公开(公告)号：CN107785270A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201610786019.2

申请日：2016-08-31

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王弋宇 ,  李诚瞻 ,  吴佳 ,  史晶晶 ,  高云斌 ,  陈喜明 ,  赵艳黎 ,  吴煜东 ,  刘可安

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/223

Abstract: 本发明提供了一种MOSFET器件氮化方法，包括使用含氮气气体对所述MOSFET器件进行氮化处理，优选所述氮化处理在1200-1500℃，优选1250-1450℃的温度下进行。根据本发明提供的功率器件氮化方法，通过在器件的氧化过程和/或氧化后在高温下采用氮气进行氮化，简化了氮化钝化气体体系，避免栅介质可靠性和击穿电场强度的降低，避免了氮化气体产生的潜在毒性和毒气泄漏风险，简化了尾气处理系统。

公开(公告)号：CN109841505A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201711222270.7

申请日：2017-11-29

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王弋宇 ,  吴佳 ,  周正东 ,  张文杰 ,  刘东 ,  杨程 ,  史晶晶 ,  李诚瞻 ,  吴煜东

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种提升碳化硅高能离子注入厚掩膜陡直性的方法，其包括如下步骤：S1，清洗碳化硅材料表面；S2，在碳化硅材料表面沉积足以阻挡高能高温离子注入的第一层离子注入厚掩膜；S3，在第一层离子注入厚掩膜表面匀光刻胶，采用光刻显影技术显影出选择性离子注入区域窗口；S4，从选择性离子注入区域窗口对第一层离子注入厚掩膜进行刻蚀直至碳化硅材料表面；S5，去除光刻胶；S6，沉积第二层离子注入薄掩膜；S7，对第二层离子注入薄掩膜进行整面刻蚀，得到侧壁光滑、陡直的离子注入厚掩膜。本发明可以显著提升离子注入厚掩膜的陡直性，并简化离子注入掩膜制备工艺和去除工艺。

公开(公告)号：CN109873026A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201711267995.8

申请日：2017-12-05

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘东 ,  周正东 ,  吴佳 ,  王弋宇 ,  张文杰 ,  史晶晶 ,  李诚瞻

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/861 ,  H01L21/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种具有沟槽电极结构的碳化硅二极管及其制造方法。所述具有沟槽电极结构的碳化硅二极管包括衬底层和欧姆接触金属层。衬底层的第一表面设置有多个沟槽，沟槽的底部与所述衬底层的第二表面的距离大于预设距离。欧姆接触金属层设置于每个所述沟槽的侧壁和底部以及衬底层的第一表面未设置沟槽的部分上，并与每个所述沟槽的侧壁和底部以及所述衬底层的第一表面未设置沟槽的部分之间形成欧姆接触。采用本发明可以无需对衬底层进行减薄，同时显著地降低了整个衬底层的电阻，从而使得碳化硅二极管导通电阻降低，电流密度上升。

公开(公告)号：CN109686797A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201710980467.0

申请日：2017-10-19

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 李诚瞻 ,  吴煜东 ,  戴小平 ,  史晶晶 ,  王弋宇

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法。所述碳化硅肖特基二极管包括复合肖特基接触结构，所述复合肖特基接触结构包括碳化硅外延层、肖特基金属层以及设置在所述碳化硅外延层与肖特基金属层之间的石墨烯层，所述石墨烯层用以阻挡所述碳化硅外延层的碳化硅原子和所述肖特基金属层的金属原子之间互相渗透，从而减小所述复合肖特基接触结构的漏电流。

公开(公告)号：CN108074800A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201611021916.0

申请日：2016-11-16

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  高云斌 ,  陈喜明 ,  史晶晶 ,  吴佳 ,  王弋宇 ,  杨鑫著 ,  刘国友

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体基材沟槽栅蚀刻方法。该方法包括以下步骤：步骤一：在半导体基材的表面上设置第一掩膜，并且在第一掩膜上形成暴露半导体基材的窗口区；步骤二：通过窗口区对半导体基材进行第一次蚀刻并形成第一沟槽，第一沟槽的底壁通过弧面与侧壁相连，弧面与所述底壁和侧壁相切并且背向底壁延伸；步骤三：除去半导体基材上的第一掩膜，并且在第一沟槽的底壁上形成第二掩膜，相邻的第一沟槽之间为半导体基材的暴露部分；步骤四：在第二掩膜的保护下，进行第二次蚀刻以蚀刻半导体基材的暴露部分并形成第二沟槽，第二沟槽的深度大于第一沟槽的深度，并且第一沟槽的弧面形成为第二沟槽的侧壁的顶部边缘。

公开(公告)号：CN108074800B

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201611021916.0

申请日：2016-11-16

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  高云斌 ,  陈喜明 ,  史晶晶 ,  吴佳 ,  王弋宇 ,  杨鑫著 ,  刘国友

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体基材沟槽栅蚀刻方法。该方法包括以下步骤：步骤一：在半导体基材的表面上设置第一掩膜，并且在第一掩膜上形成暴露半导体基材的窗口区；步骤二：通过窗口区对半导体基材进行第一次蚀刻并形成第一沟槽，第一沟槽的的底壁通过弧面与侧壁相连，弧面与所述底壁和侧壁相切并且背向底壁延伸；步骤三：除去半导体基材上的第一掩膜，并且在第一沟槽的底壁上形成第二掩膜，相邻的第一沟槽之间为半导体基材的暴露部分；步骤四：在第二掩膜的保护下，进行第二次蚀刻以蚀刻半导体基材的暴露部分并形成第二沟槽，第二沟槽的深度大于第一沟槽的深度，并且第一沟槽的弧面形成为第二沟槽的侧壁的顶部边缘。