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公开(公告)号：CN106957178A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201611054124.3
申请日：2016-11-25
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C03C17/001 , C04B35/80 , C04B35/806 , C04B2235/3826 , C04B2235/6028 , C04B2235/614 , C04B2235/616 , C04B41/009 , C04B41/5001 , C04B41/5059 , C04B41/5064 , C04B41/5066 , C04B41/87 , C23C16/26 , C23C16/325 , C23C16/342 , C23C16/345 , C04B35/00 , C04B35/565
Abstract: 本申请提供了用于处理陶瓷纤维用于制造陶瓷基质复合物(CMC)的方法及设备。一种方法可包括提供至少一个框架，其包括延伸横跨其空腔的单向陶瓷纤维的平面阵列。该方法还可包括经由化学气相沉积(CVD)过程将涂层沉积在至少一个框架的陶瓷纤维上。该方法还可包括以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍涂覆的陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯，如，预浸料坯带。例如，陶瓷纤维可大致为SiC纤维。
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公开(公告)号：CN106396714A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610613864.X
申请日：2016-07-29
Applicant: 通用电气公司
IPC: C04B35/80 , C04B35/01 , C04B35/52 , C04B35/563 , C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/584
CPC classification number: C04B35/565 , B05D7/24 , C04B35/80 , C04B35/806 , C04B2235/422 , C04B2235/5244 , C04B2235/5264 , C04B2235/54 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/616 , C04B35/01 , C04B35/52 , C04B35/563 , C04B35/58085 , C04B35/58092 , C04B35/584 , C04B35/62844 , C04B35/803
Abstract: 大体提供柔韧带，其包括：多个纤维，其形成封闭在基质材料内的成单向阵列的丝束，带中的四个相邻纤维在它们之间限定填隙间隔。基质材料包括分散在带中的相邻纤维之间的填料颗粒。在一个实施例中，填料颗粒具有中值颗粒大小，其限定填隙间隔，使得填隙间隔为中值颗粒大小的大约0.75至大约1.1。在另一个实施例中，填料颗粒具有与相邻纤维之间的表面间间隔有关的中值颗粒大小，相邻纤维之间的表面间间隔与中值颗粒大小的比为大约0.3:1至大约1:1。还提供用于形成陶瓷基质复合物的方法。
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公开(公告)号：CN112694341B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110061423.4
申请日：2017-03-23
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本发明公开了陶瓷基质复合物制品（10），包括例如在具有单峰孔径分布的基质（30）中的纤维丝束（20）的多个单向阵列，以及约15百分比至约35百分比的纤维体积分数。制品可通过方法（100）形成，例如，其包括提供成形预制件（110），该成形预制件包括纤维丝束的单向阵列的预浸料带叠层、基质前体和成孔剂，固化成形预制件（120）以热解基质前体并烧尽成孔剂，使得成形预制件包括纤维丝束的单向阵列和具有单峰孔径分布的多孔基质，并且使固化的成形预制件经历化学气相渗透（130）以使多孔基质致密化，使得陶瓷基质复合物制品具有约15百分比至约35百分比的纤维体积分数。
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公开(公告)号：CN107226706B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201710180235.7
申请日：2017-03-23
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本发明公开了陶瓷基质复合物制品(10)，包括例如在具有单峰孔径分布的基质(30)中的纤维丝束(20)的多个单向阵列，以及约15百分比至约35百分比的纤维体积分数。制品可通过方法(100)形成，例如，其包括提供成形预制件(110)，该成形预制件包括纤维丝束的单向阵列的预浸料带叠层、基质前体和成孔剂，固化成形预制件(120)以热解基质前体并烧尽成孔剂，使得成形预制件包括纤维丝束的单向阵列和具有单峰孔径分布的多孔基质，并且使固化的成形预制件经历化学气相渗透(130)以使多孔基质致密化，使得陶瓷基质复合物制品具有约15百分比至约35百分比的纤维体积分数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107032829A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611015782.1
申请日：2016-11-18
