,2013.11.21CN 103597597 A,2014.02.19

公开(公告)号：CN117242685A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202280031157.3

申请日：2022-04-25

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  松田慎平

IPC: H02M1/00

Abstract: 提供一种能够在维持开关特性的同时提高短路耐量的功率转换电路以及功率转换系统。一种功率转换电路，具有相互并联连接的第一开关元件和第二开关元件以及对各开关元件进行导通关断控制的控制部，在使正向电流流过所述第一开关元件时的电流电压特性与使电流流过所述第二开关元件时的电流电压特性的交叉点处的电流值大于所述功率转换装置的额定电流。

公开(公告)号：CN111357116B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN201880074216.9

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松田时宜 ,  高桥勋 ,  四户孝

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种半导体装置，例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，其可以不使半导体特性恶化，且使用了能够适用于p井层的p型氧化物半导体膜。一种半导体装置，至少包括n型半导体层和p+型半导体层，其中所述n型半导体层包含含有周期表第13族金属的结晶性氧化物半导体(例如氧化镓等)作为主成分，并且，p+型半导体层包含含有周期表第9族金属的结晶性氧化物半导体(例如氧化铱等)作为主成分。

公开(公告)号：CN111383911B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201911366053.4

申请日：2019-12-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  株式会社电装

Inventor： 高桥勋 ,  鸟山达矢 ,  杉本雅裕 ,  四戸孝 ,  上东秀幸 ,  大原淳士 ,  广濑富佐雄 ,  松木英夫

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种对要求散热性的半导体装置等有用的、晶体品质优异的结晶性氧化物膜、半导体装置及半导体系统。在形成至少包括第一晶轴和第二晶轴、以含有镓的金属氧化物为主要成分的结晶性氧化物膜时，通过使第二边比第一边短，使第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，使第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，使第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行，从而得到一种结晶性氧化物膜，该结晶性氧化物膜至少包括第一边和比第一边短的第二边，第一晶轴方向的线热膨胀系数比第二晶轴方向的线热膨胀系数小，第一边方向与第一晶轴方向平行或大致平行，第二边方向与第二晶轴方向平行或大致平行。

公开(公告)号：CN115943498A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202180050839.4

申请日：2021-08-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 柳田秀彰 ,  四户孝 ,  安藤裕之 ,  松原佑典 ,  北角英人

IPC: H01L29/872

Abstract: 提供一种能够在谋求小型化及高密度化的同时提高对过电流的耐久性的半导体装置。本发明的半导体装置具有：多个PN结二极管，具备负温度特性而串联连接；多个电阻元件，与所述多个PN结二极管分别并联连接，并且相互被串联连接；以及肖特基势垒二极管，具备正温度特性而与所述多个PN结二极管并联连接。

公开(公告)号：CN115943497A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202180041605.3

申请日：2021-06-04

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 大岛孝仁 ,  樋口安史

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种半导体装置，该半导体装置具有电场集中于肖特基电极的终端部的倾向，从而具有抑制电场集中的结构。作为本发明的一实施方式，半导体装置具有：半导体层；所述半导体层的侧面的至少一部分所接触的非导电层；以及配置在所述半导体层及所述非导电层上的肖特基电极，所述肖特基电极的端部位于所述非导电层上。

公开(公告)号：CN115053355A

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202180013173.5

申请日：2021-02-05

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松原佑典 ,  今藤修 ,  安藤裕之 ,  竹原秀树 ,  四户孝 ,  冲川满

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329

Abstract: 提供一种半导体特性及散热性优异的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件，包含层叠结构体，该层叠结构体通过在导电性基板上直接或隔着其他层层叠有氧化物半导体膜而成，所述氧化物半导体膜包括含有镓的氧化物作为主成分，所述导电性基板具有比所述氧化物半导体膜大的面积，所述半导体装置通过所述半导体元件与引线框、电路基板或散热基板利用接合部件接合而成。

公开(公告)号：CN114836833A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210479527.1

申请日：2018-08-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

Inventor： 大岛佑一 ,  河原克明 ,  四户孝 ,  松田时宜 ,  人罗俊实

IPC: C30B29/16 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B25/04

Abstract: 根据本发明的方面，用于制造结晶膜的方法包括气化金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下形成结晶膜。

公开(公告)号：CN114762129A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202080082530.9

申请日：2020-11-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  樋口安史

IPC: H01L29/786 ,  C23C16/40 ,  C30B29/16 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，至少具有结晶性氧化物半导体层，其特征在于，所述结晶性氧化物半导体层的带隙为3eV以上，场效应迁移率为30cm2/V·s以上。

公开(公告)号：CN114747020A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202080082446.7

申请日：2020-11-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  樋口安史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  C30B29/16 ,  C23C16/40

Abstract: 一种半导体装置，至少具有结晶性氧化物半导体层，其特征在于，所述结晶性氧化物半导体层的带隙为4.5eV以上，场效应迁移率为10cm2/V·s以上。