公开(公告)号：CN104204288A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380015068.0

申请日：2013-03-13

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 南尚基

IPC: C23C16/00

CPC classification number: H01J37/32183 ,  A23G3/26 ,  B05B12/00 ,  B05B13/0431 ,  B05B13/0452 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32972 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67253

Abstract: 公开了一种具有等离子体处理室的等离子体处理系统，该等离子体处理室包括室壁和室衬里中的至少一个。等离子体处理系统包括设置在室表面的周边附近的多个接地母线，该室表面是等离子体处理室的室壁和室衬里中的一个。等离子体处理系统还包括联接到多条接地母线中的至少第一接地母线的至少第一阻抗装置，其中多条接地母线的第二接地母线不具备与第一阻抗装置具有相同阻抗值的第二阻抗装置。

公开(公告)号：CN104046961A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410086935.6

申请日：2014-03-11

Applicant: 灿美工程股份有限公司

Inventor： 徐映水 ,  韩泳琪 ,  李埈爀 ,  李奎尙

IPC: C23C16/458 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32715 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32724

Abstract: 本发明提供一种衬底支撑器以及包含所述衬底支撑器的衬底处理设备。所述衬底处理设备，包含：腔室，设有反应空间且在底部的中央形成有排气开口；衬底支撑器，设置在所述腔室中且支撑衬底；气体注入组件，设置为与所述衬底支撑器相对，注入处理气体且产生其等离子体；以及排气机，连接到所述排气开口且设置在所述腔室下方以将所述腔室的内部排气，其中所述衬底支撑器包括支撑所述衬底的衬底支撑件以及支撑所述衬底支撑件的外部的多个支撑柱，所述支撑柱将所述排气开口安置于其之间。

公开(公告)号：CN102762764B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201080063349.X

申请日：2010-07-09

Applicant: 德国罗特·劳股份有限公司

Inventor： J·迈 ,  B·斯特拉姆 ,  G·瓦赫利 ,  A·布切勒 ,  T·舒尔茨

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091

Abstract: 本发明涉及一种电容耦合平行板等离子体增强型化学气相沉积反应器，该反应器包括被整合在RF电极中的气体分配单元，并包括气体出口。本发明的目的是提供所提及的类型的平行板反应器，利用该反应器能够生产具有厚度高均匀性和高品质的层。该目的是通过所提及的类型的电容耦合平行板等离子体增强型气相沉积反应器来达成的，其中该气体分配单元包括多级喷淋头，该喷淋头按照使其提供对该气体分配单元的气体分配和气体排放模式的独立调节的方式构造。

公开(公告)号：CN102443783B

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201110394067.4

申请日：2004-04-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 崔寿永 ,  上泉元 ,  罗伯特·I·格林 ,  候力

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/5096

Abstract: 本发明提供一种用于在处理腔中分配气体的气体分配板的实施例。在一实施例中，一气体分配板包括一扩散板，该扩散板具有多个在该扩散板一上游侧与一下游侧之间通过的气体通道。这些气体通道中的至少一个包括由一节流孔连接的一第一孔和一第二孔。该第一孔从该扩散板的上游侧延伸，而该第二孔从该扩散板的下游侧延伸。该节流孔具有分别小于该第一和第二孔的直径。

公开(公告)号：CN103745902A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201310688131.9

申请日：2013-12-16

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 刘凤举

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32568 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3323

Abstract: 本发明公开一种PECVD处理装置及在基板上进行PECVD处理的方法，所述装置包括：沉积盒以及设置在沉积盒内的第一电极、第二电极；所述沉积盒内部为处理腔，一进口以及一出口分别设置在所述沉积盒的第一侧壁以及第二侧壁，一阀门设置在所述沉积盒的第三侧壁上，所述出口设置在所述第二侧壁一侧与所述第三侧壁相邻；在处理腔内部设置有第一电极，第一电极与RF电源连接，其一端与所述阀门的位置相对应且与所述出口相邻；还设置有一电极调节装置，该电极调节装置用于调节所述第一电极与所述第二电极之间的相对角度以使第一电极与第二电极之间的等离子体气流均匀，消除因阀门和出口的设置使气流偏移引起的厚度不均匀问题。

公开(公告)号：CN103688338A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280034888.X

