公开(公告)号：CN101133181A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200680006500.X

申请日：2006-03-03

申请人： 株式会社爱发科 ,  爱发科材料股份有限公司

发明人： 太田淳 ,  杉浦功 ,  谷典明 ,  松本昌弘 ,  片桐弘明 ,  增田忠 ,  石桥晓 ,  伊藤隆治

IPC分类号： C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  C22C1/02

CPC分类号： C22C1/026 ,  C23C14/3414

摘要： 本发明安全添加在大气中易于起火的添加物来便宜地制作靶。在低氧环境气体中，往主材料中添加添加物，形成熔融状态的一次合金13，在大气环境中往熔融状态的一次合金13中添加主材料进行增量，制作二次合金。熔融或固体状态的一次合金13、18是稳定的，因此在大气中不起火。一次合金13、18比二次合金量少，因此用于形成一次环境气体的真空槽11为小型的即可。

公开(公告)号：CN101501820A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200780029519.0

申请日：2007-08-08

申请人： 株式会社爱发科 ,  爱发科材料股份有限公司

发明人： 高泽悟 ,  武井应树 ,  高桥明久 ,  片桐弘明 ,  浮岛祯之 ,  谷典明 ,  石桥晓 ,  增田忠

IPC分类号： H01L21/285 ,  G02F1/1345 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/41733 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明形成密合性高且电阻率低的导电膜。在导入了氧化气体的真空气氛中溅镀以铜为主成分的靶，形成以铜为主成分且含有Ti或Zr等添加金属的导电膜25。这种导电膜25对硅层23或玻璃基板22的密合性高且难以从基板22剥离。而且，电阻率低且对透明导电膜的接触电阻也低，因此，即便用于电极膜的场合也不会恶化电气特性。因而，通过本发明形成的导电膜25特别适合TFT或半导体元件的电极膜或障壁膜。

公开(公告)号：CN101501820B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200780029519.0

申请日：2007-08-08

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 高泽悟 ,  武井应树 ,  高桥明久 ,  片桐弘明 ,  浮岛祯之 ,  谷典明 ,  石桥晓 ,  增田忠

IPC分类号： H01L21/285 ,  G02F1/1345 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/41733 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明形成密合性高且电阻率低的导电膜。在导入了氧化气体的真空气氛中溅镀以铜为主成分的靶，形成以铜为主成分且含有Ti或Zr等添加金属的导电膜25。这种导电膜25对硅层23或玻璃基板22的密合性高且难以从基板22剥离。而且，电阻率低且对透明导电膜的接触电阻也低，因此，即便用于电极膜的场合也不会恶化电气特性。因而，通过本发明形成的导电膜25特别适合TFT或半导体元件的电极膜或障壁膜。

公开(公告)号：CN101529567A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780040499.7

申请日：2007-12-26

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 高泽悟 ,  武井应树 ,  高桥明久 ,  片桐弘明 ,  浮岛祯之 ,  谷典明 ,  石桥晓 ,  增田忠

IPC分类号： H01L21/3205 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/2855 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/16 ,  H05K3/388 ,  H01L2924/00

摘要： 形成密接性优良、低电阻的布线膜。在配置有成膜对象物(21)的真空槽(2)中导入氧气，对纯铜靶(11)进行溅射，在成膜对象物(21)的表面上形成以铜为主要成分且含有氧的阻挡膜(22)之后，停止氧气的导入，对纯铜靶(11)进行溅射，形成纯铜的低电阻膜(23)。因为阻挡膜(22)和低电阻膜(23)以铜为主要成分，所以能够一次进行溅射。由于低电阻膜(23)与阻挡膜(22)相比是低电阻，所以，布线膜(25)整体成为低电阻。由于阻挡膜(22)针对玻璃或硅的密接性高，所以，布线膜(25)整体的密接性也高。

公开(公告)号：CN112771200A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201980062919.4

申请日：2019-12-11

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 小平周司 ,  高桥铁兵 ,  飞石尧大 ,  山村典史 ,  片桐弘明 ,  久保纯也 ,  铃木正明

IPC分类号： C23C14/50 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285

摘要： 本发明的目的是提供一种可简便地设置与目标薄膜厚度对应的被处理基板的公转角速度和自转角速度的最佳值的成膜方法。本发明的成膜方法，其中在真空室(1)内，在同一平面内使被处理基板(Sw)绕公转轴(22)公转，并使被处理基板以被处理基板中心(Sc)为旋转中心自转，从成膜源(31、32)供给成膜材料在被处理基板表面形成规定的薄膜，所述成膜源配置在与自公转的被处理基板相对的真空室内的规定位置上,所述成膜方法包括设置工序，其中将形成的薄膜的目标薄膜厚度设为T，以一个公转周期中在基板上形成薄膜的薄膜厚度设为D，将基板的自转角速度相对于公转角速度的比α设置为满足式(1)的值(其中呈整数倍和半整数倍的情况除外)：α≥6/log10(T/D)(1)。

公开(公告)号：CN101529567B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780040499.7

