公开(公告)号：CN111128717A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201811273390.4

申请日：2018-10-30

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 郑昌伟 ,  龚芷玉 ,  张文杰 ,  赵艳黎 ,  李诚瞻 ,  戴小平

IPC: H01L21/308 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅沟槽结构的制造方法，包括如下步骤，在碳化硅晶圆表面上生长第一刻蚀掩膜层；在碳化硅晶圆待制作沟槽区域的上方形成光刻胶；生长覆盖第一刻蚀掩膜层和光刻胶的第二刻蚀掩膜层；去除位于光刻胶上的部分第二刻蚀掩膜层和光刻胶，并形成第二刻蚀掩膜层的沟槽刻蚀窗口；利用带有沟槽刻蚀窗口的第二刻蚀掩膜层对第一刻蚀掩膜层进行刻蚀，形成第一刻蚀掩膜层的沟槽刻蚀窗口；分别以带有沟槽刻蚀窗口的第一、二刻蚀掩膜层为掩膜进行初步刻蚀和二次刻蚀，以形成目标沟槽。本发明实现了高深宽比、侧壁垂直且底部圆滑的碳化硅沟槽结构的制造，同时还实现了高速率刻蚀。

公开(公告)号：CN111223755A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201811406017.1

申请日：2018-11-23

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘坤 ,  郑昌伟 ,  陈喜明 ,  赵艳黎 ,  周正东 ,  周维 ,  龚芷玉 ,  张文杰 ,  刘锐鸣 ,  李诚瞻

IPC: H01L21/02 ,  G03F1/62

Abstract: 本发明属于半导体工艺技术领域，具体公开了一种电阻芯片的制造方法及光掩膜版。该方法包括步骤：提供半导体衬底；基于预选的刻蚀图案，逐个光刻每一个电阻芯片单元保护层上的掩膜层，以将预选的刻蚀图案逐个地转移至对应的掩膜层；以及基于光刻后的掩膜层对保护层进行刻蚀，以暴露电阻薄层，所暴露的电阻薄层区域具有预选的刻蚀图案，刻蚀图案的尺寸定义电阻芯片单元的实际电阻。本发明能够保障半导体器件电学性能参数的一致性，确保同一生产批次，以及不同生产批次的半导体器件，都能具有相同的电学性能参数。

公开(公告)号：CN109873026A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201711267995.8

申请日：2017-12-05

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘东 ,  周正东 ,  吴佳 ,  王弋宇 ,  张文杰 ,  史晶晶 ,  李诚瞻

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L29/861 ,  H01L21/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种具有沟槽电极结构的碳化硅二极管及其制造方法。所述具有沟槽电极结构的碳化硅二极管包括衬底层和欧姆接触金属层。衬底层的第一表面设置有多个沟槽，沟槽的底部与所述衬底层的第二表面的距离大于预设距离。欧姆接触金属层设置于每个所述沟槽的侧壁和底部以及衬底层的第一表面未设置沟槽的部分上，并与每个所述沟槽的侧壁和底部以及所述衬底层的第一表面未设置沟槽的部分之间形成欧姆接触。采用本发明可以无需对衬底层进行减薄，同时显著地降低了整个衬底层的电阻，从而使得碳化硅二极管导通电阻降低，电流密度上升。

公开(公告)号：CN110957214A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201811121879.X

申请日：2018-09-26

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘坤 ,  赵艳黎 ,  陈喜明 ,  周正东 ,  郑昌伟 ,  龚芷玉 ,  张文杰 ,  刘锐鸣 ,  李诚瞻

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明提供了一种沟槽及其蚀刻方法，上述沟槽形成在SiC衬底中，上述刻蚀方法包括：提供SiC材质衬底，在衬底表面形成硬掩膜层；在硬掩膜层表面形成光刻胶；图案化光刻胶，干法刻蚀硬掩膜层以在硬掩膜层上形成沟槽图案；以及去除光刻胶，经由硬掩膜层上的沟槽图案干法刻蚀衬底，以在衬底中形成沟槽；其中，采用特殊的刻蚀气体组合，化学腐蚀与物理轰击相结合的方法刻蚀SiC衬底材料，且刻蚀衬底所采用的组合气体的气体流量大于刻蚀硬掩膜层所采用的气体流量，刻蚀衬底所设定的射频源功率和偏压功率均大于刻蚀硬掩膜层所设定的射频源功率和偏压功率。根据本发明所提供的蚀刻方法所刻蚀的沟槽底部和顶角圆滑，侧壁陡直，能够满足后续器件的电学特性要求。

公开(公告)号：CN109841505A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201711222270.7

申请日：2017-11-29

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王弋宇 ,  吴佳 ,  周正东 ,  张文杰 ,  刘东 ,  杨程 ,  史晶晶 ,  李诚瞻 ,  吴煜东

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种提升碳化硅高能离子注入厚掩膜陡直性的方法，其包括如下步骤：S1，清洗碳化硅材料表面；S2，在碳化硅材料表面沉积足以阻挡高能高温离子注入的第一层离子注入厚掩膜；S3，在第一层离子注入厚掩膜表面匀光刻胶，采用光刻显影技术显影出选择性离子注入区域窗口；S4，从选择性离子注入区域窗口对第一层离子注入厚掩膜进行刻蚀直至碳化硅材料表面；S5，去除光刻胶；S6，沉积第二层离子注入薄掩膜；S7，对第二层离子注入薄掩膜进行整面刻蚀，得到侧壁光滑、陡直的离子注入厚掩膜。本发明可以显著提升离子注入厚掩膜的陡直性，并简化离子注入掩膜制备工艺和去除工艺。