公开(公告)号：CN1434509A

公开(公告)日：2003-08-06

申请号：CN02155290.8

申请日：2002-12-12

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 剡友圣

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76831 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2221/1036

Abstract: 一种双镶嵌金属内连线结构及其制作方法，该双镶嵌结构包含有一底层，其内包含有一导电层；一第一介电层，设于该底层上；一蚀刻停止层，设于该第一介电层上；一介质窗开口，设于该第一介电层及蚀刻停止层中，以暴露出部份该导电层；一第二介电层，设于该蚀刻停止层上；一沟渠线形成于该介质窗开口上的该第二介电层中；一介电阻障层，覆盖该介质窗开口的侧壁；以及一金属阻障层，覆盖该沟渠线的内壁、该介电阻障层及该介质窗开口的底部；本发明以一介电阻障层保护介质窗侧壁，更结合一金属阻障层，将其整合于双镶嵌制程中，可有效改善介质窗的可靠度问题、铜金属填入能力亦大幅地提升，还可有效地改善化学机械研磨制程过程中的均匀度。