通过等离子喷涂形成的物品

    公开(公告)号:CN106170579A

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201380045025.7

    申请日:2013-07-29

    摘要: 公开了一种物品和形成该物品的方法。该物品包括基底、沉积在该基底上方的覆盖粘合涂层、和沉积在该粘合涂层上方的顶涂层。该物品的粘合涂层包括接近粘合涂层与顶涂层之间的界面的等离子影响区域,并且该等离子影响区域包括伸长粒间相。沉积的方法包括调整等离子喷涂条件,以便形成接近粘合涂层与顶涂层之间的界面的等离子影响区域,和等离子影响区域中的伸长粒间相。

    处理陶瓷纤维的方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106938937B

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN201611052691.5

    申请日:2016-11-25

    IPC分类号: C04B35/84 C04B41/87 C04B41/89

    摘要: 本申请提供了用于处理陶瓷纤维用于制造陶瓷基质复合物(CMC)的方法及设备。一种方法可包括提供至少一个框架,其包括延伸横跨其空腔的单向陶瓷纤维的平面阵列。该方法还可包括以下中的至少一个:经由化学气相沉积(CVD)过程将涂层沉积在至少一个框架的陶瓷纤维上;以及以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯。在一些实施例中,平面阵列的陶瓷纤维可包括涂层,并且该方法可包括以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍涂覆的陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯。

    用于处理陶瓷纤维的设备及方法

    公开(公告)号:CN106957178B

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN201611054124.3

    申请日:2016-11-25

    摘要: 本申请提供了用于处理陶瓷纤维用于制造陶瓷基质复合物(CMC)的方法及设备。一种方法可包括提供至少一个框架,其包括延伸横跨其空腔的单向陶瓷纤维的平面阵列。该方法还可包括经由化学气相沉积(CVD)过程将涂层沉积在至少一个框架的陶瓷纤维上。该方法还可包括以包括陶瓷基质前体成分的浆料浸渍涂覆的陶瓷纤维来形成至少一个CMC预浸料坯,如,预浸料坯带。例如,陶瓷纤维可大致为SiC纤维。

    通过等离子喷涂形成的物品

    公开(公告)号:CN106170579B

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201380045025.7

    申请日:2013-07-29

    摘要: 公开了一种物品和形成该物品的方法。该物品包括基底、沉积在该基底上方的覆盖粘合涂层、和沉积在该粘合涂层上方的顶涂层。该物品的粘合涂层包括接近粘合涂层与顶涂层之间的界面的等离子影响区域,并且该等离子影响区域包括伸长粒间相。沉积的方法包括调整等离子喷涂条件,以便形成接近粘合涂层与顶涂层之间的界面的等离子影响区域,和等离子影响区域中的伸长粒间相。