公开(公告)号：CN118140294A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202280070972.0

申请日：2022-10-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： B·戈勒 ,  A·C·宾特 ,  T·F·W·霍克鲍尔 ,  M·胡贝尔 ,  I·莫德尔 ,  M·皮钦 ,  F·J·桑托斯罗德里格斯 ,  H-J·舒尔茨

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/78 ,  H01L21/306 ,  H01L21/683

Abstract: 一种处理半导体晶片的方法包括：在所述半导体晶片的第一主表面之上形成一个或多个外延层；在所述半导体晶片中或在所述一个或多个外延层中形成一个或多个多孔层，其中所述半导体晶片、所述一个或多个外延层和所述一个或多个多孔层共同形成衬底；在所述一个或多个外延层中形成半导体装置的掺杂区；并且在形成所述半导体装置的所述掺杂区之后，沿着所述一个或多个多孔层将所述半导体晶片的非多孔部分与所述衬底的其余部分分离。

公开(公告)号：CN117594433A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310998505.0

申请日：2023-08-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·罗伊 ,  W·舒斯特雷德 ,  R·K·乔希 ,  H-J·舒尔茨 ,  D·克拉斯诺忠

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45

Abstract: 本公开涉及一种用于在SiC衬底上制造接触的方法，其中方法包括：提供晶体SiC衬底；对SiC衬底的表面区域中的晶体结构进行修改，并且由此在表面区域中生成富碳的SiC部分；通过将金属性接触材料沉积到包括富碳的SiC部分的表面区域上来在SiC衬底上形成接触层；以及对SiC衬底的富碳的SiC部分的至少一部分和接触层的至少一部分进行热退火，由此生成至少包括金属性接触材料、硅和碳的三元金属性相部分。更进一步地，描述了SiC半导体器件，其包括：晶体SiC衬底；和接触层，其包括直接与SiC衬底表面接触的三元金属性相部分。

公开(公告)号：CN114188421A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111074092.4

申请日：2021-09-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔茨 ,  C·耶格 ,  M·杰里内克 ,  D·施洛格 ,  B·斯托伊布

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 提出功率半导体二极管，其包括具有沿垂直方向彼此相对的第一主表面和第二主表面的半导体本体。半导体二极管还包括第一导电类型的阳极区。功率半导体二极管还包括第二导电类型的漂移区。漂移区布置在阳极区与第二主表面之间。功率半导体二极管还包括第二导电类型的场阻止区。场阻止区布置在漂移区和第二主表面之间。场阻止区沿垂直方向的掺杂剂浓度分布包括最大峰。功率半导体二极管还包括第一导电类型的注入区。注入区布置在场阻止区和第二主表面之间。pn结形成在注入区和场阻止区之间。功率半导体二极管还包括第二导电类型的阴极接触区。阴极接触区布置在场阻止区和第二主表面之间。pn结和最大峰之间的第一垂直距离的范围是从200nm至1500nm。

公开(公告)号：CN113937160A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202110789572.2

申请日：2021-07-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔茨 ,  P·科勒-雷德利希 ,  T·拉斯卡 ,  F-J·尼德诺斯泰德 ,  V·范特里克

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331

Abstract: 公开了竖向功率半导体器件和制造方法。提出了一种竖向功率半导体器件(100)。竖向功率半导体器件(100)包括半导体本体(102)，半导体本体(102)包括半导体衬底(104)和在半导体衬底(104)上的半导体层(106)。半导体本体(102)具有第一主表面(1081)和沿着竖向方向(y)与第一主表面(1081)相对的第二主表面(1082)。竖向功率半导体器件(100)进一步包括在半导体本体(102)中的漂移区(110)。漂移区(110)的第一部分(1101)被布置在半导体衬底(104)中。漂移区(110)的第二部分(1102)被布置在半导体层(106)中。竖向功率半导体器件(100)进一步包括被布置在半导体衬底(104)中的场停止区(112)，其中场停止区(112)的沿着竖向方向(y)取平均的掺杂浓度大于漂移区(110)的沿着竖向方向(y)取平均的掺杂浓度。

公开(公告)号：CN112864005A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202011354484.1

申请日：2020-11-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·舒施特雷德 ,  A·布雷梅泽 ,  M·德拉吉奇 ,  T·F·W·赫希鲍尔 ,  W·莱纳特 ,  H-J·舒尔茨 ,  M·D·施沃博达

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/329

Abstract: 提出了用于处理半导体衬底(100)的方法。方法的示例包括通过将离子注入通过半导体衬底(100)的第一表面(102)而在半导体衬底(100)中形成腔体(104)。腔体(104)在半导体衬底(100)中限定分离层(106)。此后，在半导体衬底(100)的第一表面(102)上形成半导体层(108)。半导体器件元件被形成在半导体层(108)中。此后，沿着分离层(106)将半导体衬底(100)分离成包括半导体层(108)的第一衬底部分(1001)以及第二衬底部分(1002)。

