公开(公告)号：CN1231511A

公开(公告)日：1999-10-13

申请号：CN98116074.3

申请日：1998-07-16

Applicant: 世大积体电路股份有限公司

Inventor： 张格滎 ,  杜友伦 ,  罗吉进

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种形成双冠状电容器的制造方法包括:形成第一介电层;构图和蚀刻以形成接触窗开口;在第一介电层上形成第一导电层,并填入接触窗开口;在第一导电层上形成第二介电层;构图和蚀刻第二介电层和第一导电层,以在接触窗开口上形成中间结构;形成第二导电层;构图和蚀刻之,形成多个间隙壁,并移除位于第二介电层上方的至少部分第二导电层;移除第二介电层;沉积第三介电层;及在第三介电层上形成第三导电层。

公开(公告)号：CN1250947A

公开(公告)日：2000-04-19

申请号：CN98126568.5

申请日：1998-12-30

Applicant: 世大积体电路股份有限公司

Inventor： 罗吉进 ,  杜友伦

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76832

Abstract: 一种在基底上制造双重镶嵌金属内连线以及接触窗开口结构的方法包括:在基底上依次形成第一氧化层、第一氮化物层;图案化并蚀刻第一氮化物层以形成接触窗开口;在接触窗开口及第一氮化物层上形成第二氧化层、光刻胶层;图案化并显影以暴露出与接触窗开口具有不同尺寸的沟渠开口;以光刻胶层为掩模,蚀刻第二氧化层,以第一氮化物层为掩模,蚀刻第一氧化层,形成双重镶嵌开口;移除光刻胶层;形成氧化物间隙壁、沉积导电层。

公开(公告)号：CN1242601A

公开(公告)日：2000-01-26

申请号：CN98119615.2

申请日：1998-09-17

Applicant: 世大积体电路股份有限公司

Inventor： 杜友伦 ,  罗吉进

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L28/82 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87 ,  H01L28/91

Abstract: 一种DRAM存储单元的电容器的制造方法包括:在层间介电层和氮化物层中形成接触窗开口;以第一多晶硅层填满接触窗开口,形成存储节接触窗;形成一氧化层;限定及蚀刻以形成中间堆叠结构;在此结构侧壁形成第一多晶硅间隙壁;去除部分氧化层,露出第一多晶硅间隙壁的顶部;形成氮化物间隙壁,其并不延伸至第一多晶硅间隙壁的顶部;形成第二多晶硅间隙壁;去除氧化层;去除氮化物间隙壁及氮化物层,形成一下存储节;以及在下存储节上形成一薄电容器介电层以及一导电层。

公开(公告)号：CN1241029A

公开(公告)日：2000-01-12

申请号：CN98118552.5

申请日：1998-09-01

Applicant: 世大积体电路股份有限公司

Inventor： 罗吉进 ,  杜友伦

IPC: H01L21/82 ,  H01R4/08

CPC classification number: H01L28/92 ,  H01L21/28568 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/84

Abstract: 一种制造MIM结构的电容器的方法包括在基底上形成第一介电层;在介电层上形成接触开口;形成第一金属层覆盖于第一介电层上与接触开口之中;在此金属层上依次形成阻挡层、第二介电层、不连续的半球形颗粒的多晶硅层;蚀刻第二介电层;去除多晶硅层;蚀刻阻挡层与第一金属层;去除第二介电层;对已限定的阻挡层与第一金属层构图与蚀刻;形成第三介电层覆盖阻挡层、第一金属层与第一介电层;在第三介电层上形成第二金属层。

