公开(公告)号：CN103515304A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210530680.9

申请日：2012-12-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 辛书尼 ,  李忠儒 ,  包天一

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1026 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成用于半导体器件的双镶嵌金属互连件的方法。该方法包括形成低k介电层，形成穿过低k介电层的通孔，沉积牺牲层，形成穿过牺牲层的沟槽，用金属填充通孔和沟槽，去除牺牲层，然后沉积超低k介电层以填充在沟槽之间。该方法允许形成用于双镶嵌结构的第二层的超低k介电层同时避免通过诸如沟槽蚀刻和沟槽金属沉积的工艺对该层的损伤。该方法的另一优点为避免通孔层电介质和沟槽层电介质之间出现蚀刻终止层。本发明提供了无蚀刻损伤和ESL的双镶嵌金属互连件。

公开(公告)号：CN103515304B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201210530680.9

申请日：2012-12-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 辛书尼 ,  李忠儒 ,  包天一

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1026 ,  H01L2221/1031 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成用于半导体器件的双镶嵌金属互连件的方法。该方法包括形成低k介电层，形成穿过低k介电层的通孔，沉积牺牲层，形成穿过牺牲层的沟槽，用金属填充通孔和沟槽，去除牺牲层，然后沉积超低k介电层以填充在沟槽之间。该方法允许形成用于双镶嵌结构的第二层的超低k介电层同时避免通过诸如沟槽蚀刻和沟槽金属沉积的工艺对该层的损伤。该方法的另一优点为避免通孔层电介质和沟槽层电介质之间出现蚀刻终止层。本发明提供了无蚀刻损伤和电子系统级(ESL)的双镶嵌金属互连件。