公开(公告)号：CN105319866A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510455614.3

申请日：2015-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志明 ,  郑圭珉 ,  郑泰和 ,  尹广燮

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC classification number: G03F7/70683 ,  G01B11/0641 ,  G01N21/93 ,  G01N21/956 ,  G03F7/70625 ,  G03F7/70633 ,  G03F7/70641 ,  H01L23/544

Abstract: 本公开提供了目标基板、光刻测量方法和基板。一种基板可以包括：在基板上的包括在集成电路中的特征图案；和在基板上的与特征图案间隔开的原位测量图案，该原位测量图案和特征图案两者被配置为相对于基板的表面具有相同的高度。

公开(公告)号：CN102016493A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114992.8

申请日：2009-04-28

Applicant: 英诺薄膜有限公司

Inventor： 罗伯特·莱尔德·斯图尔特

IPC: G01B11/06 ,  G01N21/23 ,  G01N21/45 ,  G07D7/16

CPC classification number: G01B11/0641 ,  G01B11/0675 ,  G01N21/23

Abstract: 鉴定聚合物膜的方法，其包括通过白光干涉测量法测量其中的层厚度和/或测量其中的层的双折射。可以将该方法和实施该方法的设备用于安全应用中，例如测试伪造的纸币。

公开(公告)号：CN100521135C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN03803614.2

申请日：2003-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菊池俊彦

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01B11/0641 ,  G01N21/211

Abstract: 在氧化膜(301)的下层，形成有：由金属布线(302)和层间绝缘膜(303)构成的B层，和由在与金属布线(302)正交方向形成的金属布线(304)和层间绝缘膜(305)所构成的D层的多层布线。入射光中的s偏振光成分由B层界面反射，p偏振光成分由D层界面反射，计算各个振幅反射率Rs、Rp，计算作为s偏振光成分和p偏振光成分的振幅比Ψ和相位差Δ的函数的tanΨ和cosΔ，得到基准数据，基于该基准数据来求出氧化膜(301)的膜厚(tA)。由此，能够非破坏且高生产率地进行在多层布线上形成的膜的膜厚测量和截面形状测量。

公开(公告)号：CN100485312C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200580013467.9

申请日：2005-03-11

Applicant: ICOS视检系统有限公司

Inventor： 约埃尔·阿里耶利 ,  谢伊·韦尔夫林 ,  埃曼努埃尔·兰兹曼 ,  加夫里尔·费金 ,  塔尔·库兹涅兹 ,  约拉姆·萨班

IPC: G01B9/02

CPC classification number: G01J9/02 ,  G01B9/02087 ,  G01B11/0625 ,  G01B11/0641 ,  G01B11/0675 ,  G01B11/24

Abstract: 执行波前分析，包括相位和振幅信息，与在光学系统中的3D测量的方法和装置，并且特别是那些基于分析光学系统的中间平面，例如一个图像平面的输出。描述了存在薄膜涂层的情况下，表面形貌，或一个多层结构的各层的测量。结合相位和振幅映射的多波长分析被使用。描述了使用有效波前传播，基于Maxwell方程的解，通过波前传播和重聚焦来改进相位和表面形貌测量的方法。通过这种相位控制方法，或通过使用宽带和相干光源结合的方法，实现了在光学成像系统中的相干噪声的减少。通过改进反差或通过3D成像，在单镜头成像中，这些方法适用于集成电路检查，以改进交叠测量技术。

公开(公告)号：CN101236914A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200810008792.1

申请日：2008-01-29

Applicant: 精工电子有限公司

Inventor： 津留清宏

IPC: H01L21/66 ,  G01N21/956

CPC classification number: G01B11/0641 ,  G01N21/211 ,  G01N21/8422 ,  G01N21/95607

Abstract: 提供了一种用于半导体晶片的外观检查设备，通过所述设备能够确定最佳检查阈值，并且能够基于所述阈值通过下述步骤执行对每一芯片的外观检查：预先获得指示晶片特定位置处薄膜的膜厚度与芯片内的每一样本区域的灰度值之间的关系的表格，在检查芯片之前测量有待检查的晶片的特定位置处的薄膜的膜厚度，并将所测得的膜厚度与所述表格中的灰度值比较。

公开(公告)号：CN101092751A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710101836.0

申请日：2007-04-25

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 布莱恩·墨菲 ,  迭戈·费若 ,  赖因霍尔德·瓦尔利希

