公开(公告)号：CN108350564A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680063587.8

申请日：2016-12-21

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 高桥一寿 ,  日高浩二 ,  川越裕 ,  武末健太郎 ,  和田优 ,  上野充 ,  清田淳也 ,  小林大士 ,  武井应树

IPC分类号： C23C14/34 ,  C04B35/01

摘要： 本发明的一个方式所涉及的氧化物烧结体溅射靶由含有氧化铟、氧化锌、氧化钛和氧化锆的烧结体构成，钛相对于铟、锌以及钛的总和的原子比为0.1％以上且20％以下，锆相对于氧化铟、氧化锌、氧化钛以及氧化锆的总和的重量比为10ppm以上且2000ppm以下。

公开(公告)号：CN101501820B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200780029519.0

申请日：2007-08-08

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 高泽悟 ,  武井应树 ,  高桥明久 ,  片桐弘明 ,  浮岛祯之 ,  谷典明 ,  石桥晓 ,  增田忠

IPC分类号： H01L21/285 ,  G02F1/1345 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/41733 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明形成密合性高且电阻率低的导电膜。在导入了氧化气体的真空气氛中溅镀以铜为主成分的靶，形成以铜为主成分且含有Ti或Zr等添加金属的导电膜25。这种导电膜25对硅层23或玻璃基板22的密合性高且难以从基板22剥离。而且，电阻率低且对透明导电膜的接触电阻也低，因此，即便用于电极膜的场合也不会恶化电气特性。因而，通过本发明形成的导电膜25特别适合TFT或半导体元件的电极膜或障壁膜。

公开(公告)号：CN102165569A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980137848.6

申请日：2009-08-17

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 赤松泰彦 ,  武井应树 ,  清田淳也 ,  石桥晓 ,  汤川富之 ,  小林大士 ,  仓田敬臣 ,  新井真

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969

摘要： 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法，其无需进行高温退火处理也能提高晶体管特性。采用溅射法用100℃以上的成膜温度形成构成活性层的In-Ga-Zn-O薄膜。再用300℃的温度在大气中进行退火处理。实施退火处理的目的是提高刚刚形成的活性层的晶体管特性。与未经加热而形成的In-Ga-Zn-O薄膜相比，一边加热基材一边采用溅射法而形成的In-Ga-Zn-O薄膜的内应变或缺陷较少。因此，与未经加热而形成的In-Ga-Zn-O薄膜相比，将经加热而形成的相同材料薄膜作为活性层时可提高退火效果。因而本发明可通过低温退火处理形成具有优异晶体管特性的活性层。

公开(公告)号：CN101622374A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880006087.6

申请日：2008-02-22

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 武井应树 ,  石桥哲 ,  清田淳也 ,  市桥祐次 ,  佐藤重光

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/34 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/34

摘要： 在利用反应性溅镀法形成规定的薄膜时，以能够在整个处理基板表面上形成大致均匀的膜厚分布以及大致均匀的比电阻值等膜质的形态构成溅镀装置。在等间隔并列设置了相同数量的阴极靶31a～31h的多个溅镀室11a、11b之间，将处理基板S传送到与各阴极靶相向的位置，通过给该处理基板所在的溅镀室内的各阴极靶提供电力，使各阴极靶发生溅射，在处理基板表面上层叠出相同或不同的薄膜。此时，在彼此连续的溅镀室之间以使处理基板表面与各阴极靶彼此间的区域相向的位置错位的形态改变处理基板的停止位置。

公开(公告)号：CN108300968B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201810009976.3

申请日：2018-01-05

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 坂本纯一 ,  清田淳也 ,  小林大士 ,  武井应树 ,  大野哲宏

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/56 ,  C23C14/08

摘要： 本发明提供一种在适用于将IGZO膜等的氧化物半导体作为沟道层的TFT的情况下，TFT的特性和可靠性优异的IGZO膜的成膜方法、以及适合于这样的IGZO膜的成膜的真空处理装置。将包含铟、镓和锌的烧结体设为靶体(42a)，在设置有该靶体的真空处理室(Vc4)内配置处理对象物(W)，真空处理室真空排气到规定的压力时，导入放电用气体和氧气，向靶体施加规定电力而对靶体进行溅射，由此通过反应性溅射在处理对象物的表面形成IGZO膜，这样的本发明的成膜方法包括在靶体的溅镀开始之前，将真空处理室内的水分压设为1×10‑5Pa～1×10‑3Pa的范围的工序。

公开(公告)号：CN109689927B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201880002619.2

申请日：2018-04-13

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 横山礼宽 ,  武井应树 ,  佐藤昌敏 ,  清田淳也

