公开(公告)号：CN1332436C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200410048972.4

申请日：2004-06-12

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： L·克莱文格 ,  A·考利 ,  T·J·达尔顿 ,  M·霍恩基斯 ,  S·卡尔多 ,  E·凯塔里奥格鲁 ,  J·沙奇特 ,  K·库马 ,  D·C·拉图利佩 ,  杨志昭 ,  A·H·西蒙

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  C23F1/02

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L2221/1036 ,  Y10T428/12576 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678

Abstract: 与双镶嵌制程一起使用的金属硬屏蔽，系被用于半导体装置的制造。该金属硬屏蔽系具有有利的半透明特征，以于制造一半导体装置的同时，能帮助在层间的对准，并且避免金属氧化剩余沉积的形成。该金属硬屏蔽系包括一TiN第一或主要(氮化钛)层以及一TaN(氮化钽)第二或帽盖层。

公开(公告)号：CN1574285A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410048972.4

申请日：2004-06-12

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： L·克莱文格 ,  A·考利 ,  T·J·达尔顿 ,  M·霍恩基斯 ,  S·卡尔多 ,  E·凯塔里奥格鲁 ,  J·沙奇特 ,  K·库马 ,  D·C·拉图利佩 ,  杨志昭 ,  A·H·西蒙

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  C23F1/02

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L2221/1036 ,  Y10T428/12576 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678

Abstract: 与双镶嵌制程一起使用的金属硬屏蔽，系被用于半导体装置的制造。该金属硬屏蔽系具有有利的半透明特征，以于制造一半导体装置的同时，能帮助在层间的对准，并且避免金属氧化剩余沉积的形成。该金属硬屏蔽系包括一TiN第一或主要(氮化钛)层以及一TaN(氮化钽)第二或帽盖层。