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公开(公告)号：CN104681520A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410848599.4
申请日：2014-09-26
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及嵌入式半导体装置封装及其制造方法。一种封装结构包括介电层，至少一个附接到介电层的半导体装置，施加到介电层且在半导体装置周围以使半导体装置嵌入其中的一个或多个介电片材，和多个形成到半导体装置的通路，多个通路形成在介电层和一个或多个介电片材中的至少一者。封装结构还包括形成在通路中且在封装结构的一个或多个朝外表面上的金属互连件，以形成到半导体装置的电互连。介电层由层压工艺期间不流动的材料组成且一个或多个介电片材的每一个由可固化材料组成，固化材料被配置成在层压工艺期间当固化时熔化并流动，从而填充半导体装置周围的任何空气间隙。
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公开(公告)号：CN102103945B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201010615732.3
申请日：2010-12-16
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H1/0036 , H01H9/542 , H01H2071/008 , Y10T307/937
Abstract: 本发明涉及开关结构和相关联的电路，具体而言，提供了一种装置，例如开关模块(100)。该装置可包括构造成在特性时间上在断开构造和完全闭合构造(与最小特性电阻相关联)之间运动的机电开关结构(102)。整流电路(120)可与机电开关结构并联连接，并且可包括构造成抑制机电开关结构的触头之间的电弧形成的平衡二极管电桥(122)，以及脉冲电路(142)，该脉冲电路(142)包括构造成形成脉冲信号(与机电开关结构的切换事件有关)以用于促使脉冲电流流过平衡二极管电桥的脉冲电容器(146)。机电开关结构和平衡二极管电桥可设置成使得与整流电路相关联的总电感小于或等于特性时间和最小特性电阻的乘积。
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公开(公告)号：CN102103945A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010615732.3
申请日：2010-12-16
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H1/0036 , H01H9/542 , H01H2071/008 , Y10T307/937
Abstract: 本发明涉及开关结构和相关联的电路，具体而言，提供了一种装置，例如开关模块(100)。该装置可包括构造成在特性时间上在断开构造和完全闭合构造(与最小特性电阻相关联)之间运动的机电开关结构(102)。整流电路(120)可与机电开关结构并联连接，并且可包括构造成抑制机电开关结构的触头之间的电弧形成的平衡二极管电桥(122)，以及脉冲电路(142)，该脉冲电路(142)包括构造成形成脉冲信号(与机电开关结构的切换事件有关)以用于促使脉冲电流流过平衡二极管电桥的脉冲电容器(146)。机电开关结构和平衡二极管电桥可设置成使得与整流电路相关联的总电感小于或等于特性时间和最小特性电阻的乘积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102593046B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201110463335.3
申请日：2011-12-22
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L24/82 , H01L21/486 , H01L24/06 , H01L24/24 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0655 , H01L25/072 , H01L2224/04105 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/2405 , H01L2224/2413 , H01L2224/24225 , H01L2224/27416 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73217 , H01L2224/73267 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83194 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/83865 , H01L2224/83874 , H01L2224/92144 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/13026 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/18162 , H01L2924/00
Abstract: 提供制造半导体器件封装件的方法。该方法包括：提供叠层，其包括设置在第一金属层上的介电膜，所述叠层具有介电膜外表面和第一金属层外表面；根据预定图案形成多个延伸通过该叠层的通孔；将一个或多个半导体器件附连到该介电膜外表面使得半导体器件在附连后接触一个或多个通孔；在该第一金属层外表面和多个通孔的内表面上设置导电层来形成互连层，其包括该第一金属层和所述导电层；以及根据预定电路配置图案化该互连层来形成图案化的互连层，其中该图案化的互连层的一部分延伸通过一个或多个通孔来形成与半导体器件的电接触。还提供半导体器件封装件。
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公开(公告)号：CN102237344A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110119566.2