公开(公告)号：CN1232290A

公开(公告)日：1999-10-20

申请号：CN98115052.7

申请日：1998-06-23

Applicant: 世大积体电路股份有限公司

Inventor： 罗吉进 ,  杜友伦 ,  张格荥

IPC: H01L21/76

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: 一种形成浅沟槽隔离的方法包括:在基底上形成衬垫氧化层、介电层和即时掺杂多晶硅层;形成至少一沟槽;沿着沟槽的侧壁与即时掺杂多晶硅层表面,形成氧化物衬层;在氧化物衬层上与沟槽中,形成化学气相沉积氧化物层;在此氧化物层上,实施氧化物研磨浆化学机械研磨,其在到达即时掺杂多晶硅层表面前停止;及在剩余的氧化物层与即时掺杂多晶硅层上,实施多晶硅研磨浆化学机械研磨,其停止于介电层的表面。

公开(公告)号：CN1229272A

公开(公告)日：1999-09-22

申请号：CN98115220.1

申请日：1998-06-24

Applicant: 世大积体电路股份有限公司

Inventor： 杜友伦 ,  罗吉进 ,  张格荥

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: 一种DRAM及金属连线的制造方法包括:提供包括单元区域和周边电路区的半导体基底,其上已形成有覆盖晶体管和导电层的第一绝缘层;在第一绝缘层中形成多个开口以暴露出源极/漏极区和导电层;在暴露源极/漏极区的开口处形成存储节点,在暴露出导电层的开口处形成第一导电插塞;在存储节点上形成介电层和上电极;在电容器和第一绝缘层上形成第二绝缘层;在第二绝缘层中形成第二导电插塞,且第一与第二导电插塞接触。

公开(公告)号：CN1229271A

公开(公告)日：1999-09-22

申请号：CN98115219.8

申请日：1998-06-24

Applicant: 世大积体电路股份有限公司

Inventor： 罗吉进 ,  杜友伦

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/31604 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76819

Abstract: 一种介层窗的制造方法,利用阻挡层做为介层窗的蚀刻掩模,进行介层窗的蚀刻步骤之前,利用等离子氧将光致抗蚀剂剥除,做为内金属介电层的SOG材料,不会暴露在等离子氧的环境中,因此可以有效避免介层窗污染。此外所选用的阻挡层并非高介电常数材料,完成介层窗的蚀刻后,不须将做为蚀刻掩模用的阻挡层剥除,因此可以简化制造工艺,并降低成本。

公开(公告)号：CN1260587A

公开(公告)日：2000-07-19

申请号：CN99100109.5

申请日：1999-01-08

Applicant: 世大积体电路股份有限公司

Inventor： 杜友伦 ,  许正源 ,  张格荥

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/3205

Abstract: 一种降低随机存取记忆体的周边接触窗高宽比的方法,包括下列步骤:a、形成多晶硅层、电容及一氮化物层于一半导体基板上;b、再沉积一多晶硅层;c、沉积一氧化物层于步骤(b)的多晶硅层上;d、显影一第一光阻层于氧化物层的预定位置;e、蚀刻未受光阻层保护部分;f、去除光阻层;g、显影一第二光阻层于氧化物层的预定位置;h、蚀刻未受光阻层保护部分;I、金属化经被蚀刻部分形成周边接触窗;J、形成一堆叠接触窗在上述接触窗上。

公开(公告)号：CN1254184A

公开(公告)日：2000-05-24

申请号：CN98124199.9

申请日：1998-11-16

Applicant: 世大积体电路股份有限公司

Inventor： 杜友伦 ,  罗吉进

IPC: H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

Abstract: 一种电容器制造方法,包括多重物,氮化物层夹于氧化层之间,在交替氧化层与氮化物层的多重物中,开启存储节点接触窗,并停止于接着垫,沿其接触窗侧壁,剥除部分氮化物层,在顶部氧化层上与其接触窗中,形成共形第一即时掺杂多晶硅层,在接触窗中形成一层光致抗蚀剂层,剥除第一即时掺杂多晶硅层,并剥除光致抗蚀剂层,在顶部氧化层上方及其接触窗内,形成共形薄介电层,在其上形成第二即时掺杂多晶硅层,并填满其接触窗。