公开(公告)号：CN109873026A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201711267995.8

申请日：2017-12-05

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘东 ,  周正东 ,  吴佳 ,  王弋宇 ,  张文杰 ,  史晶晶 ,  李诚瞻

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/861 ,  H01L21/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种具有沟槽电极结构的碳化硅二极管及其制造方法。所述具有沟槽电极结构的碳化硅二极管包括衬底层和欧姆接触金属层。衬底层的第一表面设置有多个沟槽，沟槽的底部与所述衬底层的第二表面的距离大于预设距离。欧姆接触金属层设置于每个所述沟槽的侧壁和底部以及衬底层的第一表面未设置沟槽的部分上，并与每个所述沟槽的侧壁和底部以及所述衬底层的第一表面未设置沟槽的部分之间形成欧姆接触。采用本发明可以无需对衬底层进行减薄，同时显著地降低了整个衬底层的电阻，从而使得碳化硅二极管导通电阻降低，电流密度上升。

公开(公告)号：CN109841505A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201711222270.7

申请日：2017-11-29

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王弋宇 ,  吴佳 ,  周正东 ,  张文杰 ,  刘东 ,  杨程 ,  史晶晶 ,  李诚瞻 ,  吴煜东

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种提升碳化硅高能离子注入厚掩膜陡直性的方法，其包括如下步骤：S1，清洗碳化硅材料表面；S2，在碳化硅材料表面沉积足以阻挡高能高温离子注入的第一层离子注入厚掩膜；S3，在第一层离子注入厚掩膜表面匀光刻胶，采用光刻显影技术显影出选择性离子注入区域窗口；S4，从选择性离子注入区域窗口对第一层离子注入厚掩膜进行刻蚀直至碳化硅材料表面；S5，去除光刻胶；S6，沉积第二层离子注入薄掩膜；S7，对第二层离子注入薄掩膜进行整面刻蚀，得到侧壁光滑、陡直的离子注入厚掩膜。本发明可以显著提升离子注入厚掩膜的陡直性，并简化离子注入掩膜制备工艺和去除工艺。