-
公开(公告)号：CN106938937B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201611052691.5
申请日：2016-11-25
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本申请提供了用于处理陶瓷纤维用于制造陶瓷基质复合物(CMC)的方法及设备。一种方法可包括提供至少一个框架，其包括延伸横跨其空腔的单向陶瓷纤维的平面阵列。该方法还可包括以下中的至少一个：经由化学气相沉积(CVD)过程将涂层沉积在至少一个框架的陶瓷纤维上；以及以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯。在一些实施例中，平面阵列的陶瓷纤维可包括涂层，并且该方法可包括以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍涂覆的陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯。
-
公开(公告)号：CN106957178B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201611054124.3
申请日：2016-11-25
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本申请提供了用于处理陶瓷纤维用于制造陶瓷基质复合物(CMC)的方法及设备。一种方法可包括提供至少一个框架，其包括延伸横跨其空腔的单向陶瓷纤维的平面阵列。该方法还可包括经由化学气相沉积(CVD)过程将涂层沉积在至少一个框架的陶瓷纤维上。该方法还可包括以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍涂覆的陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯，如，预浸料坯带。例如，陶瓷纤维可大致为SiC纤维。
-
公开(公告)号：CN106957178A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201611054124.3
申请日：2016-11-25
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C03C17/001 , C04B35/80 , C04B35/806 , C04B2235/3826 , C04B2235/6028 , C04B2235/614 , C04B2235/616 , C04B41/009 , C04B41/5001 , C04B41/5059 , C04B41/5064 , C04B41/5066 , C04B41/87 , C23C16/26 , C23C16/325 , C23C16/342 , C23C16/345 , C04B35/00 , C04B35/565
Abstract: 本申请提供了用于处理陶瓷纤维用于制造陶瓷基质复合物(CMC)的方法及设备。一种方法可包括提供至少一个框架，其包括延伸横跨其空腔的单向陶瓷纤维的平面阵列。该方法还可包括经由化学气相沉积(CVD)过程将涂层沉积在至少一个框架的陶瓷纤维上。该方法还可包括以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍涂覆的陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯，如，预浸料坯带。例如，陶瓷纤维可大致为SiC纤维。
-
公开(公告)号：CN106938937A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201611052691.5
申请日：2016-11-25
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: B28B1/14 , C04B35/80 , C04B35/806 , C04B41/85 , C04B2235/3826 , C04B2235/6028 , C04B2235/614 , C04B2235/616 , C23C16/26 , C23C16/342 , C23C16/345 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/87 , C04B41/89 , C04B35/565 , C04B41/5064 , C04B41/5066 , C04B41/5001
Abstract: 本申请提供了用于处理陶瓷纤维用于制造陶瓷基质复合物(CMC)的方法及设备。一种方法可包括提供至少一个框架，其包括延伸横跨其空腔的单向陶瓷纤维的平面阵列。该方法还可包括以下中的至少一个：经由化学气相沉积(CVD)过程将涂层沉积在至少一个框架的陶瓷纤维上；以及以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯。在一些实施例中，平面阵列的陶瓷纤维可包括涂层，并且该方法可包括以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍涂覆的陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.03 seconds)
