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公开(公告)号：CN105683131B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201480060837.3
申请日：2014-09-26
Applicant: 通用电气公司
Inventor： G.S.科曼
IPC: C04B41/85
CPC classification number: B29C73/00 , B23P6/002 , B23P6/04 , B23P6/045 , B29C73/02 , B29C73/16 , C04B41/009 , C04B41/5096 , C04B41/85 , F01D5/005 , C04B35/565 , C04B35/806 , C04B41/4515 , C04B41/4523 , C04B41/5094
Abstract: 一种修复MI‑CMC构件中的基质微裂纹的方法包括将构件的开裂基质部分内存在的“游离”硅相加热到高于硅相的熔点的温度。在构件的加热期间，将额外的硅相源供应至构件。构件附近的气氛在构件的加热期间受控。将MI‑CMC构件冷却到低于硅相的熔点以冷却和凝固已经转移到微裂纹中的硅相，从而将裂纹面结合在一起。
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公开(公告)号：CN105924198A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610106273.3
申请日：2016-02-26
Applicant: 通用电气公司
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/65 , C04B35/622 , C04B41/87
CPC classification number: C04B35/806 , B05D3/108 , B32B5/024 , B32B5/18 , B32B7/02 , B32B2262/105 , B32B2305/076 , B32B2603/00 , C04B35/573 , C04B2235/3826 , C04B2235/422 , C04B2235/428 , C04B2235/5244 , C04B2235/5268 , C04B2235/614 , C04B2235/616 , C04B2235/721 , C04B2235/728 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C23C16/0227 , C23C16/045 , C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/65 , C04B41/5057 , C04B41/5093 , C04B41/87 , C04B41/4531
Abstract: 一种陶瓷基质复合物制品包括：具有游离硅比例的熔体渗入陶瓷基质复合物基底，其在陶瓷基质材料中包括陶瓷纤维增强材料；以及设置在基底的至少一部分的外表面上的基本上没有游离硅比例的化学汽相渗入陶瓷基质复合物外层，其在陶瓷基质材料中包括陶瓷纤维增强材料。
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公开(公告)号：CN107226706A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710180235.7
申请日：2017-03-23
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本发明公开了陶瓷基质复合物制品(10)，包括例如在具有单峰孔径分布的基质(30)中的纤维丝束(20)的多个单向阵列，以及约15百分比至约35百分比的纤维体积分数。制品可通过方法(100)形成，例如，其包括提供成形预制件(110)，该成形预制件包括纤维丝束的单向阵列的预浸料带叠层、基质前体和成孔剂，固化成形预制件(120)以热解基质前体并烧尽成孔剂，使得成形预制件包括纤维丝束的单向阵列和具有单峰孔径分布的多孔基质，并且使固化的成形预制件经历化学气相渗透(130)以使多孔基质致密化，使得陶瓷基质复合物制品具有约15百分比至约35百分比的纤维体积分数。
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公开(公告)号：CN106396713A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610613863.5
申请日：2016-07-29
Applicant: 通用电气公司
IPC: C04B35/80
CPC classification number: C04B35/76 , B29C70/025 , B29L2031/00 , C04B35/80 , C04B35/806 , C04B35/83 , C04B2235/32 , C04B2235/3826 , C04B2235/421 , C04B2235/422 , C04B2235/48 , C04B2235/5244 , C04B2235/5264 , C04B2235/5268 , C04B2235/54 , C04B2235/5436 , C04B2235/614 , C04B2235/616 , C04B35/803 , C04B2235/3821 , C04B2235/3873 , C04B2235/3891 , C04B2235/522
Abstract: 提供一种预浸渍复合带(20)，包括：基质材料(22)；多个纤维(16)，其形成封闭在基质材料中的相邻纤维(16)之间的多个填料颗粒(24)。纤维(16)具有大约5微米至大约40微米的平均纤维直径，并且以大约15%至大约40%的体积分量包括在带(20)内。多个填料颗粒(24)具有对数正态体积中值颗粒大小，使得带(20)具有的对数正态体积中值颗粒大小与平均纤维直径的比为大约0.05:1至大约1:1。还提供一种用于形成陶瓷基质复合物的方法。(22)内的成单向阵列的丝束；以及散布在带(20)
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公开(公告)号：CN106938937B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201611052691.5