公开(公告)号：CN119730355A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411342008.6

申请日：2024-09-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·普法芬莱纳 ,  A·比斯瓦斯 ,  M·科托罗格亚 ,  H-J·舒尔茨 ,  P·森格

IPC: H10D84/00 ,  H10D8/00 ,  H10D1/40 ,  H10D62/10 ,  H01C7/02

Abstract: 本公开涉及功率半导体器件和生产功率半导体器件的方法。功率半导体二极管包括：具有第一传导类型的漂移区域的半导体本体；第一负载端子，在半导体本体的第一侧处并耦合到第二传导类型的阳极区域，阳极区域布置在半导体本体中并耦合到漂移区域；第二负载端子，在半导体本体的第二侧处并耦合到掺杂区域的第一传导类型的阴极区域和第二传导类型的短路区域两者，掺杂区域布置在半导体本体中并耦合到漂移区域。二极管被配置为在第一和第二负载端子之间传导负载电流，其第一路径穿过阳极、漂移和阴极区域中的每一个，其第二路径穿过阳极、漂移和短路区域中的每一个。至少一个电阻元件在第二负载电流路径内布置在半导体本体外部，展现具有正温度系数的电阻。

公开(公告)号：CN118016722A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311494385.7

申请日：2023-11-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： B·斯托伊布 ,  H-J·舒尔茨 ,  M·穆勒 ,  D·施勒格尔 ,  M·耶利内克 ,  H·舒尔茨

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及包括有源二极管区域的半导体装置，其包括：半导体主体，具有沿着垂直方向彼此相对的第一表面和第二表面。半导体装置还包括有源二极管区域，其包括：p掺杂阳极区，在半导体主体的第一表面邻接；n掺杂漂移区，被布置在阳极区和第二表面之间；以及n掺杂阴极接触区，与第二表面邻接。有源二极管区域还包括：p掺杂注入区，与第二表面和阴极接触区邻接。有源二极管区域还包括：p掺杂辅助区，被布置在漂移区和阴极接触区之间。辅助区包括第一子区和第二子区。在顶视图中，第一子区覆盖注入区的至少一部分，并且第二子区覆盖阴极接触区的至少一部分；辅助区包括：多个开口，在第二表面覆盖有源二极管区域的表面面积的0.1％到20％。

公开(公告)号：CN116031150A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211326038.9

申请日：2022-10-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D·施洛格 ,  H-J·舒尔茨 ,  M·杰利内克 ,  F·J·桑托斯罗德里格斯

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/225

Abstract: 公开了包括离子注入的制造半导体器件的方法和半导体器件。提出了一种在具有第一表面(104)和第二表面(106)的半导体本体(102)中制造半导体器件的方法。方法包括通过第二表面(106)将质子(I1)注入到半导体本体(102)中。方法进一步包括通过第二表面(106)将离子(I2)注入到半导体本体(102)中。离子是具有至少为9的原子序数的非掺杂元素的离子。此后，方法进一步包括通过热退火对半导体本体(102)进行处理。

公开(公告)号：CN115832016A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211126608.X

申请日：2022-09-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·杰利内克 ,  P·埃林豪斯 ,  A·科尼格 ,  C·林德茨 ,  H-J·舒尔茨 ,  W·舒斯特雷德

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/04

Abstract: 一种方法包括相对于第一离子束将碳化硅层定向到第一晶体沟道方向，并且使用第一离子束将磷注入到碳化硅层中，以在碳化硅层中限定第一掺杂区。第一晶体沟道方向和第一离子束之间的偏离角小于±1°，并且第一晶体沟道方向包括 方向或 方向。

公开(公告)号：CN115692484A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210897696.7

申请日：2022-07-28

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·罗伊 ,  T·艾欣格 ,  H-J·舒尔茨

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 公开了具有铁电栅极堆叠的半导体器件。一种半导体器件，包括SiC衬底和形成在SiC衬底中并且并联电连接以形成晶体管的多个晶体管单元。每个晶体管单元包括栅极结构，栅极结构包括栅极电极和将栅极电极与SiC衬底分离开的栅极电介质堆叠。栅极电介质堆叠包括铁电绝缘体。晶体管具有特定的工作温度范围，并且铁电绝缘体被利用掺杂材料掺杂，使得铁电绝缘体的居里温度在高于晶体管的特定的工作温度范围的范围内。还描述了生产半导体器件的对应的方法。