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公开(公告)号：CN111106071A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811261306.7
申请日：2018-10-26
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/057 , H01L21/52
Abstract: 本发明提出了一种适用于紧凑型高功率模块的晶闸管及其制备方法，本发明的晶闸管包括依次连接的晶闸管管盖、晶闸管芯片及晶闸管管座，所述晶闸管的门极信号从位于晶闸管管盖的阴极电极轴向或与轴向平行的方向引出。本发明的晶闸管的门极信号从阴极电极轴向或与轴向平行的方向引出，在具备传统晶闸管元件强度高、气密性好、耐高压、绝缘性能好的优点的同时，门极采用插接方式，在使用过程中无需再焊接门极引线。
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公开(公告)号：CN111106069A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811259684.1
申请日：2018-10-26
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管管壳，其包括彼此连接的晶闸管管盖和晶闸管管座，晶闸管的门极信号沿所述晶闸管管盖包括的阴极电极的轴向或与该轴向平行的方向引出。应用本发明的晶闸管管壳，晶闸管的门极信号沿阴极电极的轴向或与该轴向平行的方向引出，而并非从位于阳极管座周向侧的瓷环引出，使得晶闸管能够应用于紧凑型高功率模块，大大拓宽了晶闸管的应用范围。
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公开(公告)号：CN108950487B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201710378910.7
申请日：2017-05-25
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: C23C14/30 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片电子束蒸发装置及其安装方法，用于将芯片安装至行星盘上，装置包括：用于安装芯片的盖板和挡环，挡环中部设置有挡环通孔，并包括沿芯片厚度方向形成的内卡环和外卡环。外卡环安装于行星盘的行星盘卡口中，盖板设置于内卡环的上方，芯片通过盖板安装于内卡环中。芯片设置有硅片的一面朝向蒸发源材料。依次将芯片、盖板放入挡环内，芯片设置有硅片的一面朝下，然后再将芯片、盖板和挡环整体放入行星盘的行星盘卡口内。本发明能够解决半导体芯片烧结后烧偏芯片不能进行蒸发工艺，以及蒸发完成后芯片与挡环因热胀冷缩而卡环造成芯片报废的技术问题。
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公开(公告)号：CN109119352A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201710498176.8
申请日：2017-06-26
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种管芯参数测试方法、适配装置及该装置的安装方法，装置包括：阴极适配器和阳极适配器，管芯设置于阴极适配器与阳极适配器之间。阴极适配器包括阴极垫板、阴极块和门极件，阴极垫板、阴极块采用导电材料。阴极垫板设置有与管芯的门极图形对应的阴极垫板槽。门极件设置于阴极垫板槽中，并在测试时与管芯的门极相连。阴极垫板的一面与管芯的阴极相装配，另一面与阴极块相装配。阳极适配器进一步包括阳极块，及用于固定管芯的定位圈，阳极块采用导电材料，定位圈设置于阳极块的一面。阳极块设置有定位圈的一面在管芯测试时与管芯的阳极相装配。本发明能够解决传统管芯测试适配器需逐片装放与拆卸，测试效率和准确性不高的技术问题。
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公开(公告)号：CN108950487A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710378910.7
申请日：2017-05-25
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: C23C14/30 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片电子束蒸发装置及其安装方法，用于将芯片安装至行星盘上，装置包括：用于安装芯片的盖板和挡环，挡环中部设置有挡环通孔，并包括沿芯片厚度方向形成的内卡环和外卡环。外卡环安装于行星盘的行星盘卡口中，盖板设置于内卡环的上方，芯片通过盖板安装于内卡环中。芯片设置有硅片的一面朝向蒸发源材料。依次将芯片、盖板放入挡环内，芯片设置有硅片的一面朝下，然后再将芯片、盖板和挡环整体放入行星盘的行星盘卡口内。本发明能够解决半导体芯片烧结后烧偏芯片不能进行蒸发工艺，以及蒸发完成后芯片与挡环因热胀冷缩而卡环造成芯片报废的技术问题。
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