申请日：2016-11-25
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本申请提供了用于处理陶瓷纤维用于制造陶瓷基质复合物(CMC)的方法及设备。一种方法可包括提供至少一个框架，其包括延伸横跨其空腔的单向陶瓷纤维的平面阵列。该方法还可包括以下中的至少一个：经由化学气相沉积(CVD)过程将涂层沉积在至少一个框架的陶瓷纤维上；以及以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯。在一些实施例中，平面阵列的陶瓷纤维可包括涂层，并且该方法可包括以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍涂覆的陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯。
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公开(公告)号：CN106957178B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201611054124.3
申请日：2016-11-25
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本申请提供了用于处理陶瓷纤维用于制造陶瓷基质复合物(CMC)的方法及设备。一种方法可包括提供至少一个框架，其包括延伸横跨其空腔的单向陶瓷纤维的平面阵列。该方法还可包括经由化学气相沉积(CVD)过程将涂层沉积在至少一个框架的陶瓷纤维上。该方法还可包括以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍涂覆的陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯，如，预浸料坯带。例如，陶瓷纤维可大致为SiC纤维。
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公开(公告)号：CN112694341A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202110061423.4
申请日：2017-03-23
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本发明公开了陶瓷基质复合物制品（10），包括例如在具有单峰孔径分布的基质（30）中的纤维丝束（20）的多个单向阵列，以及约15百分比至约35百分比的纤维体积分数。制品可通过方法（100）形成，例如，其包括提供成形预制件（110），该成形预制件包括纤维丝束的单向阵列的预浸料带叠层、基质前体和成孔剂，固化成形预制件（120）以热解基质前体并烧尽成孔剂，使得成形预制件包括纤维丝束的单向阵列和具有单峰孔径分布的多孔基质，并且使固化的成形预制件经历化学气相渗透（130）以使多孔基质致密化，使得陶瓷基质复合物制品具有约15百分比至约35百分比的纤维体积分数。
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公开(公告)号：CN105924198B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201610106273.3
申请日：2016-02-26
Applicant: 通用电气公司
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/65 , C04B35/622 , C04B41/87
CPC classification number: C04B35/806 , B05D3/108 , B32B5/024 , B32B5/18 , B32B7/02 , B32B2262/105 , B32B2305/076 , B32B2603/00 , C04B35/573 , C04B2235/3826 , C04B2235/422 , C04B2235/428 , C04B2235/5244 , C04B2235/5268 , C04B2235/614 , C04B2235/616 , C04B2235/721 , C04B2235/728 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C23C16/0227 , C23C16/045
Abstract: 一种陶瓷基质复合物制品包括：具有游离硅比例的熔体渗入陶瓷基质复合物基底，其在陶瓷基质材料中包括陶瓷纤维增强材料；以及设置在基底的至少一部分的外表面上的基本上没有游离硅比例的化学汽相渗入陶瓷基质复合物外层，其在陶瓷基质材料中包括陶瓷纤维增强材料。
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公开(公告)号：CN105531243B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201480051694.X
申请日：2014-08-28
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C04B35/806 , C04B35/565 , C04B35/58092 , C04B35/584 , C04B35/80 , C04B2235/3804 , C04B2235/3813 , C04B2235/3817 , C04B2235/3839 , C04B2235/3843 , C04B2235/483 , C04B2235/5244 , C04B2235/5248 , C04B2235/5252 , C04B2235/5256 , C04B2235/614 , C04B2235/94
Abstract: 本公开内容涉及通过化学气相渗透制作的陶瓷基质复合物、制作陶瓷基质复合物的方法，以及用于热气体通路中的陶瓷基质复合物涡轮构件。提供了一种制造陶瓷基质复合物的方法，其可包括以下步骤：(i)在期望形状的陶瓷基质复合物预形件中形成多个孔；以及(ii)通过化学气相渗透过程使预形件致密化来形成基质的一部分或大部分。还提供了一种可用于热燃烧气体中的陶瓷基质复合物，其根据本文所述的前述陶瓷基质复合物制造方法制作。
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