公开(公告)号：CN111106069A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201811259684.1

申请日：2018-10-26

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 饶伟 ,  李勇 ,  操国宏 ,  王明 ,  姚润华 ,  贺振卿

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/10 ,  H01L29/74

Abstract: 本发明公开了一种晶闸管管壳，其包括彼此连接的晶闸管管盖和晶闸管管座，晶闸管的门极信号沿所述晶闸管管盖包括的阴极电极的轴向或与该轴向平行的方向引出。应用本发明的晶闸管管壳，晶闸管的门极信号沿阴极电极的轴向或与该轴向平行的方向引出，而并非从位于阳极管座周向侧的瓷环引出，使得晶闸管能够应用于紧凑型高功率模块，大大拓宽了晶闸管的应用范围。

公开(公告)号：CN111106071A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201811261306.7

申请日：2018-10-26

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 饶伟 ,  李勇 ,  操国宏 ,  王明 ,  姚润华 ,  贺振卿

IPC: H01L23/057 ,  H01L21/52

Abstract: 本发明提出了一种适用于紧凑型高功率模块的晶闸管及其制备方法，本发明的晶闸管包括依次连接的晶闸管管盖、晶闸管芯片及晶闸管管座，所述晶闸管的门极信号从位于晶闸管管盖的阴极电极轴向或与轴向平行的方向引出。本发明的晶闸管的门极信号从阴极电极轴向或与轴向平行的方向引出，在具备传统晶闸管元件强度高、气密性好、耐高压、绝缘性能好的优点的同时，门极采用插接方式，在使用过程中无需再焊接门极引线。

公开(公告)号：CN107785250A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201610785226.6

申请日：2016-08-31

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 周正东 ,  李诚瞻 ,  刘可安 ,  吴煜东 ,  饶伟 ,  史晶晶 ,  杨程 ,  吴佳

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅肖特基接触制作方法，包括以下步骤：a.在碳化硅基体表面溅射肖特基接触金属材料；b.将步骤a处理后的碳化硅基体进行加热处理；c.使步骤b处理后的碳化硅基体在惰性气氛下冷却；d.在冷却后的碳化硅基体表面进一步溅射阳极金属材料；e.先后刻蚀除去非肖特基接触区的阳极金属材料和肖特基接触材料，形成肖特基接触区。本发明还提供了一种碳化硅肖特基二极管的制造方法。本发明在形成肖特基接触图形中只需进行一次光刻，简化了肖特基接触的形成步骤。本发明提供的肖特基接触制作方法可有效防止肖特基接触金属被自然氧化，同时防止肖特基接触金属表面的有机物及颗粒的污染，从而提高肖特基接触和相应二极管的品质。