公开(公告)号：CN112951707A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201911268765.2

申请日：2019-12-11

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王东东 ,  王政英 ,  姚震洋 ,  高军 ,  银登杰 ,  郭润庆 ,  刘军

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种薄膜及其制备方法和应用。该薄膜包括衬底以及沉积于所述衬底表面的具有图形化的DLC层。本发明的薄膜可以具有高精度、复杂化的DLC图形，且能够大规模化生产。

公开(公告)号：CN109494206A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201710816587.7

申请日：2017-09-12

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 朱为为 ,  刘芹 ,  谢腾飞 ,  唐革 ,  操国宏 ,  颜骥 ,  王政英 ,  姚震洋

IPC: H01L23/48 ,  H01L29/74

CPC classification number: H01L29/74 ,  H01L23/481

Abstract: 本发明公开了一种晶闸管，包括自上至下依次设置的管盖、上钼片、芯片、下钼片和管座，所述管盖上与所述上钼片接触的一侧设有用于引出门极线的预设路径，所述预设路径包括预设段长的第一引出孔，所述预设路径的其他段设有第二引出孔或引出槽。应用本发明公开的晶闸管，通过在管盖上设置第一引出孔将门极线引出，以防止上钼片旋转对门极线进行拉扯而影响晶闸管门极的导通，且在封装过程中，降低门极组装难度，且保证上钼片与芯片的直接接触，保证装置的散热。

公开(公告)号：CN109698234A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201710990256.5

申请日：2017-10-23

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 高军 ,  姚震洋 ,  操国宏 ,  唐革 ,  朱为为 ,  刘芹 ,  王东东

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及晶闸管及其制造方法。该晶闸管包括芯片，所述芯片包括板状的芯片主体，所述芯片主体构造有工作表面，所述芯片还包括从所述工作表面向外凸出的第一电极凸起和第二电极凸起，所述第一电极凸起和所述第二电极凸起相互间隔开，在所述第一电极凸起和所述第二电极凸起之间形成间隔空间。通过这种晶闸管能有效地确保电极之间的绝缘性。

公开(公告)号：CN107527833A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201610449977.0

申请日：2016-06-21

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王政英 ,  邹昌 ,  王东东 ,  唐革 ,  操国宏 ,  邹湘博 ,  邹冰艳 ,  朱为为 ,  刘锐鸣 ,  姚震洋

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6715

Abstract: 本发明提供一种半导体芯片涂胶方法、装置及设备，其中，方法包括：步骤将半导体芯片水平固定在旋转电机上；将出胶口移至半导体芯片的涂胶部位；启动旋转电机，使半导体芯片随旋转电机以第一预设旋转速度旋转；控制出胶口出胶预设时间，使胶水覆盖在半导体芯片的涂胶部位。上述方法通过定量控制出胶口的出胶时间和旋转电机的第一预设旋转速度，来控制涂覆在半导体芯片上的胶层厚度，使涂覆的胶层厚度均匀，没有气泡，且不会出现笔毛及刷毛脱落在胶层中的现象，由于整个涂胶过程采用全自动控制，提高了工作效率，同时提高了半导体芯片的涂胶质量。

公开(公告)号：CN112802896B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201911109074.8

申请日：2019-11-13

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王政英 ,  姚震洋 ,  朱为为 ,  李勇 ,  操国宏 ,  王东东 ,  郭润庆 ,  王亚飞 ,  张西应 ,  高军 ,  银登杰

IPC: H01L29/747 ,  H01L21/332 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种双向晶闸管及其制造方法，所述双向晶闸管包括：硅单晶，所述硅单晶被隔离区分割为第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域之间通过隔离区隔离；主晶闸管，位于所述第一区域，包括第一阴极、第一门极和第一阳极，所述第一阴极和所述第一门极位于所述第一区域的上表面，所述第一阳极位于所述第一区域的下表面；集成BOD晶闸管，位于所述第二区域，包括第二阴极和第二阳极，所述第二阳极位于所述第二区域的上表面，所述第二阴极位于所述第二区域的下表面。本发明的主晶闸管和集成BOD晶闸管集成在一片芯片上，二者之间通过隔离区间隔开，其中过压保护功能通过集成BOD晶闸管实现，该集成BOD晶闸管的转折电压通过挖槽尺寸进行控制。

公开(公告)号：CN112802896A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201911109074.8

申请日：2019-11-13

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王政英 ,  姚震洋 ,  朱为为 ,  李勇 ,  操国宏 ,  王东东 ,  郭润庆 ,  王亚飞 ,  张西应 ,  高军 ,  银登杰

IPC: H01L29/747 ,  H01L21/332 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种双向晶闸管及其制造方法，所述双向晶闸管包括：硅单晶，所述硅单晶被隔离区分割为第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域之间通过隔离区隔离；主晶闸管，位于所述第一区域，包括第一阴极、第一门极和第一阳极，所述第一阴极和所述第一门极位于所述第一区域的上表面，所述第一阳极位于所述第一区域的下表面；集成BOD晶闸管，位于所述第二区域，包括第二阴极和第二阳极，所述第二阳极位于所述第二区域的上表面，所述第二阴极位于所述第二区域的下表面。本发明的主晶闸管和集成BOD晶闸管集成在一片芯片上，二者之间通过隔离区间隔开，其中过压保护功能通过集成BOD晶闸管实现，该集成BOD晶闸管的转折电压通过挖槽尺寸进行控制。

公开(公告)号：CN109427581A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710765588.3

申请日：2017-08-30

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王东东 ,  王政英 ,  刘锐鸣 ,  刘芹 ,  朱为为 ,  唐革 ,  姚震洋 ,  高军 ,  邹昌

IPC: H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种大功率整流管芯的制造方法，包括：铝杂质扩散步骤、第一化学腐蚀步骤、第一氧化步骤、第二化学腐蚀步骤、磷杂质扩散步骤、第二氧化步骤、第三化学腐蚀步骤和硼杂质扩散步骤。在第一化学腐蚀步骤中，对通过铝杂质扩散步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的铝杂质并保留阳极面的铝杂质。在第二化学腐蚀步骤中，对通过第一氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的氧化层并保留阳极面的氧化层。在第三化学腐蚀步骤中，对通过第二氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阳极面的氧化层并保留阴极面的氧化层。采用本发明可缩短三天的工艺时间，节省大量人力物力，降低环境污染，避免光刻胶脱落对芯片质量的影响。