申请日：2012-07-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Q·梁

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/5096 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32633

Abstract: 本发明描述用于在基板上沉积材料的方法及系统。一种方法可包括以下步骤：提供处理腔室，该处理腔室分隔成第一等离子体区域及第二等离子体区域。方法可进一步包括以下步骤：将基板输送至处理腔室，其中该基板可占据第二等离子体区域的一部分。方法可额外包括以下步骤：在第一等离子体区域中形成第一等离子体，其中该第一等离子体可能未直接接触基板，且该第一等离子体可通过启动第一等离子体区域上方的至少一个成形的射频（「RF」）线圈形成。此外，方法可包括以下步骤：在基板上沉积材料以形成层，其中受第一等离子体激发的一或更多种反应物可用于沉积该材料。

公开(公告)号：CN102286730B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201110167019.1

申请日：2011-06-21

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 成普滥璨 ,  具教旭 ,  赵重根

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/54 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32889 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67742

Abstract: 本发明公开一种薄膜蒸镀装置，其包括：支承板的基板支承机构；及喷淋头，配置在上述基板支承机构的上部，向上述基板供给处理气体。上述喷淋头包括：上部平板，形成有多个气道以提供上述处理气体的流路，在上述气道形成有气体喷射孔，施加高频电流而激励处理气体产生等离子体；挡板，配置在上述上部平板的下部，并形成有多个孔而使上述处理气体的流动均匀地分散；及喷射板，配置在上述挡板的下部，将通过上述挡板供给的上述处理气体喷射到上述基板上。

公开(公告)号：CN101978474B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN200980109820.1

申请日：2009-01-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 卡希克·贾纳基拉曼 ,  托马斯·诺瓦克 ,  胡安·卡洛斯·罗奇-阿尔维斯 ,  马克·A·福多尔 ,  戴尔·R·杜波依斯 ,  阿米特·班塞尔 ,  穆罕默德·阿尤布 ,  埃勒·Y·朱科 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 ,  希姆·M·萨德

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/26 ,  H01L21/30 ,  H05H1/34

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/503 ,  C23C16/505 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32541

Abstract: 本发明提供一种设备及方法，用于控制等离子体腔室中的等离子体放电的强度及分布。在一实施例中，成形电极嵌入基板支撑件中，以在所述腔室内提供具有径向及轴向分量的电场。在另一实施例中，用绝缘体将喷头组件的面板电极划分为多个区域，而能将不同电压施加至不同区域。此外，一或更多个电极可嵌入所述腔室侧壁中。

公开(公告)号：CN101981659B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200980111063.1

申请日：2009-03-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 迪内士·帕德希 ,  哈阳成 ,  苏达·拉西 ,  德里克·R·维迪 ,  程秋 ,  朴贤秀 ,  加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 ,  卡希克·贾纳基拉曼 ,  马丁·杰·西蒙斯 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 ,  金柏涵 ,  伊沙姆·迈’萨德

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02115 ,  C23C16/045 ,  C23C16/26 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146

Abstract: 一种在基板上沉积非晶碳层的方法，包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重惰性气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重惰性气体选自由氩气、氪气、氙气、及其混合物所组成的群组，并且惰性气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括沉积后终止步骤，其中烃源及惰性气体的流动停止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间，以自处理室中移除粒子。

公开(公告)号：CN102037791B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200980118537.5

申请日：2009-05-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 岸本克史 ,  福冈裕介

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/509 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/5096 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2418

Abstract: 一种等离子处理装置，包括：反应室；用于对反应室导入反应气体的气体导入部；用于从反应室排出反应气体的排气部；由在反应室内配置成相对状且在反应气体中等离子放电的第1电极和第2电极的组构成的3组以上的放电部；用于水平状或垂直状支撑各组的所述第1电极和所述第2电极且使它们并排的支撑部；以及对全部组的放电部提供电力的电源部，所述电源部包括高频发生器、以及用于放大来自该高频发生器的高频电力而提供给第1电极的放大器，所述放电部中，一个放电部的第1电极和与该放电部相邻的其他放电部的第1电极经由单独的放大器连接到同一个高频发生器，或者经由放大器连接到不同的高频发生器，各放电部中的第2电极分别接地。