公开(公告)号：CN119673927A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411878695.3

申请日：2022-04-21

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 木村良 ,  小岛悠嗣 ,  佐藤敬 ,  坂本善次 ,  奥村知巳

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/36 ,  H01L23/498

Abstract: 半导体装置具备：半导体元件，具有半导体基板、第1主电极、第2主电极及设在上述背面且具有开口部的保护膜；第1布线部件，与第1主电极电连接；第2布线部件，在板厚方向上在与第1布线部件之间夹着半导体元件而配置，与第2主电极连接；烧结部件，将第2主电极与第2布线部件接合；以及封固体，将半导体元件、第1布线部件、第2布线部件及烧结部件封固；第2主电极具有基底电极和连接电极；在烧结部件与规定开口部的保护膜的内周面之间具有规定的距离，烧结部件将连接电极与第2布线部件接合；第2布线部件具有布线板以及导电间隔件；在板厚方向的平面视图中，保护膜的内周面将导电间隔件包含在内部，导电间隔件将烧结部件包含在内部。

公开(公告)号：CN112753101A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201980063390.8

申请日：2019-09-02

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 海津瞭一 ,  野村匠 ,  山岸哲人 ,  稻叶祐树 ,  坂本善次

IPC: H01L23/36 ,  H01L23/40 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置具备：半导体芯片(12)，在SiC基板中形成有元件，在一面及背面分别形成有主电极；配置在一面侧的第1散热片(16)及配置在背面侧的第2散热片(24)；接线部(20)，介于第2散热片与半导体芯片之间，将背面侧的主电极和第2散热片电中继；以及接合部件(18、22、26)，分别配置在一面侧的主电极与第1散热片之间、背面侧的主电极与接线部之间、接线部与第2散热片之间。接线部在板厚方向上层叠有多种金属层(20a、20b、20c、20d)，至少与板厚方向正交的方向的线膨胀系数被设为比半导体芯片大且比第2散热片小的范围内；在接线部中，多种金属层在板厚方向上对称配置。

公开(公告)号：CN101432095B

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN200780015418.8

申请日：2007-04-26

Applicant: 株式会社电装 ,  千住金属工业株式会社

Inventor： 平野尚彦 ,  坂本善次 ,  奥村知巳 ,  鹤田加一 ,  上岛稔 ,  石井隆

IPC: H01L21/52 ,  B23K35/14 ,  B23K35/40

CPC classification number: H05K3/3478 ,  B23K35/262 ,  B23K35/40 ,  H01L23/492 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/29582 ,  H01L2224/29611 ,  H01L2224/29694 ,  H01L2224/29695 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15747 ,  H05K2201/0215 ,  H05K2201/2036 ,  H05K2203/0415 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 本发明提供泡沫焊锡和电子器件。将半导体元件和基板通过焊锡接合而成的电子器件，会由于半导体元件和基板之间的间隙不适当而导致接合强度降低。因此在制造电子器件时采用在焊锡中分散高熔点金属颗粒而成的泡沫焊锡。但是在使用现有的焊锡来制造电子器件时，存在半导体元件倾斜或接合强度不足的问题。在本发明的泡沫焊锡中，当金属粒径为50μm时，高熔点金属颗粒的尺寸偏差在20μm以下，并且在高熔点金属颗粒的周围形成有高熔点金属颗粒与焊锡的主要成分构成的合金层。并且焊锡中完全没有空隙。另外，本发明的电子器件通过上述泡沫焊锡将半导体元件和基板接合而成，热循环性优良。

公开(公告)号：CN1691301A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200510051842.0

申请日：2005-01-20

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 中濑好美 ,  坂本善次 ,  大城大 ,  吉田朋正 ,  加纳教夫

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 一种用于制造连接结构(100)的方法，该连接结构具有在其间由焊料制成的焊接层(30)结合的第一和第二连接部件(10，20)，该方法包含以下步骤：在第一和第二连接部件(10，20)之间夹上焊接层(30)；在保持第一温度的情况下把焊接层(30)降压到第一压强(P1)，该温度低于焊料的固相线；在保持第一压强(P1)的情况下把焊接层(30)加热到第二温度，该第二温度高于焊料的液相线；在保持第二温度的情况下把焊接层(30)加压到第二压强(P2)，该第二压强(P2)高于第一压强(P1)；和在保持第二压强(P2)的情况下使焊料凝固。

公开(公告)号：CN1574326A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410061649.0

申请日：2004-06-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 平野尚彦 ,  加藤信之 ,  手岛孝纪 ,  坂本善次 ,  三浦昭二 ,  新美彰浩

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L24/33 ,  H01L23/482 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种塑模型半导体器件，包括：含有半导体部件的半导体芯片(1)；金属层(13，13a－13c)；焊料层(14)；和通过金属层(13，13a－13c)和焊料层(14)与半导体芯片(1)连接的金属构件(24)。焊料层(14)由屈服应力比金属层(13，13a－13c)屈服应力小的焊料构成。即使当用树脂塑模(20)密封半导体芯片(1)时，也能防止金属层(13，13a－13c)破裂。