公开(公告)号：CN106957178A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201611054124.3

申请日：2016-11-25

Applicant: 通用电气公司

Inventor： D.G.邓 ,  J.A.鲁德 ,  P-A.布伊 ,  G.S.科曼 ,  J.S.瓦图利

IPC: C04B35/80 ,  C04B41/87 ,  C23C16/26 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34

CPC classification number: C03C17/001 ,  C04B35/80 ,  C04B35/806 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/6028 ,  C04B2235/614 ,  C04B2235/616 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5001 ,  C04B41/5059 ,  C04B41/5064 ,  C04B41/5066 ,  C04B41/87 ,  C23C16/26 ,  C23C16/325 ,  C23C16/342 ,  C23C16/345 ,  C04B35/00 ,  C04B35/565

Abstract: 本申请提供了用于处理陶瓷纤维用于制造陶瓷基质复合物(CMC)的方法及设备。一种方法可包括提供至少一个框架，其包括延伸横跨其空腔的单向陶瓷纤维的平面阵列。该方法还可包括经由化学气相沉积(CVD)过程将涂层沉积在至少一个框架的陶瓷纤维上。该方法还可包括以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍涂覆的陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯，如，预浸料坯带。例如，陶瓷纤维可大致为SiC纤维。

公开(公告)号：CN106938937B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN201611052691.5

申请日：2016-11-25

Applicant: 通用电气公司

Inventor： D.G.邓 ,  J.A.鲁德 ,  P-A.布伊 ,  G.S.科曼 ,  J.S.瓦图利

IPC: C04B35/84 ,  C04B41/87 ,  C04B41/89

Abstract: 本申请提供了用于处理陶瓷纤维用于制造陶瓷基质复合物(CMC)的方法及设备。一种方法可包括提供至少一个框架，其包括延伸横跨其空腔的单向陶瓷纤维的平面阵列。该方法还可包括以下中的至少一个：经由化学气相沉积(CVD)过程将涂层沉积在至少一个框架的陶瓷纤维上；以及以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯。在一些实施例中，平面阵列的陶瓷纤维可包括涂层，并且该方法可包括以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍涂覆的陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯。

公开(公告)号：CN106957178B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201611054124.3

申请日：2016-11-25

Applicant: 通用电气公司

Inventor： D.G.邓 ,  J.A.鲁德 ,  P-A.布伊 ,  G.S.科曼 ,  J.S.瓦图利

IPC: C04B35/80 ,  C04B41/87 ,  C23C16/26 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34

Abstract: 本申请提供了用于处理陶瓷纤维用于制造陶瓷基质复合物(CMC)的方法及设备。一种方法可包括提供至少一个框架，其包括延伸横跨其空腔的单向陶瓷纤维的平面阵列。该方法还可包括经由化学气相沉积(CVD)过程将涂层沉积在至少一个框架的陶瓷纤维上。该方法还可包括以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍涂覆的陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯，如，预浸料坯带。例如，陶瓷纤维可大致为SiC纤维。

公开(公告)号：CN109415273A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780041061.4

申请日：2017-06-15

Applicant: 通用电气公司

Inventor： M.霍克迈尔 ,  J.D.沙皮罗 ,  K.M.K.G.罕 ,  J.S.瓦图利 ,  D.G.邓 ,  S.辛哈 ,  D.德塞萨雷

IPC: C04B35/80 ,  C04B37/00

Abstract: 陶瓷基质复合物制品包括例如在陶瓷基质中限定第一范围的第一多个陶瓷纤维板层，以及所述第一多个板层上和/或所述第一多个板层中的在所述陶瓷基质中限定第二范围的局部至少一个第二板层，其中第二范围小于第一范围。第一多个板层具有第一特性，至少一个第二板层具有至少一个第二特性，并且所述第一特性不同于所述至少一个第二特性。不同特性可包括一个或多个不同的机械(应力/应变)特性、一个或多个不同的导热特性、一个或多个不同的导电特性、一个或多个不同其它特性，以及它们的组合。

公开(公告)号：CN106938937A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201611052691.5

申请日：2016-11-25

Applicant: 通用电气公司

Inventor： D.G.邓 ,  J.A.鲁德 ,  P-A.布伊 ,  G.S.科曼 ,  J.S.瓦图利

IPC: C04B35/84 ,  C04B41/87 ,  C04B41/89

CPC classification number: B28B1/14 ,  C04B35/80 ,  C04B35/806 ,  C04B41/85 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/6028 ,  C04B2235/614 ,  C04B2235/616 ,  C23C16/26 ,  C23C16/342 ,  C23C16/345 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/87 ,  C04B41/89 ,  C04B35/565 ,  C04B41/5064 ,  C04B41/5066 ,  C04B41/5001

Abstract: 本申请提供了用于处理陶瓷纤维用于制造陶瓷基质复合物(CMC)的方法及设备。一种方法可包括提供至少一个框架，其包括延伸横跨其空腔的单向陶瓷纤维的平面阵列。该方法还可包括以下中的至少一个：经由化学气相沉积(CVD)过程将涂层沉积在至少一个框架的陶瓷纤维上；以及以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯。在一些实施例中，平面阵列的陶瓷纤维可包括涂层，并且该方法可包括以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍涂覆的陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯。

公开(公告)号：CN102838992A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210316549.2

申请日：2008-01-24

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S.P.M.卢雷罗 ,  J.S.瓦图利 ,  B.A.克罗蒂尔 ,  S.J.杜克洛斯 ,  M.马诺哈兰 ,  P.R.L.马伦范特 ,  V.S.文卡塔拉马尼 ,  C.比诺 ,  A.斯里瓦斯塔瓦 ,  S.J.斯托克洛萨

IPC: C09K11/85 ,  C09K11/61 ,  B82Y30/00 ,  B82Y20/00

CPC classification number: C09K11/7774 ,  A61B6/037 ,  B82Y30/00 ,  C01B13/328 ,  C01F17/0012 ,  C01F17/0093 ,  C01P2004/64 ,  C09K11/02 ,  C09K11/681 ,  C09K11/684 ,  C09K11/745 ,  C09K11/7771 ,  C09K11/7772 ,  C09K11/7777 ,  C09K11/7792 ,  G01T1/20 ,  G01T1/202

Abstract: 提供包括嵌在塑料基质中的闪烁化合物纳米尺寸颗粒的闪烁检测器。所述纳米尺寸颗粒可以由金属氧化物、金属卤氧化物、金属硫氧化物或金属卤化物制成。提供了制备所述纳米尺寸颗粒的方法。所述颗粒在结合到所述塑料基质中之前可被涂以有机化合物或聚合物。还提供通过引入二氧化钛纳米尺寸颗粒来使塑料基质的折射率与所述纳米尺寸颗粒相匹配的方法。可将所述闪烁体与一或多个光电检测器联接以形成闪烁检测系统。所述闪烁检测系统可适用于X射线和辐射成像装置如数字X射线成像、乳房造影术、CT、PET或SPECT，或者可用于辐射安全检测器或地下辐射探测器。