IPC分类号： C23C14/58 ,  C23C14/14 ,  H01M4/1395

摘要： 本发明的一形态的成膜装置具有成膜部、第一处理部、第二处理部以及真空室。上述成膜部包含使锂金属蒸发的蒸发源，并在基材上形成锂金属膜。上述第一处理部包含用于将上述锂金属膜的表面羟基化的第一处理室。上述第二处理部包含用于将羟基化后的所述表面碳酸化的第二处理室。上述真空室容纳上述成膜部、上述第一处理部以及上述第二处理部。

公开(公告)号：CN108300968A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201810009976.3

申请日：2018-01-05

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 坂本纯一 ,  清田淳也 ,  小林大士 ,  武井应树 ,  大野哲宏

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/56 ,  C23C14/08

摘要： 本发明提供一种在适用于将IGZO膜等的氧化物半导体作为沟道层的TFT的情况下，TFT的特性和可靠性优异的IGZO膜的成膜方法、以及适合于这样的IGZO膜的成膜的真空处理装置。将包含铟、镓和锌的烧结体设为靶体(42a)，在设置有该靶体的真空处理室(Vc4)内配置处理对象物(W)，真空处理室真空排气到规定的压力时，导入放电用气体和氧气，向靶体施加规定电力而对靶体进行溅射，由此通过反应性溅射在处理对象物的表面形成IGZO膜，这样的本发明的成膜方法包括在靶体的溅镀开始之前，将真空处理室内的水分压设为1×10-5Pa～1×10-3Pa的范围的工序。

公开(公告)号：CN103797153A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201280044707.1

申请日：2012-09-13

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 松本博 ,  马文平 ,  新田纯一 ,  清田淳也 ,  武井应树 ,  坂本纯一

IPC分类号： C23C14/34 ,  B22F1/00 ,  B22F3/15 ,  C22C27/04

CPC分类号： C22C27/04 ,  B22F3/15 ,  C22C1/045 ,  C23C14/3414

摘要： 本发明提供一种不需进行压延处理就能够提高相对密度的Mo-W靶材及其制造方法。具体为，将钼粉末在1100℃以上1300℃以下的温度下进行脱氧处理，然后，在经过脱氧处理的所述钼粉末上混合钨粉末，接下来，将所述钼粉末和所述钨粉末的混合粉末以所规定的温度进行加压烧结。由此，能够抑制烧结时的空洞（气孔）的产生，从而促进烧结体的高密度化。因此，根据上述制造方法，由于能够不通过实施压延处理就能够实现烧结体的高密度化，从而能够实现溅射成膜时的膜厚的均匀性。

公开(公告)号：CN102097472A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010535877.2

申请日：2007-12-26

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 高泽悟 ,  武井应树 ,  高桥明久 ,  片桐弘明 ,  浮岛祯之 ,  谷典明 ,  石桥晓 ,  增田忠

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L23/532 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/2855 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/16 ,  H05K3/388 ,  H01L2924/00

摘要： 形成密接性优良、低电阻的布线膜。在配置有成膜对象物(21)的真空槽(2)中导入氧气，对纯铜靶(11)进行溅射，在成膜对象物(21)的表面上形成以铜为主要成分且含有氧的阻挡膜(22)之后，停止氧气的导入，对纯铜靶(11)进行溅射，形成纯铜的低电阻膜(23)。因为阻挡膜(22)和低电阻膜(23)以铜为主要成分，所以能够一次进行溅射。由于低电阻膜(23)与阻挡膜22相比是低电阻，所以，布线膜(25)整体成为低电阻。由于阻挡膜(22)针对玻璃或硅的密接性高，所以，布线膜(25)整体的密接性也高。

公开(公告)号：CN101501820A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200780029519.0

申请日：2007-08-08

申请人： 株式会社爱发科 ,  爱发科材料股份有限公司

发明人： 高泽悟 ,  武井应树 ,  高桥明久 ,  片桐弘明 ,  浮岛祯之 ,  谷典明 ,  石桥晓 ,  增田忠

IPC分类号： H01L21/285 ,  G02F1/1345 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/41733 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明形成密合性高且电阻率低的导电膜。在导入了氧化气体的真空气氛中溅镀以铜为主成分的靶，形成以铜为主成分且含有Ti或Zr等添加金属的导电膜25。这种导电膜25对硅层23或玻璃基板22的密合性高且难以从基板22剥离。而且，电阻率低且对透明导电膜的接触电阻也低，因此，即便用于电极膜的场合也不会恶化电气特性。因而，通过本发明形成的导电膜25特别适合TFT或半导体元件的电极膜或障壁膜。