申请日：2011-04-29
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L24/24 , H01L23/48 , H01L24/72 , H01L24/82 , H01L25/071 , H01L25/072 , H01L2224/04105 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/1301 , H01L2924/1302 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H02P2101/15 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 提供用于利用电力覆盖(POL)技术和半导体压装技术以生产具有更高可靠性和功率密度的半导体封装件(50、70、78、80、90、100、110、120)的系统和方法。POL结构(40)可在半导体封装件(50、70、78、80、90、100、110、120)内互连半导体器件(48)，并且某些实施例可实现以减小在导电板(58、60)的挤压期间损伤该半导体器件(48)的可能性。在一个实施例中，弹簧(54)和/或衬垫(56)可用于减小或控制由发射极板(58)施加到封装件(50、70、78、80、90、100、110、120)中的半导体器件(48)上的力。在另一个实施例中，发射极板(58)可凹陷以对POL结构(40)施加力，而不是直接向半导体器件(48)施加力。此外，在一些实施例中，POL结构(40)的导电层(42)可生长以起发射极板(58)的作用，并且可使导电层(40)的区域成为多孔性的以提供顺应性。
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公开(公告)号：CN101840914A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010146956.4
申请日：2010-03-12
Applicant: 通用电气公司
Inventor： R·A·博普雷 , A·V·高达 , L·D·J·斯特瓦诺维克 , S·A·索洛维奇
CPC classification number: H01L23/3735 , H01L23/051 , H01L23/42 , H01L23/473 , H01L24/24 , H01L25/072 , H01L2224/24137 , H01L2224/92144 , H01L2924/01029 , H01L2924/14
Abstract: 本发明涉及具有功率覆盖层的双侧冷却的功率模块。一种功率模块(20)包括一个或多个半导体功率器件(22)，该一个或多个半导体功率器件(22)具有结合到该器件上的功率覆盖层(POL)(24)。第一散热器组件(30)在与POL(24)相对的一侧上结合到半导体功率器件(22)上。第二散热器组件(28)与POL(24)的结合到半导体功率器件(22)上的一侧相对而结合到该POL(24)上。半导体功率器件(22)、POL(24)、第一通道散热器组件(30)和第二通道散热器组件(28)一起形成双侧冷却的功率覆盖模块。第二通道散热器组件(28)单独地经由柔顺热界面材料(26)结合到POL(24)上而无需平面化、铜焊或冶金结合。
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公开(公告)号：CN101244800A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810074207.8
申请日：2008-02-13
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H9/52 , H01L24/24 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92144 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , Y10T29/49105 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及功率覆盖结构及其制作方法。本发明的一个实施例包括一种MEMS结构，该MEMS结构进一步包括：MEMS器件(240)，其具有其上带有一个或多个连接到MEMS器件(240)的MEMS元件的接触结构(244、245和246)的第一表面；覆盖第一表面在其中限定了开口的介电层(100)，接触结构(244、245和246)通过该开口被暴露；包含从接触结构(244、245和246)延伸通过介电层(100)中的开口并且到达介电层(100)的表面之上的导电材料(174－179)的图案化的金属化层(254、255和256)；以及与金属化层(254、255和256)热连通的第一热沉(190)。
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公开(公告)号：CN101154509A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710152719.7
申请日：2007-07-05
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01H1/021
Abstract: 提供一种用于控制电流流动的器件。该器件包括第一导体(12)；与第一导体(12)可切换联接从而在与第一导体(12)形成的电连接状态和电断开状态之间进行切换的第二导体(14)。至少一个导体还包括电触点(40)，所述电触点(40)包括具有多个孔(44)的固体基体(42)；以及设置在所述多个孔(44)中的至少一部分孔内的填充材料(46)。填充材料(46)的熔点低于约575K。提供一种制造电触点(40)的方法(50)。该方法(50)包括以下步骤：提供衬底；在衬底上提供多个孔(44)；以及在所述多个孔(44)中的至少一部分孔内设置填充材料。所述填充材料(46)的熔点低于约575K。
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