公开(公告)号：CN101981659B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200980111063.1

申请日：2009-03-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 迪内士·帕德希 ,  哈阳成 ,  苏达·拉西 ,  德里克·R·维迪 ,  程秋 ,  朴贤秀 ,  加内什·巴拉萨布拉曼尼恩 ,  卡希克·贾纳基拉曼 ,  马丁·杰·西蒙斯 ,  维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南 ,  金柏涵 ,  伊沙姆·迈’萨德

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02115 ,  C23C16/045 ,  C23C16/26 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146

Abstract: 一种在基板上沉积非晶碳层的方法，包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重惰性气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重惰性气体选自由氩气、氪气、氙气、及其混合物所组成的群组，并且惰性气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括沉积后终止步骤，其中烃源及惰性气体的流动停止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间，以自处理室中移除粒子。