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公开(公告)号：CN104060238A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410108752.X
申请日：2014-03-21
Applicant: 灿美工程股份有限公司
IPC: C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4412 , C23C16/452 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/513 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J37/32816
Abstract: 本发明提供一种衬垫组合件和一种包含所述衬垫组合件的衬底处理设备。所述衬垫组合件包含侧面衬垫、中间衬垫和下部衬垫。所述侧面衬垫具有圆柱形形状，并且上部部分和下部部分是敞开的。所述中间衬垫安置在所述侧面衬垫下方，并且具有在垂直方向中穿过其中的多个第一孔。所述下部衬垫安置在所述中间衬垫下方。这里，所述多个第一孔在多个区中形成为不同尺寸和数目。
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公开(公告)号：CN105185681B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201510242245.X
申请日：2015-05-13
Applicant: 灿美工程股份有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种气体分配装置及包含其的基板加工装置，所述气体分配装置包括在垂直方向上分隔开的第一区与第二区。在第一区中，注入自外部供应至第一区的第一工艺气体，且接着将其激发至等离子体状态，且在第二区中，注入自外部被激发至等离子体状态后供应的第二工艺气体，且接着容置所述第二工艺气体。由于通过互不相同的方法来激发工艺气体，因此可提高基板上的工艺均匀性。
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公开(公告)号：CN104060238B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410108752.X
申请日：2014-03-21
Applicant: 灿美工程股份有限公司
IPC: C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4412 , C23C16/452 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/513 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32477 , H01J37/32495 , H01J37/32816
Abstract: 本发明提供一种衬垫组合件和一种包含所述衬垫组合件的衬底处理设备。所述衬垫组合件包含侧面衬垫、中间衬垫和下部衬垫。所述侧面衬垫具有圆柱形形状，并且上部部分和下部部分是敞开的。所述中间衬垫安置在所述侧面衬垫下方，并且具有在垂直方向中穿过其中的多个第一孔。所述下部衬垫安置在所述中间衬垫下方。这里，所述多个第一孔在多个区中形成为不同尺寸和数目。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107435139A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201610467573.4
申请日：2016-06-24
Applicant: 灿美工程股份有限公司
IPC: C23C16/455 , H01J37/32
CPC classification number: C23C16/45544 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一种气体分配器及基板处理装置，所述气体分配器包含：分配部，具备彼此结合的多个板，在内部形成可收容气体及气体的等离子体中的至少一种的空间；及喷射孔，贯通分配部的下部而形成多个，且出口部的面积小于入口部的面积；且在对基板进行处理时，可在使喷射孔的出口部与基板间的间隔变窄的状态下，将气体的等离子体均匀地扩散到基板上。
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公开(公告)号：CN104046961B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201410086935.6
申请日：2014-03-11
Applicant: 灿美工程股份有限公司
IPC: C23C16/458 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32715 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: 本发明提供一种衬底支撑器以及包含所述衬底支撑器的衬底处理设备。所述衬底处理设备，包含：腔室，设有反应空间且在底部的中央形成有排气开口；衬底支撑器，设置在所述腔室中且支撑衬底；气体注入组件，设置为与所述衬底支撑器相对，注入处理气体且产生其等离子体；以及排气机，连接到所述排气开口且设置在所述腔室下方以将所述腔室的内部排气，其中所述衬底支撑器包括支撑所述衬底的衬底支撑件以及支撑所述衬底支撑件的外部的多个支撑柱，所述支撑柱将所述排气开口安置于其之间。
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公开(公告)号：CN107437503A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201610467283.X
申请日：2016-06-24
Applicant: 灿美工程股份有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32366 , H01J37/32385
Abstract: 本发明提出一种基板处理方法，其包含：准备在一面形成有第一膜及汽缸孔的基板；将基板安置于腔室内部，腔室内部具备可分别以等离子体状态供给多个气体的多个簇射头；利用多个簇射头在第一膜的一面及汽缸孔的内部面形成第二膜；对利用多个簇射头形成在汽缸孔的入口部的第二膜的一部分进行蚀刻；及依序反复进行多次形成第二膜的过程与对第二膜的一部分进行蚀刻而对第二膜的厚度进行控制；且在制造汽缸结构的电容器时，可在使基板与簇射头间的间隔变窄的状态下，将制程气体的等离子体均匀地扩散到基板上，顺利地去除形成在汽缸孔的入口部的薄膜的突出物。
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公开(公告)号：CN105185681A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510242245.X
申请日：2015-05-13
Applicant: 灿美工程股份有限公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种气体分配装置及包含其的基板加工装置，所述气体分配装置包括在垂直方向上分隔开的第一区与第二区。在第一区中，注入自外部供应至第一区的第一工艺气体，且接着将其激发至等离子体状态，且在第二区中，注入自外部被激发至等离子体状态后供应的第二工艺气体，且接着容置所述第二工艺气体。由于通过互不相同的方法来激发工艺气体，因此可提高基板上的工艺均匀性。
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公开(公告)号：CN104046961A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410086935.6
申请日：2014-03-11
Applicant: 灿美工程股份有限公司
IPC: C23C16/458 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32715 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/3244 , H01J37/32724
Abstract: 本发明提供一种衬底支撑器以及包含所述衬底支撑器的衬底处理设备。所述衬底处理设备，包含：腔室，设有反应空间且在底部的中央形成有排气开口；衬底支撑器，设置在所述腔室中且支撑衬底；气体注入组件，设置为与所述衬底支撑器相对，注入处理气体且产生其等离子体；以及排气机，连接到所述排气开口且设置在所述腔室下方以将所述腔室的内部排气，其中所述衬底支撑器包括支撑所述衬底的衬底支撑件以及支撑所述衬底支撑件的外部的多个支撑柱，所述支撑柱将所述排气开口安置于其之间。
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