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公开(公告)号：CN100499175C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200410087478.9
申请日：2004-10-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/0203
CPC classification number: H01L31/0203 , H01L23/49805 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/83851 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07811 , H01L2924/09701 , H01L2924/12036 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，具有可装配在布线衬底上的结构，所述半导体器件形成在薄膜厚度衬底、膜状衬底，或者片状衬底上。此外，本发明提供一种制造半导体器件的方法，能够提高装配在布线衬底上的可靠性。本发明的一个特征是把形成在绝缘衬底上的半导体元件接合到通过具有各向异性导电性的介质形成的导电膜的部件上。
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公开(公告)号：CN101313413A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200680043181.X
申请日：2006-11-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/10 , H01L29/41 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L27/14609 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14692 , H01L31/03762
Abstract: 形成一种光电转换装置，所述光电转换装置在第一电极和第二电极之间被提供有光电转换层。第一电极部分地与光电转换层接触，并且在接触部分中第一电极的截面形状是锥形形状。在这种情形下，具有一个电导率类型的第一半导体层的一部分与第一电极接触。在第一电极的边缘部分中的平面(planer)形状优选是无角度的，即，其中边缘是平面或曲面形状的形状。通过这种结构，可以抑制电场的集中和应力的集中，由此可以减小光电转换装置的特性退化。
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公开(公告)号：CN1783506A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510108891.3
申请日：2005-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/14609 , H01L27/14645 , H01L27/14692
Abstract: 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。传感器元件中存在的课题是，为了进一步推进今后的大功率输出及小型化，要在有限的面积上形成多个元件，要缩小元件所占的面积进行集成。还存在的课题是，提供能够提高传感器元件的合格率的工艺。本发明是在具有绝缘表面的基板上将采用非晶态硅膜的传感器元件、以及由薄膜晶体管构成的输出放大电路进行集成。另外，在传感器元件的光电变换层形成图形时，在光电变换层与薄膜晶体管连接的布线之间设置包含露出的保护布线用的金属层。
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公开(公告)号：CN101527270B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910118050.9
申请日：2005-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/56 , H01L21/58 , H01L21/60 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/56 , B32B37/20 , B32B2305/342 , B42D25/45 , B42D2033/46 , G06K19/07718 , G06K19/07749 , G06K19/0775 , H01L21/67126 , H01L21/67132 , H01L21/67144 , H01L21/6835 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L2221/68318 , H01L2221/68354 , H01L2221/68363 , H01L2924/0002 , Y10T156/1089 , Y10T156/1093 , Y10T156/1712 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提高在对薄膜集成电路进行密封过程中的生产效率，并且防止损失和破坏。还有，本发明的另外一个目的在于防止薄膜集成电路在运输过程中遭受损伤，并且使得易于搬运薄膜集成电路。本发明提供了一种层压系统，其中使用辊来供给密封用基底、接收IC芯片、分离以及密封。对大量的薄膜集成电路进行分离、密封和接收操作可以通过旋转所述辊来连续地进行；因此，可以极大地提高生产效率。还有，由于使用了相互对置的辊对，因此可以轻易地密封所述薄膜集成电路。
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公开(公告)号：CN1940977B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200610159571.5
申请日：2006-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , H01L27/02 , H01L23/522 , H01L23/48
CPC classification number: H01L23/49855 , G06K19/07749 , G06K19/0775 , H01L23/5389 , H01L2223/6677 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01046 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置，该半导体装置能够实现批量生产，而且具有跟现有的小型元件不同的结构。本发明的目的还在于提供一种可以提高强度，并可以抑制在制造步骤中的元件的损坏，且可靠性以及成品率高的半导体装置的结构以及其制造方法。本发明的半导体装置包括：具有集成电路的层；形成在具有集成电路的层上，而且与具有集成电路的层电连接的第一端子；形成在第一端子上，而且与第一端子电连接的起天线作用的导电层；形成在具有集成电路的层上，而且与具有集成电路的层、起天线作用的导电层、第一端子不电连接的第二端子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1993829B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200580026229.1
