碳化硅肖特基二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN112713199B

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN201911025571.X

    申请日:2019-10-25

    Abstract: 本公开提供一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法。该二极管包括:第一导电类型碳化硅衬底、位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层、位于所述漂移层上方的第二导电类型阻挡层和位于所述阻挡层上方的第一导电类型过渡层,所述过渡层包括用于设置所述肖特基二极管的结势垒区和位于所述结势垒区两侧的结终端保护区。本公开通过在SiC JBS漂移层上形成导电类型相反的碳化硅阻挡层,在不增加正向导通电阻的前提下,解决了SiC JBS反向漏电过大的问题,特别是反向偏压低电压时,肖特基反向漏电随电压增长而快速增大的问题。

    一种碳化硅金属污染处理方法

    公开(公告)号:CN108022827A

    公开(公告)日:2018-05-11

    申请号:CN201610950062.8

    申请日:2016-11-02

    Abstract: 本发明涉及一种碳化硅金属污染的处理方法,其包括:步骤A,采用清洗液对被金属污染的碳化硅晶圆进行预清洗处理;步骤B,通过电场作用对经预处理的碳化硅晶圆进行清洗处理;步骤C,对步骤B得到的碳化硅晶圆进行洗涤、干燥处理,制得经处理的碳化硅晶圆;以步骤A至步骤C为1次处理计,对被金属污染的碳化硅晶圆进行N次处理,直至第N次处理所得经处理的碳化硅晶圆表面的金属离子浓度小于5×1010cm‑2;其中,N为正整数;当N≥2时,将第N‑1次处理所得经处理的碳化硅晶圆作为第N次处理的被金属污染的碳化硅晶圆进行预清洗处理。本发明方法操作简单,所用清洗装置简单,能有效去除碳化硅晶圆表面的金属杂质,对所有种类的金属离子污染都具有普适性。

    碳化硅肖特基二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN112750896A

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN201911063121.X

    申请日:2019-10-31

    Abstract: 本公开提供一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法。该二极管包括:第一导电类型碳化硅衬底、位于衬底上方的第一导电类型漂移层漂移层和位于漂移层上方的超晶格层,所述超晶格层包括多个交替堆叠设置的第一导电类型掺杂层和第二导电类型掺杂层。该二极管还包括位于所述衬底下方并与所述衬底形成欧姆接触的阴极,和位于所述超晶格层上方并与所述超晶格层形成肖特基接触的阳极。本公开通过在SiC SBD阳极端半导体区形成超晶格层,使得在SiC SBD阳极施加负电压,二极管肖特基接触反偏时,超晶格层可以与漂移层形成PN结,通过PN结空间电荷区降低SiC SBD器件的反向漏电,解决了SiC SBD反向漏电过大的问题,提升了SiC SBD的性能。

    SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件

    公开(公告)号:CN112701151A

    公开(公告)日:2021-04-23

    申请号:CN201911013564.8

    申请日:2019-10-23

    Abstract: 本公开提供一种SiC MOSFET器件的制造方法及SiC MOSFET器件。该方法包括:提供SiC外延片,在所述SiC外延片表面沉积生长掩膜层;刻蚀所述掩膜层,在所述掩膜层上形成第一刻蚀槽;再次刻蚀所述掩膜层,在所述第一刻蚀槽内形成第二刻蚀槽;通过第一刻蚀槽和第二刻蚀槽构成的离子注入窗口,注入第一高能离子,形成阶梯状形貌的阱区;注入第二高能离子,形成源区。本公开通过阶梯状形貌的离子注入窗口,来实现自对准工艺,可以非常精确的实现对沟道长度和位置的控制,工艺简单稳定。同时,形成阶梯状形貌的P阱区,扩展了两个P阱区之间的JFET区,增大了JFET区电流横向输出路径,进一步提升器件大电流密度输出能力。

    一种电阻芯片的制造方法及光掩膜版

    公开(公告)号:CN111223755A

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN201811406017.1

    申请日:2018-11-23

    Abstract: 本发明属于半导体工艺技术领域,具体公开了一种电阻芯片的制造方法及光掩膜版。该方法包括步骤:提供半导体衬底;基于预选的刻蚀图案,逐个光刻每一个电阻芯片单元保护层上的掩膜层,以将预选的刻蚀图案逐个地转移至对应的掩膜层;以及基于光刻后的掩膜层对保护层进行刻蚀,以暴露电阻薄层,所暴露的电阻薄层区域具有预选的刻蚀图案,刻蚀图案的尺寸定义电阻芯片单元的实际电阻。本发明能够保障半导体器件电学性能参数的一致性,确保同一生产批次,以及不同生产批次的半导体器件,都能具有相同的电学性能参数。

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