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公开(公告)号：CN108950487A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710378910.7
申请日：2017-05-25
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: C23C14/30 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片电子束蒸发装置及其安装方法，用于将芯片安装至行星盘上，装置包括：用于安装芯片的盖板和挡环，挡环中部设置有挡环通孔，并包括沿芯片厚度方向形成的内卡环和外卡环。外卡环安装于行星盘的行星盘卡口中，盖板设置于内卡环的上方，芯片通过盖板安装于内卡环中。芯片设置有硅片的一面朝向蒸发源材料。依次将芯片、盖板放入挡环内，芯片设置有硅片的一面朝下，然后再将芯片、盖板和挡环整体放入行星盘的行星盘卡口内。本发明能够解决半导体芯片烧结后烧偏芯片不能进行蒸发工艺，以及蒸发完成后芯片与挡环因热胀冷缩而卡环造成芯片报废的技术问题。
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公开(公告)号：CN111599664A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910130103.2
申请日：2019-02-21
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/673
Abstract: 本发明公开了一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法，硅片承载装置包括：第一体，其具有第一内壁，第一内壁上沿轴向设置有两个平台并且在两个平台之间沿径向设置有容纳硅片的多个第一容纳槽；以及第二体，其包括两个侧壁以及将两个侧壁固连的连接体，两个侧壁的内侧面上沿径向设置有容纳硅片的多个与第一容纳槽对应的第二容纳槽；当第二体嵌入第一体内时，由第一容纳槽的槽底和槽顶以及第二容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与硅片的外轮廓匹配，两个侧壁能分别在两个平台上滑动以使对应的第一容纳槽和第二容纳槽错开预定距离。本发明不需要进行对称扩散掺杂和对称扩散掺杂的硅片进行机械去除或化学去除，能简化非对称扩散掺杂的工序，提高效率。
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公开(公告)号：CN108950487B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201710378910.7
申请日：2017-05-25
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: C23C14/30 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片电子束蒸发装置及其安装方法，用于将芯片安装至行星盘上，装置包括：用于安装芯片的盖板和挡环，挡环中部设置有挡环通孔，并包括沿芯片厚度方向形成的内卡环和外卡环。外卡环安装于行星盘的行星盘卡口中，盖板设置于内卡环的上方，芯片通过盖板安装于内卡环中。芯片设置有硅片的一面朝向蒸发源材料。依次将芯片、盖板放入挡环内，芯片设置有硅片的一面朝下，然后再将芯片、盖板和挡环整体放入行星盘的行星盘卡口内。本发明能够解决半导体芯片烧结后烧偏芯片不能进行蒸发工艺，以及蒸发完成后芯片与挡环因热胀冷缩而卡环造成芯片报废的技术问题。
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公开(公告)号：CN109119352A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201710498176.8
申请日：2017-06-26
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种管芯参数测试方法、适配装置及该装置的安装方法，装置包括：阴极适配器和阳极适配器，管芯设置于阴极适配器与阳极适配器之间。阴极适配器包括阴极垫板、阴极块和门极件，阴极垫板、阴极块采用导电材料。阴极垫板设置有与管芯的门极图形对应的阴极垫板槽。门极件设置于阴极垫板槽中，并在测试时与管芯的门极相连。阴极垫板的一面与管芯的阴极相装配，另一面与阴极块相装配。阳极适配器进一步包括阳极块，及用于固定管芯的定位圈，阳极块采用导电材料，定位圈设置于阳极块的一面。阳极块设置有定位圈的一面在管芯测试时与管芯的阳极相装配。本发明能够解决传统管芯测试适配器需逐片装放与拆卸，测试效率和准确性不高的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107544009A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201610482846.2
申请日：2016-06-28