申请日：2005-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G06K19/07 , G06K19/077 , H01L21/336 , H01L29/786 , B42D15/10 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/56 , B32B37/20 , B32B2305/342 , B42D25/45 , B42D2033/46 , G06K19/07718 , G06K19/07749 , G06K19/0775 , H01L21/67126 , H01L21/67132 , H01L21/67144 , H01L21/6835 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L2221/68318 , H01L2221/68354 , H01L2221/68363 , H01L2924/0002 , Y10T156/1089 , Y10T156/1093 , Y10T156/1712 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提高在对薄膜集成电路进行密封过程中的生产效率，并且防止损失和破坏。还有，本发明的另外一个目的在于防止薄膜集成电路在运输过程中遭受损伤，并且使得易于搬运薄膜集成电路。本发明提供了一种层压系统，其中使用辊来供给密封用基底、接收IC芯片、分离以及密封。对大量的薄膜集成电路进行分离、密封和接收操作可以通过旋转所述辊来连续地进行；因此，可以极大地提高生产效率。还有，由于使用了相互对置的辊对，因此可以轻易地密封所述薄膜集成电路。
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公开(公告)号：CN100585867C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510108891.3
申请日：2005-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/14609 , H01L27/14645 , H01L27/14692
Abstract: 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。传感器元件中存在的课题是，为了进一步推进今后的大功率输出及小型化，要在有限的面积上形成多个元件，要缩小元件所占的面积进行集成。还存在的课题是，提供能够提高传感器元件的合格率的工艺。本发明是在具有绝缘表面的基板上将采用非晶态硅膜的传感器元件、以及由薄膜晶体管构成的输出放大电路进行集成。另外，在传感器元件的光电变换层形成图形时，在光电变换层与薄膜晶体管连接的布线之间设置包含露出的保护布线用的金属层。
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公开(公告)号：CN100550328C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200510084624.7
申请日：2005-07-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/56
CPC classification number: H01L21/56 , B32B37/153 , B32B37/226 , B32B2305/342 , B32B2519/02 , G06K19/07718 , G06K19/07749 , H01L21/67132 , H01L2924/0002 , Y10T156/1095 , Y10T156/1734 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种层压系统，其中，用于密封薄膜集成电路的第二和第三基板之一在以加热熔融态挤压出的同时提供给具有多个薄膜集成电路的第一基板，其它辊子用于供应其它基板、接收IC芯片、分离和密封。通过旋转辊子可连续地进行以下步骤：分离在第一基板上设置的薄膜集成电路；密封分离的薄膜集成电路；和接收密封的薄膜集成电路。因此，极大地提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN101471349A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200810189727.3
申请日：2008-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/66772 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/12044 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的之一在于减少起因于外部压力的半导体集成电路的破损。此外，本发明还有一个目的是提高薄型化半导体集成电路的制造成品率。其方法如下：使用从单晶半导体衬底分离的单晶半导体层作为半导体集成电路所具有的半导体元件，然后以树脂层覆盖设置有半导体集成电路的被较薄地形成的衬底，在切断工序中在支撑衬底上形成用来切断半导体元件层的槽并在形成有槽的支撑衬底上设置树脂层，然后将树脂层以及支撑衬底在槽部进行切断以将其切割成多个半导体集成电路。
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公开(公告)号：CN101438418A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200780015170.5
申请日：2007-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/10 , H01L27/14 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L27/14643 , Y02E10/50
Abstract: 一个目的是通过逐步进行光电转换层的蚀刻，提供侧表面带不同锥角的光电转换元件。与pn光敏二极管相比，pin光敏二极管具有高响应速度，但具有大的暗电流缺陷。暗电流的一个原因被认为是通过在蚀刻中生成并沉积在光电转换层侧表面上的蚀刻残余的导电。通过形成一种结构，其中常规具有均匀表面的侧表面具有两个不同锥形，以便光电转换层具有不在同一平面的p层侧表面和n层侧表面，降低了光电转换元件的泄露电流。
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