公开(公告)号：CN105162324B

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201510701625.5

申请日：2015-10-26

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 唐柳生 ,  任亚东 ,  颜骥 ,  吴煜东 ,  孙文伟 ,  张西应 ,  石铿

IPC: H02M3/155 ,  H02M1/096

Abstract: 本发明提供了一种直流高压电源、高位取能装置及其供电方法，包括高压输入端、低压输出端、取能电路、储能电路、锁存电路和节流电路；取能电路包括开关电路和与开关电路连接的控制电路，开关电路包括至少两个串联的开关，控制电路通过控制开关的导通来控制高压输入端向储能电路充电；锁存电路与储能电路和开关电路连接，用于在储能电路充电完成后，通过控制开关的关断来控制高压输入端停止向储能电路充电；节流电路的输入端与储能电路连接、输出端与低压输出端连接，用于对储能电路输出的电流进行节流恒流处理，并将处理后的电流输出至低压输出端。本实施例中的高位取能装置具有接线方式简单、电压应用范围大、漏电流小以及供电时间长等优点。

公开(公告)号：CN112802896B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN201911109074.8

申请日：2019-11-13

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王政英 ,  姚震洋 ,  朱为为 ,  李勇 ,  操国宏 ,  王东东 ,  郭润庆 ,  王亚飞 ,  张西应 ,  高军 ,  银登杰

IPC: H01L29/747 ,  H01L21/332 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种双向晶闸管及其制造方法，所述双向晶闸管包括：硅单晶，所述硅单晶被隔离区分割为第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域之间通过隔离区隔离；主晶闸管，位于所述第一区域，包括第一阴极、第一门极和第一阳极，所述第一阴极和所述第一门极位于所述第一区域的上表面，所述第一阳极位于所述第一区域的下表面；集成BOD晶闸管，位于所述第二区域，包括第二阴极和第二阳极，所述第二阳极位于所述第二区域的上表面，所述第二阴极位于所述第二区域的下表面。本发明的主晶闸管和集成BOD晶闸管集成在一片芯片上，二者之间通过隔离区间隔开，其中过压保护功能通过集成BOD晶闸管实现，该集成BOD晶闸管的转折电压通过挖槽尺寸进行控制。

公开(公告)号：CN112802896A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201911109074.8

申请日：2019-11-13

Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司

Inventor： 王政英 ,  姚震洋 ,  朱为为 ,  李勇 ,  操国宏 ,  王东东 ,  郭润庆 ,  王亚飞 ,  张西应 ,  高军 ,  银登杰

IPC: H01L29/747 ,  H01L21/332 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种双向晶闸管及其制造方法，所述双向晶闸管包括：硅单晶，所述硅单晶被隔离区分割为第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域之间通过隔离区隔离；主晶闸管，位于所述第一区域，包括第一阴极、第一门极和第一阳极，所述第一阴极和所述第一门极位于所述第一区域的上表面，所述第一阳极位于所述第一区域的下表面；集成BOD晶闸管，位于所述第二区域，包括第二阴极和第二阳极，所述第二阳极位于所述第二区域的上表面，所述第二阴极位于所述第二区域的下表面。本发明的主晶闸管和集成BOD晶闸管集成在一片芯片上，二者之间通过隔离区间隔开，其中过压保护功能通过集成BOD晶闸管实现，该集成BOD晶闸管的转折电压通过挖槽尺寸进行控制。