公开(公告)号：CN101577247A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910149102.9

申请日：2001-09-18

Applicant: ACM研究公司

Inventor： 王晖

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76835 ,  C25F3/02 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/7684 ,  H01L2221/1036

Abstract: 形成一种半导体晶片(100)的层，一电介质层淀积在该半导体晶片上。电介质层(204)包括具有低介电常数的材料。凹区(210)和非凹区(211)形成在电介质层中覆盖非凹区。然后金属层被电抛光以除去覆盖在非凹区上的金属层，留下凹区中的金属层。

公开(公告)号：CN1306591C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200510053695.0

申请日：2005-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 伊藤祥代 ,  莲沼正彦

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：形成在半导体衬底上第一绝缘层，该第一绝缘层包括第一绝缘材料、第二绝缘材料和孔，其中第一绝缘材料的相对介电常数是3或更小，第一绝缘材料的杨氏模量是10GPa或更小，第一绝缘材料的线性膨胀系数大于30×10-6℃-1，以及第二绝缘材料的线性膨胀系数是30×10-6℃-1或更小；以及形成在第一绝缘层上的第二绝缘层，该第二绝缘层具有连接到所述孔的沟槽，其中与所述孔相距6μm内的第一绝缘层的线性膨胀系数α是30×10-6℃-1或更小，其中：vi和αi是第i种绝缘材料的体积比和线性膨胀系数。

公开(公告)号：CN1735945A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200380108185.8

申请日：2003-10-31

Applicant: 霍尼韦尔国际公司

Inventor： B·李 ,  D·-L·周 ,  A·纳曼 ,  P·阿彭

IPC: H01B3/30 ,  H01L21/47 ,  H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/02118 ,  C08G61/02 ,  C08L65/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供形成气体层的材料，其选自苊均聚物；苊共聚物；聚(亚芳基醚)；聚酰胺；B－阶段多官能丙烯酸酯/甲基丙烯酸酯；交联的苯乙烯二乙烯基苯聚合物；和苯乙烯和二乙烯基苯与马来酰亚胺或者双马来酰亚胺的共聚物。形成的气体层被用于微芯片和多片组件。

公开(公告)号：CN1574285A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410048972.4

申请日：2004-06-12

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： L·克莱文格 ,  A·考利 ,  T·J·达尔顿 ,  M·霍恩基斯 ,  S·卡尔多 ,  E·凯塔里奥格鲁 ,  J·沙奇特 ,  K·库马 ,  D·C·拉图利佩 ,  杨志昭 ,  A·H·西蒙

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  C23F1/02

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L2221/1036 ,  Y10T428/12576 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678

Abstract: 与双镶嵌制程一起使用的金属硬屏蔽，系被用于半导体装置的制造。该金属硬屏蔽系具有有利的半透明特征，以于制造一半导体装置的同时，能帮助在层间的对准，并且避免金属氧化剩余沉积的形成。该金属硬屏蔽系包括一TiN第一或主要(氮化钛)层以及一TaN(氮化钽)第二或帽盖层。

公开(公告)号：CN1467820A

公开(公告)日：2004-01-14

申请号：CN03138233.9

申请日：2003-05-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 原田刚史

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1036

Abstract: 本发明提供一种在半导体装置等的电子器件中的布线结构的形成方法。在FSG膜(105)等的绝缘膜上形成凹部(106)后，在FSG膜(105)上使凹部(106)等埋入地沉积阻挡膜(108)和Cu膜(111)。之后在除去凹部(106)外侧的Cu膜(111)后，进行热处理，之后除去凹部(106)外侧的阻挡膜(108)。根据本发明，由于可以实现没有空洞或表面裂痕的布线结构，所以可以以高的成品率制造可靠性高的半导体装置的电子器件。

公开(公告)号：CN1434509A

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN02155290.8

申请日：2002-12-12

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 剡友圣

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76831 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2221/1036

