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公开(公告)号：CN1237651A
公开(公告)日：1999-12-08
申请号：CN98116853.1
申请日：1998-08-04
Applicant: 世大积体电路股份有限公司
Inventor： 罗吉进
IPC: C23F1/02
CPC classification number: H01L21/76804 , H01L21/76807 , H01L2221/1036
Abstract: 一种在基底上形成双重金属镶嵌结构的方法，该结构包括一接触窗与一内连线，该方法包括：形成一绝缘层在基底上，接着形成一氧化硅层于该绝缘层上，形成一掩模氧化层于该氮化硅层上，然后以光刻与蚀刻步骤依序除去相对应于该接触窗位置上的绝缘层、该氮化硅层以及该掩模氧化层，再以光刻与蚀刻步骤依序去除相对应于该内连线位置上的该氮化硅层以及该掩模氧化层，然后进行一回流步骤。
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公开(公告)号：CN1231511A
公开(公告)日：1999-10-13
申请号：CN98116074.3
申请日：1998-07-16
Applicant: 世大积体电路股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/8242
Abstract: 一种形成双冠状电容器的制造方法包括:形成第一介电层;构图和蚀刻以形成接触窗开口;在第一介电层上形成第一导电层,并填入接触窗开口;在第一导电层上形成第二介电层;构图和蚀刻第二介电层和第一导电层,以在接触窗开口上形成中间结构;形成第二导电层;构图和蚀刻之,形成多个间隙壁,并移除位于第二介电层上方的至少部分第二导电层;移除第二介电层;沉积第三介电层;及在第三介电层上形成第三导电层。
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公开(公告)号：CN1251468A
公开(公告)日：2000-04-26
申请号：CN98123035.0
申请日：1998-12-01
Applicant: 世大积体电路股份有限公司
Inventor： 罗吉进
IPC: H01L21/28 , H01L21/8242
Abstract: 一种电容器的下电极的制造方法包括:在基底上形成绝缘层;限定绝缘层以形成接触窗开口,接触窗开口暴露出基底;在接触窗开口中及绝缘层上形成掺杂多晶硅层;在掺杂多晶硅层上方形成第一非晶硅层;限定掺杂多晶硅层和第一非晶硅层,以形成混合结构;在混合结构和绝缘层上方形成一第二非晶硅层;蚀刻第二非晶硅层,以在混合结构侧壁形成间隙壁;以及在第一非晶硅层上方及沿着该间隙壁形成半球形硅晶粒层。
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公开(公告)号：CN1239318A
公开(公告)日：1999-12-22
申请号：CN98116851.5
申请日：1998-08-04
Applicant: 世大积体电路股份有限公司
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/02129 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/02362 , H01L21/31053 , H01L21/31612 , H01L21/31625 , H01L21/3185 , H01L21/76819
Abstract: 一种在半导体元件表面上形成一平坦的层间介电层的制造方法，包括先形成衬底氧化层，在衬底氧化层表面上形成一硼磷硅玻璃层，接着，对硼磷硅玻璃层进行平坦化制造工艺，然后在硼磷硅玻璃层表面上形成上覆氧化层，最后在上覆氧化层表面上形成氮化硅层。
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公开(公告)号：CN1254184A
公开(公告)日：2000-05-24
申请号：CN98124199.9
申请日：1998-11-16
Applicant: 世大积体电路股份有限公司
IPC: H01L21/8239 , H01L21/8242 , H01L21/28 , H01L21/31
Abstract: 一种电容器制造方法,包括多重物,氮化物层夹于氧化层之间,在交替氧化层与氮化物层的多重物中,开启存储节点接触窗,并停止于接着垫,沿其接触窗侧壁,剥除部分氮化物层,在顶部氧化层上与其接触窗中,形成共形第一即时掺杂多晶硅层,在接触窗中形成一层光致抗蚀剂层,剥除第一即时掺杂多晶硅层,并剥除光致抗蚀剂层,在顶部氧化层上方及其接触窗内,形成共形薄介电层,在其上形成第二即时掺杂多晶硅层,并填满其接触窗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1242600A
公开(公告)日：2000-01-26
申请号：CN98118802.8
申请日：1998-08-28
Applicant: 世大积体电路股份有限公司
Inventor： 罗吉进
