公开(公告)号：CN109698234A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201710990256.5

申请日：2017-10-23

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 高军 ,  姚震洋 ,  操国宏 ,  唐革 ,  朱为为 ,  刘芹 ,  王东东

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及晶闸管及其制造方法。该晶闸管包括芯片，所述芯片包括板状的芯片主体，所述芯片主体构造有工作表面，所述芯片还包括从所述工作表面向外凸出的第一电极凸起和第二电极凸起，所述第一电极凸起和所述第二电极凸起相互间隔开，在所述第一电极凸起和所述第二电极凸起之间形成间隔空间。通过这种晶闸管能有效地确保电极之间的绝缘性。

公开(公告)号：CN112802896B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201911109074.8

申请日：2019-11-13

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王政英 ,  姚震洋 ,  朱为为 ,  李勇 ,  操国宏 ,  王东东 ,  郭润庆 ,  王亚飞 ,  张西应 ,  高军 ,  银登杰

IPC: H01L29/747 ,  H01L21/332 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种双向晶闸管及其制造方法，所述双向晶闸管包括：硅单晶，所述硅单晶被隔离区分割为第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域之间通过隔离区隔离；主晶闸管，位于所述第一区域，包括第一阴极、第一门极和第一阳极，所述第一阴极和所述第一门极位于所述第一区域的上表面，所述第一阳极位于所述第一区域的下表面；集成BOD晶闸管，位于所述第二区域，包括第二阴极和第二阳极，所述第二阳极位于所述第二区域的上表面，所述第二阴极位于所述第二区域的下表面。本发明的主晶闸管和集成BOD晶闸管集成在一片芯片上，二者之间通过隔离区间隔开，其中过压保护功能通过集成BOD晶闸管实现，该集成BOD晶闸管的转折电压通过挖槽尺寸进行控制。

公开(公告)号：CN112802896A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201911109074.8

申请日：2019-11-13

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王政英 ,  姚震洋 ,  朱为为 ,  李勇 ,  操国宏 ,  王东东 ,  郭润庆 ,  王亚飞 ,  张西应 ,  高军 ,  银登杰

IPC: H01L29/747 ,  H01L21/332 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种双向晶闸管及其制造方法，所述双向晶闸管包括：硅单晶，所述硅单晶被隔离区分割为第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域之间通过隔离区隔离；主晶闸管，位于所述第一区域，包括第一阴极、第一门极和第一阳极，所述第一阴极和所述第一门极位于所述第一区域的上表面，所述第一阳极位于所述第一区域的下表面；集成BOD晶闸管，位于所述第二区域，包括第二阴极和第二阳极，所述第二阳极位于所述第二区域的上表面，所述第二阴极位于所述第二区域的下表面。本发明的主晶闸管和集成BOD晶闸管集成在一片芯片上，二者之间通过隔离区间隔开，其中过压保护功能通过集成BOD晶闸管实现，该集成BOD晶闸管的转折电压通过挖槽尺寸进行控制。

公开(公告)号：CN109427581A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710765588.3

申请日：2017-08-30

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王东东 ,  王政英 ,  刘锐鸣 ,  刘芹 ,  朱为为 ,  唐革 ,  姚震洋 ,  高军 ,  邹昌

IPC: H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种大功率整流管芯的制造方法，包括：铝杂质扩散步骤、第一化学腐蚀步骤、第一氧化步骤、第二化学腐蚀步骤、磷杂质扩散步骤、第二氧化步骤、第三化学腐蚀步骤和硼杂质扩散步骤。在第一化学腐蚀步骤中，对通过铝杂质扩散步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的铝杂质并保留阳极面的铝杂质。在第二化学腐蚀步骤中，对通过第一氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阴极面的氧化层并保留阳极面的氧化层。在第三化学腐蚀步骤中，对通过第二氧化步骤得到的晶圆片进行化学腐蚀，以去除阳极面的氧化层并保留阴极面的氧化层。采用本发明可缩短三天的工艺时间，节省大量人力物力，降低环境污染，避免光刻胶脱落对芯片质量的影响。

公开(公告)号：CN112951707A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201911268765.2

申请日：2019-12-11

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王东东 ,  王政英 ,  姚震洋 ,  高军 ,  银登杰 ,  郭润庆 ,  刘军

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种薄膜及其制备方法和应用。该薄膜包括衬底以及沉积于所述衬底表面的具有图形化的DLC层。本发明的薄膜可以具有高精度、复杂化的DLC图形，且能够大规模化生产。

公开(公告)号：CN111599664A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201910130103.2

申请日：2019-02-21

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 高军 ,  朱为为 ,  操国宏 ,  银登杰 ,  唐革 ,  李勇 ,  刘军 ,  王政英 ,  王东东

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/673

Abstract: 本发明公开了一种硅片承载装置以及非对称扩散掺杂方法，硅片承载装置包括：第一体，其具有第一内壁，第一内壁上沿轴向设置有两个平台并且在两个平台之间沿径向设置有容纳硅片的多个第一容纳槽；以及第二体，其包括两个侧壁以及将两个侧壁固连的连接体，两个侧壁的内侧面上沿径向设置有容纳硅片的多个与第一容纳槽对应的第二容纳槽；当第二体嵌入第一体内时，由第一容纳槽的槽底和槽顶以及第二容纳槽的槽底和槽顶形成的轮廓与硅片的外轮廓匹配，两个侧壁能分别在两个平台上滑动以使对应的第一容纳槽和第二容纳槽错开预定距离。本发明不需要进行对称扩散掺杂和对称扩散掺杂的硅片进行机械去除或化学去除，能简化非对称扩散掺杂的工序，提高效率。