公开(公告)号：CN1239318A

公开(公告)日：1999-12-22

申请号：CN98116851.5

申请日：1998-08-04

Applicant: 世大积体电路股份有限公司

Inventor： 罗吉进 ,  李弘名

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02129 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31625 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76819

Abstract: 一种在半导体元件表面上形成一平坦的层间介电层的制造方法，包括先形成衬底氧化层，在衬底氧化层表面上形成一硼磷硅玻璃层，接着，对硼磷硅玻璃层进行平坦化制造工艺，然后在硼磷硅玻璃层表面上形成上覆氧化层，最后在上覆氧化层表面上形成氮化硅层。

公开(公告)号：CN1239834A

公开(公告)日：1999-12-29

申请号：CN98115226.0

申请日：1998-06-24

Applicant: 世大积体电路股份有限公司

Inventor： 林晨曦 ,  陈志民 ,  王琳松 ,  李弘名 ,  张格荥

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/105

Abstract: 一种快闪电性可抹除只读存储器，其特色为以热载子注射执行编码，并且以负栅极电压执行通道抹除。此存储器的结构特征为具有用以在存储器抹除操作时形成一独立绝缘井的三井结构，其包括一P井与一N井位于一P基底内，以及以N井隔离P井与P基底。