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供一种晶闸管电流波形测试装置及方法，其中装置包括：连接有示波器的电流探头、第一开关、第一可调直流电源和第一电阻器，其中，第一开关、第一可调直流电源和第一电阻器依次连接组成第一串联电路，电流探头设置在第一串联电路上；还包括依次连接的第二开关、第二电阻器和第二可调直流电源。本发明提供的晶闸管电流波形测试装置及方法，通过测量低电压条件下晶闸管开通关断动态电流波形，并通过示波器显示，使检测人员能直观分辨出晶闸管电流波形是否存在电流波形跳变现象，从而筛选出那些低电压条件下门极特性不佳的器件，提高晶闸管工作可靠性。
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公开(公告)号：CN106501700A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610940026.3
申请日：2016-11-01
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种器件压力测试工具，包括上压块、下压块和用于驱动所述上压块与所述下压块沿竖直方向相向移动的驱动装置，还包括下侧面与所述下压块的上表面接触时能够电导通的滑板，所述滑板的上侧面具有用于放置器件的放置台面，且所述滑板能够相对所述下压块横向移动以能够带动器件从放置位置至测试位置。在该器件压力测试工具中，因为设置了滑板，可以避免人手将器件伸进去，继而保证安全。同时因为器件是在放置位置放置在放置台面上，其中放置位置的空间比测试位置的空间大，能够比较精准的放置，避免放置台面与器件相对摩擦，所以该器件压力测试工具能够有效地解决测试工具使用中存在安全隐患且容易造成器件损伤的问题。
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公开(公告)号：CN112802896B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201911109074.8
申请日：2019-11-13
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/747 , H01L21/332 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种双向晶闸管及其制造方法，所述双向晶闸管包括：硅单晶，所述硅单晶被隔离区分割为第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域之间通过隔离区隔离；主晶闸管，位于所述第一区域，包括第一阴极、第一门极和第一阳极，所述第一阴极和所述第一门极位于所述第一区域的上表面，所述第一阳极位于所述第一区域的下表面；集成BOD晶闸管，位于所述第二区域，包括第二阴极和第二阳极，所述第二阳极位于所述第二区域的上表面，所述第二阴极位于所述第二区域的下表面。本发明的主晶闸管和集成BOD晶闸管集成在一片芯片上，二者之间通过隔离区间隔开，其中过压保护功能通过集成BOD晶闸管实现，该集成BOD晶闸管的转折电压通过挖槽尺寸进行控制。
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公开(公告)号：CN112802896A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201911109074.8
申请日：2019-11-13
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/747 , H01L21/332 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种双向晶闸管及其制造方法，所述双向晶闸管包括：硅单晶，所述硅单晶被隔离区分割为第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域之间通过隔离区隔离；主晶闸管，位于所述第一区域，包括第一阴极、第一门极和第一阳极，所述第一阴极和所述第一门极位于所述第一区域的上表面，所述第一阳极位于所述第一区域的下表面；集成BOD晶闸管，位于所述第二区域，包括第二阴极和第二阳极，所述第二阳极位于所述第二区域的上表面，所述第二阴极位于所述第二区域的下表面。本发明的主晶闸管和集成BOD晶闸管集成在一片芯片上，二者之间通过隔离区间隔开，其中过压保护功能通过集成BOD晶闸管实现，该集成BOD晶闸管的转折电压通过挖槽尺寸进行控制。
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公开(公告)号：CN106501700B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201610940026.3
申请日：2016-11-01
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种器件压力测试工具，包括上压块、下压块和用于驱动所述上压块与所述下压块沿竖直方向相向移动的驱动装置，还包括下侧面与所述下压块的上表面接触时能够电导通的滑板，所述滑板的上侧面具有用于放置器件的放置台面，且所述滑板能够相对所述下压块横向移动以能够带动器件从放置位置至测试位置。在该器件压力测试工具中，因为设置了滑板，可以避免人手将器件伸进去，继而保证安全。同时因为器件是在放置位置放置在放置台面上，其中放置位置的空间比测试位置的空间大，能够比较精准的放置，避免放置台面与器件相对摩擦，所以该器件压力测试工具能够有效地解决测试工具使用中存在安全隐患且容易造成器件损伤的问题。
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