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公开(公告)号：CN112694341A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202110061423.4
申请日：2017-03-23
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本发明公开了陶瓷基质复合物制品（10），包括例如在具有单峰孔径分布的基质（30）中的纤维丝束（20）的多个单向阵列，以及约15百分比至约35百分比的纤维体积分数。制品可通过方法（100）形成，例如，其包括提供成形预制件（110），该成形预制件包括纤维丝束的单向阵列的预浸料带叠层、基质前体和成孔剂，固化成形预制件（120）以热解基质前体并烧尽成孔剂，使得成形预制件包括纤维丝束的单向阵列和具有单峰孔径分布的多孔基质，并且使固化的成形预制件经历化学气相渗透（130）以使多孔基质致密化，使得陶瓷基质复合物制品具有约15百分比至约35百分比的纤维体积分数。
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公开(公告)号：CN105924198B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201610106273.3
申请日：2016-02-26
Applicant: 通用电气公司
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/65 , C04B35/622 , C04B41/87
CPC classification number: C04B35/806 , B05D3/108 , B32B5/024 , B32B5/18 , B32B7/02 , B32B2262/105 , B32B2305/076 , B32B2603/00 , C04B35/573 , C04B2235/3826 , C04B2235/422 , C04B2235/428 , C04B2235/5244 , C04B2235/5268 , C04B2235/614 , C04B2235/616 , C04B2235/721 , C04B2235/728 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C23C16/0227 , C23C16/045
Abstract: 一种陶瓷基质复合物制品包括：具有游离硅比例的熔体渗入陶瓷基质复合物基底，其在陶瓷基质材料中包括陶瓷纤维增强材料；以及设置在基底的至少一部分的外表面上的基本上没有游离硅比例的化学汽相渗入陶瓷基质复合物外层，其在陶瓷基质材料中包括陶瓷纤维增强材料。
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公开(公告)号：CN104995156B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201380066451.9
申请日：2013-11-25
Applicant: 通用电气公司
Inventor： K.L.卢思拉
CPC classification number: F26B23/02 , C04B41/009 , C04B41/4519 , C04B41/80 , F01D5/28 , F01D5/288 , F02C6/08 , F02C7/18 , F23R3/007 , C04B35/565 , C04B35/806 , C04B35/584 , C04B35/58085
Abstract: 本公开涉及用于减少含硅陶瓷或含硅陶瓷复合物的二氧化硅消退的方法和和系统,特别是暴露于燃烧气体或燃烧气体环境的那些,包括暴露于高温燃烧气体环境的那些。所述方法和系统包括由压缩空气去除水分,然后将处理过的压缩空气与燃烧气体共混合,使含硅陶瓷或含硅陶瓷复合物对其暴露。
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公开(公告)号：CN105189411A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480015769.9
申请日：2014-03-11
Applicant: 通用电气公司
Inventor： K.L.卢思拉
CPC classification number: F01D5/284 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/89 , C23C4/134 , C23C16/44 , C23C28/042 , C23C28/044 , C23C28/048 , F01D5/282 , F01D5/288 , Y02T50/672 , C04B35/565 , C04B35/806 , C04B35/584 , C04B35/58085 , C04B41/5024 , C04B41/5096
Abstract: 本公开总体上涉及包括含硅基体的抗衰退燃气涡轮发动机制品和相关涂层及方法。本公开尤其涉及一种包括用化学稳定多孔氧化物层涂覆的硅基体的发动机制品。本公开还涉及一种制品，所述制品包括基体和在顶上的结合涂层，所述结合涂层包含互连硅和互连氧化物的双相层，随后是硅层。本公开还涉及一种抗衰退制品，该制品在含硅基体中包含氧化物，使得含硅基体的组分与基体中分散的氧化物互连，并形成抗衰退含硅制品的主体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104995156A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201380066451.9
申请日：2013-11-25
Applicant: 通用电气公司
Inventor： K.L.卢思拉
CPC classification number: F26B23/02 , C04B41/009 , C04B41/4519 , C04B41/80 , F01D5/28 , F01D5/288 , F02C6/08 , F02C7/18 , F23R3/007 , C04B35/565 , C04B35/806 , C04B35/584 , C04B35/58085
Abstract: 本公开涉及用于减少含硅陶瓷或含硅陶瓷复合物的二氧化硅消退的方法和系统，特别是暴露于燃烧气体或燃烧气体环境的那些，包括暴露于高温燃烧气体环境的那些。所述方法和系统包括由压缩空气去除水分，然后将处理过的压缩空气与燃烧气体共混合，使含硅陶瓷或含硅陶瓷复合物对其暴露。