IPC: H01L21/82 , H01L21/8242 , H01L21/31 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L28/87 , H01L21/3143 , H01L27/10852 , H01L28/84
Abstract: 一种堆叠形动态随机存取存储器存储单元的电容器的制造方法。首先,形成一接触窗开口于堆叠介电层,此堆叠介电层由一层间介电层、第一氮化物层、高温氧化层及第二氮化物层所组成,接着,在接触窗开口上形成一即时掺杂的非晶硅,并去除第二氮化物层,在此非晶硅上形成一半球型晶粒多晶硅层,之后,去除高温氧化层,并在半球型晶粒多晶硅层及非晶硅上,形成一电容器介电层,最后在电容器介电层上形成一顶部导电层。
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公开(公告)号：CN1236978A
公开(公告)日：1999-12-01
申请号：CN98116059.X
申请日：1998-07-15
Applicant: 世大积体电路股份有限公司
Inventor： 罗吉进
IPC: H01L21/31 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76819 , H01L21/31053 , H01L21/31058 , H01L21/3122
Abstract: 一种在导电金属结构上形成平坦内金属介电层的方法包括:在导电金属结构上形成衬氧化层;低介电材料层;未固化低介电材料层;未固化硅氧烷层;在未固化硅氧烷层与未固化低介电材料层上实施CMP,CMP停止于固化低介电材料层的表面,因此在导电金属结构的间隔中残留部分未固化低介电材料层;将未固化低介电材料层的残留部分固化;以及在固化低介电材料层与固化后的残留部分上方形成帽盖氧化层。
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公开(公告)号：CN1250947A
公开(公告)日：2000-04-19
申请号：CN98126568.5
申请日：1998-12-30
Applicant: 世大积体电路股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/027 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/76831 , H01L21/7681 , H01L21/76832
Abstract: 一种在基底上制造双重镶嵌金属内连线以及接触窗开口结构的方法包括:在基底上依次形成第一氧化层、第一氮化物层;图案化并蚀刻第一氮化物层以形成接触窗开口;在接触窗开口及第一氮化物层上形成第二氧化层、光刻胶层;图案化并显影以暴露出与接触窗开口具有不同尺寸的沟渠开口;以光刻胶层为掩模,蚀刻第二氧化层,以第一氮化物层为掩模,蚀刻第一氧化层,形成双重镶嵌开口;移除光刻胶层;形成氧化物间隙壁、沉积导电层。
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公开(公告)号：CN1229275A
公开(公告)日：1999-09-22
申请号：CN98115217.1
申请日：1998-06-24
Applicant: 世大积体电路股份有限公司
Inventor： 罗吉进
IPC: H01L21/82 , H01L21/8242 , H01L21/28
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10852 , H01L28/84
Abstract: 一种动态随机存取存储器电容器及其下电极的制造方法,其电容器下电极包括掺杂非晶硅层、不具掺杂的非晶硅层以及半球型硅晶粒层。在形成有双重金属镶嵌开口的绝缘层中,先形成掺杂非晶硅层与不具有掺杂的非晶硅层,其与双重金属镶嵌开口裸露的接触窗电耦接。后将绝缘层去除,裸露出掺杂非晶硅层与不具有掺杂的非晶硅层形成的下电极架构。在掺杂非晶硅层与不具有掺杂的非晶硅层裸露的表面上形成半球型硅晶粒层。
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公开(公告)号：CN1242601A
公开(公告)日：2000-01-26
申请号：CN98119615.2
申请日：1998-09-17
Applicant: 世大积体电路股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/8242 , H01L21/31 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L28/82 , H01L27/10852 , H01L28/87 , H01L28/91
Abstract: 一种DRAM存储单元的电容器的制造方法包括:在层间介电层和氮化物层中形成接触窗开口;以第一多晶硅层填满接触窗开口,形成存储节接触窗;形成一氧化层;限定及蚀刻以形成中间堆叠结构;在此结构侧壁形成第一多晶硅间隙壁;去除部分氧化层,露出第一多晶硅间隙壁的顶部;形成氮化物间隙壁,其并不延伸至第一多晶硅间隙壁的顶部;形成第二多晶硅间隙壁;去除氧化层;去除氮化物间隙壁及氮化物层,形成一下存储节;以及在下存储节上形成一薄电容器介电层以及一导电层。
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