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公开(公告)号：CN101336467B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200680051801.4
申请日：2006-11-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/509
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/32091 , H01J37/32568
Abstract: 一种等离子体加工装置，其中当阳极电极和阴极电极的面积增大时，尽管发生电极挠曲仍可以获得良好的膜沉积性质。等离子体加工装置(100)包括室(15)、气体引入部(28)、排气部分(29)和高频电源单元(30)。在室(15)中配置平面阳极电极(第一电极)(4)、平面阴极电极(第二电极)(12)，以及用于可滑动地将电极(4、12)彼此平行地支撑的第一支撑(6)和第二支撑(5)。阴极电极(12)相对于阳极电极(4)配置。阳极电极(4)和阴极电极(12)分别简单地安装在第一支撑(6)和第二支撑(5)上，而没有通过螺钉等固定。当阳极电极(4)和阴极电极(12)在其自身重量下自由挠曲时，它们的挠曲量彼此相等，而且电极(4、12)的最大挠曲量也彼此相等。
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公开(公告)号：CN102037791B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200980118537.5
申请日：2009-05-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/5096 , H05H1/2406 , H05H2001/2418
Abstract: 一种等离子处理装置，包括：反应室；用于对反应室导入反应气体的气体导入部；用于从反应室排出反应气体的排气部；由在反应室内配置成相对状且在反应气体中等离子放电的第1电极和第2电极的组构成的3组以上的放电部；用于水平状或垂直状支撑各组的所述第1电极和所述第2电极且使它们并排的支撑部；以及对全部组的放电部提供电力的电源部，所述电源部包括高频发生器、以及用于放大来自该高频发生器的高频电力而提供给第1电极的放大器，所述放电部中，一个放电部的第1电极和与该放电部相邻的其他放电部的第1电极经由单独的放大器连接到同一个高频发生器，或者经由放大器连接到不同的高频发生器，各放电部中的第2电极分别接地。
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公开(公告)号：CN101573782A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200780048631.9
申请日：2007-12-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: H01L21/02661 , C23C16/4408 , C23C16/45557 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02592 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/1804 , H01L31/1816 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种半导体层的制造方法和半导体层制造装置以及使用它们制造的半导体器件。通过该半导体层的制造方法，能够缩短在形成半导体层之前用于降低反应室内存在的杂质浓度的处理时间，利用单室方式也能够形成优质的半导体层。本发明半导体层的制造方法在能够密闭的反应室(101)内部来形成半导体层，包括：使用置换气体来除去反应室(101)内部杂质的杂质除去工序、形成半导体层的半导体层形成工序，杂质除去工序是把由向反应室(101)内部导入置换气体的置换气体导入工序和把置换气体排出的排气工序构成的循环反复进行多次的工序，杂质除去工序至少在半导体层形成工序之前进行。
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公开(公告)号：CN101952935B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200980105797.9
申请日：2009-01-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C14/56 , C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/6719 , H01L21/67775
Abstract: 真空处理装置(1)包括：第1处理室(101)，容纳被处理物(107)而进行真空处理；第2处理室(102)，容纳进行真空处理之前的被处理物和进行真空处理之后的被处理物，且可进行真空排气；门部(103)，在第1处理室和第2处理室之间，以能够对第1处理室装卸的方式安装；搬送装置(202)，通过门部(103)，将进行真空处理之前的被处理物从搬入部(108)搬入真空处理部(104)，并将进行真空处理之后的被处理物从真空处理部(104)搬送到搬出部(119)；以及移动机构(200)，将第1处理室和第2处理室隔开。
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公开(公告)号：CN101573782B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200780048631.9
申请日：2007-12-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: H01L21/02661 , C23C16/4408 , C23C16/45557 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02592 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/1804 , H01L31/1816 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种半导体层的制造方法和半导体层制造装置以及使用它们制造的半导体器件。通过该半导体层的制造方法，能够缩短在形成半导体层之前用于降低反应室内存在的杂质浓度的处理时间，利用单室方式也能够形成优质的半导体层。本发明半导体层的制造方法在能够密闭的反应室(101)内部来形成半导体层，包括：使用置换气体来除去反应室(101)内部杂质的杂质除去工序、形成半导体层的半导体层形成工序，杂质除去工序是把由向反应室(101)内部导入置换气体的置换气体导入工序和把置换气体排出的排气工序构成的循环反复进行多次的工序，杂质除去工序至少在半导体层形成工序之前进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102037791A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200980118537.5
申请日：2009-05-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/5096 , H05H1/2406 , H05H2001/2418
Abstract: 一种等离子处理装置，包括：反应室；用于对反应室导入反应气体的气体导入部；用于从反应室排出反应气体的排气部；由在反应室内配置成相对状且在反应气体中等离子放电的第1电极和第2电极的组构成的3组以上的放电部；用于水平状或垂直状支撑各组的所述第1电极和所述第2电极且使它们并排的支撑部；以及对全部组的放电部提供电力的电源部，所述电源部包括高频发生器、以及用于放大来自该高频发生器的高频电力而提供给第1电极的放大器，所述放电部中，一个放电部的第1电极和与该放电部相邻的其他放电部的第1电极经由单独的放大器连接到同一个高频发生器，或者经由放大器连接到不同的高频发生器，各放电部中的第2电极分别接地。
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公开(公告)号：CN101911841A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880123075.1
申请日：2008-12-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67109 , H01J37/32009 , H01J37/32724
Abstract: 提供了一种等离子处理装置，其具有相对较低的制造成本和良好的加热效率和冷却效率。阳极电极(7)在其中配备有管状加热单元(31)用于加热要被等离子处理的处理物品(包括托盘(5)和基板(6))。管状加热单元(31)包括七个管状加热器(在该实例中为埋入式加热器)(31)，其在俯视平面视图中为U形形状并且彼此平行并相邻。阳极电极(7)在其中还配备有用于冷却阳极电极(7)的管状冷却单元(32)。管状冷却单元(32)包括七个冷却管道(在该实例中为冷却氮气导管)(32)，其在俯视平面视图中为U形形状并且沿着各管状加热器(31)的外侧彼此平行并相邻，这些冷却管道可以将引入到其中的冷却气体在通过冷却管道之后排出到外部。
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公开(公告)号：CN101336467A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200680051801.4
申请日：2006-11-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/509
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/32091 , H01J37/32568
Abstract: 一种等离子体加工装置，其中当阳极电极和阴极电极的面积增大时，尽管发生电极挠曲仍可以获得良好的膜沉积性质。等离子体加工装置(100)包括室(15)、气体引入部(28)、排气部分(29)和高频电源单元(30)。在室(15)中配置平面阳极电极(第一电极)(4)、平面阴极电极(第二电极)(12)，以及用于可滑动地将电极(4、12)彼此平行地支撑的第一支撑(6)和第二支撑(5)。阴极电极(12)相对于阳极电极(4)配置。阳极电极(4)和阴极电极(12)分别简单地安装在第一支撑(6)和第二支撑(5)上，而没有通过螺钉等固定。当阳极电极(4)和阴极电极(12)在其自身重量下自由挠曲时，它们的挠曲量彼此相等，而且电极(4、12)的最大挠曲量也彼此相等。
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