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公开(公告)号：CN114195556A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111398063.3
申请日：2014-03-04
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本发明涉及耐高温陶瓷基质复合材料及环境障碍涂层。高温机械部件，更特别是能在高温环境下工作的制品，包括例如燃气发动机的涡轮，可以由高温陶瓷基质复合材料形成，该高温陶瓷基质复合材料包括：含硅的陶瓷基材；包括含硅粘合涂层的环境障碍涂层体系；及位于该制品的基材和环境障碍涂层体系的硅粘合涂层之间的碳化物或氮化物的扩散阻碍层。该扩散阻碍层选择性地防止或减小硼和杂质从基材向环境障碍涂层体系的粘合涂层扩散。
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公开(公告)号：CN105924198A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610106273.3
申请日：2016-02-26
Applicant: 通用电气公司
IPC: C04B35/80 , C04B35/565 , C04B35/65 , C04B35/622 , C04B41/87
CPC classification number: C04B35/806 , B05D3/108 , B32B5/024 , B32B5/18 , B32B7/02 , B32B2262/105 , B32B2305/076 , B32B2603/00 , C04B35/573 , C04B2235/3826 , C04B2235/422 , C04B2235/428 , C04B2235/5244 , C04B2235/5268 , C04B2235/614 , C04B2235/616 , C04B2235/721 , C04B2235/728 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C23C16/0227 , C23C16/045 , C04B35/565 , C04B35/622 , C04B35/65 , C04B41/5057 , C04B41/5093 , C04B41/87 , C04B41/4531
Abstract: 一种陶瓷基质复合物制品包括：具有游离硅比例的熔体渗入陶瓷基质复合物基底，其在陶瓷基质材料中包括陶瓷纤维增强材料；以及设置在基底的至少一部分的外表面上的基本上没有游离硅比例的化学汽相渗入陶瓷基质复合物外层，其在陶瓷基质材料中包括陶瓷纤维增强材料。
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公开(公告)号：CN105189932A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480027420.7
申请日：2014-03-05
Applicant: 通用电气公司
Inventor： K.L.卢思拉
CPC classification number: F01D25/005 , C04B35/195 , C04B35/48 , C04B35/50 , C04B35/565 , C04B35/58092 , C04B35/584 , C04B35/597 , C04B41/009 , C04B41/5024 , C04B41/52 , C04B41/87 , C04B41/89 , C04B2111/00405 , C23C28/042 , C23C28/044 , C23C28/048 , F01D5/284 , F05D2300/514 , F05D2300/6033 , Y02T50/672 , C04B35/806 , C04B35/58085 , C04B41/455 , C04B41/4582 , C04B41/5096 , C04B41/5059 , C04B41/522 , C04B41/5066
Abstract: 本公开总体上涉及抗凹陷燃气涡轮发动机制品，其包含含硅基材，和有关的涂层和方法。本公开尤其涉及一种发动机制品，其包含涂布有化学稳定多孔氧化物层的硅基材。本公开还涉及包含基材和在其上的粘结涂层，所述粘结涂层包含互连硅和互连氧化物的两相层，然后为硅层。本公开还涉及抗凹陷制品，其包含在含硅基材内的氧化物，使得含硅基材的组分与分散在基材内的氧化物互连并形成抗凹陷含硅制品的本体。
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公开(公告)号：CN102900472A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210263394.0
申请日：2012-07-27
Applicant: 通用电气公司
IPC: F01D5/28 , F01D9/02 , F01D25/00 , C04B35/565 , C23C4/10
CPC classification number: C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/89 , F01D5/288 , F23J7/00 , F23J15/003 , F23M5/00 , F23M2900/05004 , F23R3/002 , F23R3/007 , F23R2900/00019 , Y02T50/672 , Y02T50/673 , C04B35/565 , C04B35/806 , C04B35/584 , C04B35/58092 , C04B41/5024 , C04B41/4529 , C04B41/4554 , C04B41/5035
Abstract: 本发明涉及用于保护高温机械构件的系统和方法。一种系统包括设置成限定气体通道的多个构件。至少一个构件包括在其上方设置涂层的含硅基底，并且涂层包括暴露于气体通道的抗凹入材料。硅源被设置成与气体通道流体连通且被构造成输送到气体通道，以在在涂层上方的气体通道中流动的气体中维持在从约1.8×10-4ppm至约1ppm的范围内的硅质量浓度。一种相关方法包括：在气体通道内引导燃烧气体流，该气体通道由多个构件限定，其中至少一个构件包括在其上方设置涂层的含硅基底，涂层包括暴露于气体通道的抗凹入材料；以及将含硅材料从硅源输送到气体流，硅源被设置成与气体通道流体连通以在涂层上方的气体流内维持在从约1.8×10-4ppm至约1ppm的范围内的硅质量浓度。
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