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公开(公告)号:CN102762764A
公开(公告)日:2012-10-31
申请号:CN201080063349.X
申请日:2010-07-09
Applicant: 德国罗特·劳股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/509 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32091
Abstract: 本发明涉及一种电容耦合平行板等离子体增强型化学气相沉积反应器,该反应器包括被整合在RF电极中的气体分配单元,并包括气体出口。本发明的目的是提供所提及的类型的平行板反应器,利用该反应器能够生产具有厚度高均匀性和高品质的层。该目的是通过所提及的类型的电容耦合平行板等离子体增强型气相沉积反应器来达成的,其中该气体分配单元包括多级喷淋头,该喷淋头按照使其提供对该气体分配单元的气体分配和气体排放模式的独立调节的方式构造。
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公开(公告)号:CN104380475A
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201380025565.9
申请日:2013-05-06
Applicant: 德国罗特·劳股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/0376 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/065 , H01L31/072 , H01L31/0747 , H01L31/20 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种异质触点太阳能电池,在其正面中设置有太阳光线的入射部,该异质触点太阳能电池具有由第一传导类型的晶体半导体材料组成的吸收体;设置在该异质触点太阳能电池正面的、比该吸收体高的、掺杂的、第一传导类型的非晶半导体层;在该第一传导类型的掺杂的非晶半导体层的正面设置的、导电的、透明的正面传导层;位于该异质触点太阳能电池正面上、具有彼此间隔开的多个触点结构的正面接触部;在该异质触点太阳能电池背面设置的、与该第一传导类型相反的第二传导类型的发射体;以及设置在该异质触点太阳能电池的背面上的背面接触部。本发明还涉及一种用于制造此类异质触点太阳能电池的方法。本发明目的在于,提供一种异质触点太阳能电池概念以及用于制造此类太阳能电池的技术,通过它们可以消除由发射体导致的、在该异质触点太阳能电池中的吸收损失并且进一步采用标准技术来制造异质触点太阳能电池。
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公开(公告)号:CN102762764B
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:CN201080063349.X
申请日:2010-07-09
Applicant: 德国罗特·劳股份有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/509 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32091
Abstract: 本发明涉及一种电容耦合平行板等离子体增强型化学气相沉积反应器,该反应器包括被整合在RF电极中的气体分配单元,并包括气体出口。本发明的目的是提供所提及的类型的平行板反应器,利用该反应器能够生产具有厚度高均匀性和高品质的层。该目的是通过所提及的类型的电容耦合平行板等离子体增强型气相沉积反应器来达成的,其中该气体分配单元包括多级喷淋头,该喷淋头按照使其提供对该气体分配单元的气体分配和气体排放模式的独立调节的方式构造。
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