申请日：2007-12-26

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 高泽悟 ,  武井应树 ,  高桥明久 ,  片桐弘明 ,  浮岛祯之 ,  谷典明 ,  石桥晓 ,  增田忠

IPC分类号： H01L21/3205 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/2855 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/16 ,  H05K3/388 ,  H01L2924/00

摘要： 形成密接性优良、低电阻的布线膜。在配置有成膜对象物(21)的真空槽(2)中导入氧气，对纯铜靶(11)进行溅射，在成膜对象物(21)的表面上形成以铜为主要成分且含有氧的阻挡膜(22)之后，停止氧气的导入，对纯铜靶(11)进行溅射，形成纯铜的低电阻膜(23)。因为阻挡膜(22)和低电阻膜(23)以铜为主要成分，所以能够一次进行溅射。由于低电阻膜(23)与阻挡膜22相比是低电阻，所以，布线膜(25)整体成为低电阻。由于阻挡膜(22)针对玻璃或硅的密接性高，所以，布线膜(25)整体的密接性也高。

公开(公告)号：CN101529566A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780040402.2

申请日：2007-12-26

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 高泽悟 ,  武井应树 ,  高桥明久 ,  片桐弘明 ,  浮岛祯之 ,  谷典明 ,  石桥晓 ,  增田忠

IPC分类号： H01L21/3205 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/2855 ,  H01L23/53233 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/16 ,  H05K3/388 ,  H01L2924/00

摘要： 形成密合性和阻挡(barrier)性优异、电阻值低的布线膜。向配置了成膜对象物21的真空槽2导入氧气，在包含氧的真空气氛中，溅镀以铜为主成分并含有从Mg、Al、Si、Be、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb和Dy所形成添加元素群选择的至少一种添加元素的溅镀靶11，在成膜对象物21表面形成第一金属膜23，然后在停止导入氧气的状态下，对溅镀靶11进行溅镀，在第一金属膜23表面形成第二金属膜24之后，蚀刻第一、第二金属膜23、24而形成布线膜。

公开(公告)号：CN112639158A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980056231.5

申请日：2019-10-30

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 小平周司 ,  高桥铁兵 ,  飞石尭大 ,  山村典史 ,  片桐弘明 ,  久保纯也 ,  铃木正明

IPC分类号： C23C14/34 ,  H01L21/203

摘要： 以高量产性且更均匀的膜厚分布在基板上形成膜。在成膜装置中，基板支架支撑至少一个与第一靶相向的基板，以第一中心轴为中心旋转，基板能够以偏离上述第一中心轴的第二中心轴为中心旋转。真空容器收纳上述第一靶和基板支架。电力源向第一靶供给放电电力。气体供给机构向真空容器供给放电气体。在将与第一中心轴正交的方向上的第一中心轴与第二中心轴之间的距离设为Ds，将与第一中心轴正交的方向上的第一中心轴与第一靶的中心之间的距离设为Dt，将第一靶的半径设为R，将第一中心轴的方向上的第一靶与基板之间的距离设为H，将Ds与Dt的差的绝对值设为A的情况下，满足Ds+Dt≥H、A≥R、H≥R的关系式。

公开(公告)号：CN101427609B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200780014739.6

申请日：2007-04-18

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 小松孝 ,  中村久三 ,  片桐弘明 ,  谷典明 ,  斋藤一也

IPC分类号： H05B33/14 ,  H05B33/12 ,  H01L27/32 ,  G09F9/30 ,  G09F9/40

CPC分类号： C09K11/565 ,  H01L27/3267 ,  H05B33/14

摘要： 本发明提供能够由薄膜晶体管驱动且高亮度的显示装置。在基板(111)上形成低电压驱动的无机发光层(121)和控制晶体管(105)，并且由控制晶体管(105)控制施加到无机发光层(121)上的电压。由于无机发光层(121)抗热或抗破坏性强，所以可以由溅射法形成。在同一基板上形成顶部发射型显示装置和底部发射型显示装置，可以从同一位置放射发光光线。

公开(公告)号：CN102097472A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010535877.2

申请日：2007-12-26

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 高泽悟 ,  武井应树 ,  高桥明久 ,  片桐弘明 ,  浮岛祯之 ,  谷典明 ,  石桥晓 ,  增田忠

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L23/532 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/2855 ,  H01L27/124 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/16 ,  H05K3/388 ,  H01L2924/00

摘要： 形成密接性优良、低电阻的布线膜。在配置有成膜对象物(21)的真空槽(2)中导入氧气，对纯铜靶(11)进行溅射，在成膜对象物(21)的表面上形成以铜为主要成分且含有氧的阻挡膜(22)之后，停止氧气的导入，对纯铜靶(11)进行溅射，形成纯铜的低电阻膜(23)。因为阻挡膜(22)和低电阻膜(23)以铜为主要成分，所以能够一次进行溅射。由于低电阻膜(23)与阻挡膜22相比是低电阻，所以，布线膜(25)整体成为低电阻。由于阻挡膜(22)针对玻璃或硅的密接性高，所以，布线膜(25)整体的密接性也高。