IPC: C30B33/00

CPC classification number: H01L21/30604 ,  C30B29/06 ,  C30B33/005 ,  G01B11/0641 ,  G01B11/0675 ,  G01B11/0683 ,  G01B11/306 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明涉及用于处理半导体晶片的方法，该方法包括下列步骤：a)以位置相关的方式测量表征所述半导体晶片的参数以测定所述参数在所述半导体晶片的整个表面上的与位置相关的数值；b)在氧化剂的作用下同时在照射所述整个表面的情况下氧化所述半导体晶片的整个表面，氧化速率和所得的氧化物层的厚度取决于所述半导体晶片的表面上的光强度；及c)去除所述氧化物层，其中，以位置相关的方式预先给定步骤b)中的光强度，从而通过步骤b)中由与位置相关的光强度导致的与位置相关的氧化速率和后续的步骤c)中所述氧化物层的去除而减小步骤a)中测得的所述参数的与位置相关的数值的差异。本发明还涉及用于实施根据本发明的方法的装置。

公开(公告)号：CN108291868A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201680070555.0

申请日：2016-12-08

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： A·吉里纽 ,  A·库兹涅佐夫 ,  J·亨奇

IPC: G01N21/21 ,  G01N21/01

CPC classification number: G01N21/211 ,  G01B11/0641 ,  G01B2210/56 ,  G01N2021/213

Abstract: 本发明提供一种用于选择将利用计量工具而测量的信号的系统、方法及计算机程序产品，所述计量工具优化所述测量的精度。技术包含模拟用于测量计量目标的一或多个参数的信号集合的步骤。产生对应于所述信号集合的正规化雅可比矩阵，基于所述正规化雅可比矩阵来选择所述模拟信号集合中的信号子集，所述信号子集优化与测量所述计量目标的所述一或多个参数相关联的性能度量，且利用计量工具来收集所述计量目标的所述信号子集中的每一信号的测量。对于由所述计量工具收集的给定数目个信号，与收集遍及一系列过程参数均匀地分布的信号的常规技术相比，此技术优化此类测量的精度。

公开(公告)号：CN104681465B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201410705549.0

申请日：2014-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 于伟波 ,  顾文昱 ,  庄国胜 ,  林进祥

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/30604 ,  G01B11/0641 ,  G01N2201/025 ,  G01N2201/061 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明公开了一种集成系统操作方法，该方法包括以下步骤：通过计量装置测量衬底的膜以获得膜信息。将衬底从计量装置移至邻近转移装置的工艺装置。将膜信息发送至工艺装置。根据膜信息对衬底施加膜处理。本发明还涉及集成系统以及膜处理方法。

公开(公告)号：CN103765157B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201280039958.0

申请日：2012-07-02

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： 希佟·郭 ,  沃德·狄克逊 ,  托斯顿·卡克 ,  宁-易 ,  尼尔·王 ,  贾格吉特·桑德胡

IPC: G01B11/06 ,  B08B5/02

CPC classification number: G01N21/55 ,  B08B5/02 ,  G01B11/06 ,  G01B11/0641 ,  G01B2210/56 ,  G01N21/21 ,  H01L21/67017 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭示一种利用净化气体净化晶片的表面的一部分的局部净化工具。所述净化工具包含：净化室，其经配置以将净化气体封围于所述净化室的腔内；所述净化室的表面的可透气部分，所述可透气部分经配置以使净化气体从所述室的所述腔扩散到晶片的表面的一部分；及孔隙，其经配置以将从照明源接收的照明传输到所述晶片的所述表面的所述部分的测量位置，且经进一步配置以将从所述测量位置反射的照明传输到检测器。

公开(公告)号：CN105051877A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201480004823.X

申请日：2014-09-15

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： 戴维·Y·王 ,  克劳斯·伏罗克 ,  劳伦斯·D·罗特 ,  桑卡·克里许南 ,  乔汉斯·D·迪·维尔 ,  卡塔林·飞利浦 ,  格雷戈里·布雷迪 ,  穆沙米尔·阿蓝 ,  安德烈·谢卡格罗瓦

IPC: H01L21/66

CPC classification number: G01N21/211 ,  G01B11/0641 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/9501 ,  H01L22/12

Abstract: 本发明揭示一种设备，所述设备包含：(i)亮光源，其用于提供处于具有从深紫外线波长到红外线波长的范围的可选择的多个波长的照明光束；(ii)照明光学器件，其用于以可选择的入射角AOI或方位角AZ组及偏光状态将所述照明光束引导朝向样品以提供光谱椭圆偏光测量，其中所述照明光学器件包含用于控制处于所述可选择AOI/AZ组中的每一者的所述照明光束在所述样品上的光点大小的切趾器；(iii)收集光学器件，其用于将响应于处于所述可选择AOI/AZ组中的每一者及偏光状态的所述照明光束而来自所述样品的输出光束引导朝向基于所述输出光束产生输出信号或图像的检测器；及(iv)控制器，其用于基于所述输出信号或图像特征化所述样品的特征。