公开(公告)号：CN110957214A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201811121879.X

申请日：2018-09-26

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘坤 ,  赵艳黎 ,  陈喜明 ,  周正东 ,  郑昌伟 ,  龚芷玉 ,  张文杰 ,  刘锐鸣 ,  李诚瞻

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明提供了一种沟槽及其蚀刻方法，上述沟槽形成在SiC衬底中，上述刻蚀方法包括：提供SiC材质衬底，在衬底表面形成硬掩膜层；在硬掩膜层表面形成光刻胶；图案化光刻胶，干法刻蚀硬掩膜层以在硬掩膜层上形成沟槽图案；以及去除光刻胶，经由硬掩膜层上的沟槽图案干法刻蚀衬底，以在衬底中形成沟槽；其中，采用特殊的刻蚀气体组合，化学腐蚀与物理轰击相结合的方法刻蚀SiC衬底材料，且刻蚀衬底所采用的组合气体的气体流量大于刻蚀硬掩膜层所采用的气体流量，刻蚀衬底所设定的射频源功率和偏压功率均大于刻蚀硬掩膜层所设定的射频源功率和偏压功率。根据本发明所提供的蚀刻方法所刻蚀的沟槽底部和顶角圆滑，侧壁陡直，能够满足后续器件的电学特性要求。

公开(公告)号：CN109514354A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201710852669.7

申请日：2017-09-19

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘锐鸣 ,  唐革 ,  操国宏 ,  颜骥 ,  王东东 ,  刘月雷 ,  王政英 ,  邹昌

IPC: B24B1/00

CPC classification number: B24B1/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片台面的加工方法，包括：根据磨轮转速及磨料的硬度及颗粒大小确定磨轮的最大磨削速度x；根据公式1)v12+v22≤x2，其中，v2为芯片与所述磨轮的接近速度，v1为芯片自转线速度，使得芯片以螺旋曲线轨迹进行磨削。应用本发明公开的半导体芯片的台面加工方法，芯片的径向磨削和切向磨削同时进行，使得芯片以螺旋曲线轨迹磨削，芯片所受应力受控，从而避免芯片与磨轮接近或芯片自旋转过程中产生严重的磨削损伤，保证芯片的高压阻断特性。

公开(公告)号：CN109427581A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710765588.3

申请日：2017-08-30

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王东东 ,  王政英 ,  刘锐鸣 ,  刘芹 ,  朱为为 ,  唐革 ,  姚震洋 ,  高军 ,  邹昌

IPC: H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种大功率整流管芯的制造方法，包括：铝杂质扩散步骤、第一化学腐蚀步骤、第一氧化步骤、第二化学腐蚀步骤、磷杂质扩散步骤、第二氧化步骤、第三化学腐蚀步骤和硼杂质扩散步骤。在第一化学腐蚀步骤中，对通过铝杂质扩散步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的铝杂质并保留阳极面的铝杂质。在第二化学腐蚀步骤中，对通过第一氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的氧化层并保留阳极面的氧化层。在第三化学腐蚀步骤中，对通过第二氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阳极面的氧化层并保留阴极面的氧化层。采用本发明可缩短三天的工艺时间，节省大量人力物力，降低环境污染，避免光刻胶脱落对芯片质量的影响。

公开(公告)号：CN111223755A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201811406017.1

申请日：2018-11-23

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘坤 ,  郑昌伟 ,  陈喜明 ,  赵艳黎 ,  周正东 ,  周维 ,  龚芷玉 ,  张文杰 ,  刘锐鸣 ,  李诚瞻

IPC: H01L21/02 ,  G03F1/62

Abstract: 本发明属于半导体工艺技术领域，具体公开了一种电阻芯片的制造方法及光掩膜版。该方法包括步骤：提供半导体衬底；基于预选的刻蚀图案，逐个光刻每一个电阻芯片单元保护层上的掩膜层，以将预选的刻蚀图案逐个地转移至对应的掩膜层；以及基于光刻后的掩膜层对保护层进行刻蚀，以暴露电阻薄层，所暴露的电阻薄层区域具有预选的刻蚀图案，刻蚀图案的尺寸定义电阻芯片单元的实际电阻。本发明能够保障半导体器件电学性能参数的一致性，确保同一生产批次，以及不同生产批次的半导体器件，都能具有相同的电学性能参数。

公开(公告)号：CN107527833A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201610449977.0

申请日：2016-06-21

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王政英 ,  邹昌 ,  王东东 ,  唐革 ,  操国宏 ,  邹湘博 ,  邹冰艳 ,  朱为为 ,  刘锐鸣 ,  姚震洋

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6715

Abstract: 本发明提供一种半导体芯片涂胶方法、装置及设备，其中，方法包括：步骤将半导体芯片水平固定在旋转电机上；将出胶口移至半导体芯片的涂胶部位；启动旋转电机，使半导体芯片随旋转电机以第一预设旋转速度旋转；控制出胶口出胶预设时间，使胶水覆盖在半导体芯片的涂胶部位。上述方法通过定量控制出胶口的出胶时间和旋转电机的第一预设旋转速度，来控制涂覆在半导体芯片上的胶层厚度，使涂覆的胶层厚度均匀，没有气泡，且不会出现笔毛及刷毛脱落在胶层中的现象，由于整个涂胶过程采用全自动控制，提高了工作效率，同时提高了半导体芯片的涂胶质量。