Abstract: 一种双镶嵌金属内连线结构及其制作方法，该双镶嵌结构包含有一底层，其内包含有一导电层；一第一介电层，设于该底层上；一蚀刻停止层，设于该第一介电层上；一介质窗开口，设于该第一介电层及蚀刻停止层中，以暴露出部份该导电层；一第二介电层，设于该蚀刻停止层上；一沟渠线形成于该介质窗开口上的该第二介电层中；一介电阻障层，覆盖该介质窗开口的侧壁；以及一金属阻障层，覆盖该沟渠线的内壁、该介电阻障层及该介质窗开口的底部；本发明以一介电阻障层保护介质窗侧壁，更结合一金属阻障层，将其整合于双镶嵌制程中，可有效改善介质窗的可靠度问题、铜金属填入能力亦大幅地提升，还可有效地改善化学机械研磨制程过程中的均匀度。

公开(公告)号：CN1237651A

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：CN98116853.1

申请日：1998-08-04

Applicant: 世大积体电路股份有限公司

Inventor： 罗吉进

IPC: C23F1/02

CPC classification number: H01L21/76804 ,  H01L21/76807 ,  H01L2221/1036

Abstract: 一种在基底上形成双重金属镶嵌结构的方法，该结构包括一接触窗与一内连线，该方法包括：形成一绝缘层在基底上，接着形成一氧化硅层于该绝缘层上，形成一掩模氧化层于该氮化硅层上，然后以光刻与蚀刻步骤依序除去相对应于该接触窗位置上的绝缘层、该氮化硅层以及该掩模氧化层，再以光刻与蚀刻步骤依序去除相对应于该内连线位置上的该氮化硅层以及该掩模氧化层，然后进行一回流步骤。

公开(公告)号：CN1191384A

公开(公告)日：1998-08-26

申请号：CN97118948.X

申请日：1997-09-29

Applicant: 摩托罗拉公司

Inventor： 布鲁斯·埃伦·布克 ,  杰夫·托马斯·韦策尔 ,  特里·格兰特·斯巴克斯

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种含有低介电常数介质层的互连结构形成于集成电路的内部。与导电互连相邻的二氧化硅层部分被消除以露出氮化硅腐蚀停止层。在露出的氮化硅腐蚀停止层部分和导电互连上面形成一低介电常数介质层。去除介质层的一部分以露出导电互连的顶部表面,以在相邻导电互连间形成多个介质层部分。从而减小多个导电互连之间的交叉干扰,同时避免散热减少和机械张力增加产生的缺陷。

公开(公告)号：CN103515221B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201310246489.6

申请日：2013-06-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 铃村直仁 ,  冈好浩

IPC: H01L21/31 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/538 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/05 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。通过改善作为半导体器件的特征的EM特征、TDDB特征、以及耐压，改善该半导体器件的可靠性。使得下层绝缘层中的第一空孔的平均直径小于上层绝缘层中的第二空孔的平均直径，由此增加了所述下层绝缘层中的弹性模数，所述下层绝缘层配置多孔低介电常数膜的层间绝缘膜，用于在其中嵌入布线。此外，侧壁绝缘层形成在层间绝缘膜的暴露于布线槽的侧壁的表面上，所述侧壁绝缘层是包括具有小于所述第二空孔的平均直径的第一空孔的致密层。

公开(公告)号：CN103515304B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201210530680.9

申请日：2012-12-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 辛书尼 ,  李忠儒 ,  包天一

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1026 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成用于半导体器件的双镶嵌金属互连件的方法。该方法包括形成低k介电层，形成穿过低k介电层的通孔，沉积牺牲层，形成穿过牺牲层的沟槽，用金属填充通孔和沟槽，去除牺牲层，然后沉积超低k介电层以填充在沟槽之间。该方法允许形成用于双镶嵌结构的第二层的超低k介电层同时避免通过诸如沟槽蚀刻和沟槽金属沉积的工艺对该层的损伤。该方法的另一优点为避免通孔层电介质和沟槽层电介质之间出现蚀刻终止层。本发明提供了无蚀刻损伤和电子系统级(ESL)的双镶嵌金属互连件。