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C23C16/045 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/85 , F01D5/005 , F01D5/282 , F01D5/284 , F05D2300/6033 , C04B35/80 , C04B41/4592 , C04B41/5027 , C04B41/5062 , C04B41/522 , C04B41/4523 , C04B41/4572 , C04B41/4531 , C04B41/50 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C04B35/71 , C04B41/4529 , C04B41/0072
Abstract: 本发明涉及在修复周期期间保护特征的方法。具体而言，一种方法可包括将掩模应用至CMC结构，以及使具有应用的掩模的结构经历修复过程。在一个实施例中，将掩模应用至CMC结构可包括将掩模应用至CMC结构的特征。
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公开(公告)号：CN106958468A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201611095680.5
申请日：2016-12-02
Applicant: 通用电气公司
IPC: F01D25/14
Abstract: 本公开涉及用于燃气涡轮发动机(10)的复合物构件(26,54,64,74,84,84(a),84(b),100)。复合物构件(26,54,64,74,84,84(a),84(b),100)包括复合物壁(101)，其具有流侧表面(104)和无流侧表面(102)。无流侧表面(102)包括至少一个复合物冷却突起(116,118,120,122,124)，其定位在无流侧表面(102)上且从无流侧表面(102)向外延伸。
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公开(公告)号：CN106938937A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201611052691.5
申请日：2016-11-25
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: B28B1/14 , C04B35/80 , C04B35/806 , C04B41/85 , C04B2235/3826 , C04B2235/6028 , C04B2235/614 , C04B2235/616 , C23C16/26 , C23C16/342 , C23C16/345 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/87 , C04B41/89 , C04B35/565 , C04B41/5064 , C04B41/5066 , C04B41/5001
Abstract: 本申请提供了用于处理陶瓷纤维用于制造陶瓷基质复合物(CMC)的方法及设备。一种方法可包括提供至少一个框架，其包括延伸横跨其空腔的单向陶瓷纤维的平面阵列。该方法还可包括以下中的至少一个：经由化学气相沉积(CVD)过程将涂层沉积在至少一个框架的陶瓷纤维上；以及以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯。在一些实施例中，平面阵列的陶瓷纤维可包括涂层，并且该方法可包括以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍涂覆的陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯。
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公开(公告)号：CN105683131A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480060837.3
申请日：2014-09-26
Applicant: 通用电气公司
Inventor： G.S.科曼
IPC: C04B41/85
CPC classification number: B29C73/00 , B23P6/002 , B23P6/04 , B23P6/045 , B29C73/02 , B29C73/16 , C04B41/009 , C04B41/5096 , C04B41/85 , F01D5/005 , C04B35/565 , C04B35/806 , C04B41/4515 , C04B41/4523 , C04B41/5094
Abstract: 一种修复MI-CMC构件中的基质微裂纹的方法包括将构件的开裂基质部分内存在的“游离”硅相加热到高于硅相的熔点的温度。在构件的加热期间，将额外的硅相源供应至构件。构件附近的气氛在构件的加热期间受控。将MI-CMC构件冷却到低于硅相的熔点以冷却和凝固已经转移到微裂纹中的硅相，从而将裂纹面结合在一起。
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公开(公告)号：CN105531243A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480051694.X
申请日：2014-08-28
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C04B35/806 , C04B35/565 , C04B35/58092 , C04B35/584 , C04B35/80 , C04B2235/3804 , C04B2235/3813 , C04B2235/3817 , C04B2235/3839 , C04B2235/3843 , C04B2235/483 , C04B2235/5244 , C04B2235/5248 , C04B2235/5252 , C04B2235/5256 , C04B2235/614 , C04B2235/94
Abstract: 本公开内容涉及通过化学气相渗透制作的陶瓷基质复合物、制作陶瓷基质复合物的方法，以及用于热气体通路中的陶瓷基质复合物涡轮构件。提供了一种制造陶瓷基质复合物的方法，其可包括以下步骤：(i)在期望形状的陶瓷基质复合物预形件中形成多个孔；以及(ii)通过化学气相渗透过程使预形件致密化来形成基质的一部分或大部分。还提供了一种可用于热燃烧气体中的陶瓷基质复合物，其根据本文所述的前述陶瓷基质复合物制造方法制作。
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