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公开(公告)号：CN119300442A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410841064.8
申请日：2024-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开涉及氧化物半导体层、半导体装置以及半导体装置的制造方法。提供一种可用于具有良好的电特性的半导体装置的氧化物半导体层。另外，提供一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明是一种形成在衬底上的包含铟的氧化物半导体层，氧化物半导体层以与衬底的表面平行或大致平行的方式形成，氧化物半导体层具有第一区域、第一区域上的第二区域以及第二区域上的第三区域，第一区域大致垂直地位于离氧化物半导体层的被形成面有0nm以上且3nm以下处，在利用透射电子显微镜观察氧化物半导体层的截面时，在第一区域、第二区域及第三区域的每一个中确认到在平行于被形成面的方向上排列为层状的亮点。
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公开(公告)号：CN101877368B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201010174828.0
申请日：2010-04-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/03682 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/075 , H01L31/1864 , H01L31/1892 , H01L31/1896 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种新的光电转换装置及其制造方法。在具有透光性的基础衬底上形成具有透光性的绝缘层、中间夹着绝缘层而固定的单晶半导体层。在单晶半导体层的表层中或表面上以带状的方式设置多个具有一种导电型的第一杂质半导体层，并且以带状的方式设置多个具有与所述一种导电型相反的导电型的第二杂质半导体层，所述第二杂质半导体层与所述第一杂质半导体层彼此不重叠地交替。设置与第一杂质半导体层接触的第一电极和与第二杂质半导体层接触的第二电极，由此实现背接触型元件，得到基础衬底一侧为受光面的光电转换装置。
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公开(公告)号：CN101937861B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201010254643.0
申请日：2008-10-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02675
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法，该半导体衬底是在玻璃衬底等低耐热性支撑衬底上隔着缓冲层固定有单晶半导体层的半导体衬底。该半导体衬底的制造方法包括：将加速了的氢离子照射到半导体衬底，以形成包含大量的氢的损伤区域；在接合单晶半导体衬底和支撑衬底之后，加热半导体衬底而在损伤区域中分离单晶半导体衬底；接着，对从单晶半导体衬底分离了的单晶半导体层照射激光束；通过照射激光束，使单晶半导体层熔化而再结晶，以恢复其结晶性并使单晶半导体层的表面平坦化；以及在照射激光束之后，在不使其熔化的温度下加热单晶半导体层，以提高其寿命。
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公开(公告)号：CN101599464B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200910141555.7
申请日：2009-06-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/268 , H01L21/78 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/76251
Abstract: 本发明的目的之一在于制造适合批量生产的半导体衬底、以及使用该半导体衬底的半导体装置。在所公开的发明的一种方式中，在支撑衬底上形成至少具有绝缘层、第一电极、第一杂质半导体层的叠层体；在第一杂质半导体层上形成添加有赋予一种导电类型的杂质元素的第一半导体层；在第一半导体层上利用与第一半导体层不同的条件形成添加有赋予一种导电类型的杂质元素的第二半导体层；通过固相生长法，提高第一半导体层及第二半导体层的结晶性，形成第二杂质半导体层；对第二杂质半导体层添加赋予一种导电类型的杂质元素，并添加赋予与一种导电类型不同的导电类型的杂质元素，并且隔着栅绝缘层形成栅电极层，形成源电极层或漏电极层。
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公开(公告)号：CN101447526B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200810179634.2
申请日：2008-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/02168 , H01L31/022433 , H01L31/03762 , H01L31/0725 , H01L31/1864 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置的制造方法。本发明的要旨在于：在离单晶半导体衬底的一表面有小于1000nm的深度的领域中形成脆弱层，且在其一表面上形成第一杂质半导体层、第一电极。在将第一电极和支撑衬底贴合之后，以脆弱层或其附近为分离面分离单晶半导体衬底，来在支撑衬底上形成第一单晶半导体层。在第一单晶半导体层上形成非晶半导体层，并进行热处理，使非晶半导体层固相外延生长来形成第二单晶半导体层。第二杂质半导体层具有与第一杂质半导体层相反的导电型，在第二单晶半导体层上形成第二电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101409221B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200810169390.X
申请日：2008-10-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1266 , B23K26/03 , B23K26/083 , B23K26/12 , B23K26/127 , B23K26/14 , H01L21/268 , H01L21/3247 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L29/66772
Abstract: 用通过激励氢气而产生并用离子掺杂设备加速的离子来照射单晶半导体衬底，从而形成包含大量氢的损伤区。在接合单晶半导体衬底和支承衬底之后，加热单晶半导体衬底，以沿损伤区分离。在加热与单晶半导体衬底分离的单晶半导体层的同时，采用激光束来照射该单晶半导体层。通过经由激光束照射熔融，单晶半导体层经过再单晶化，从而复原其结晶度，并对单晶半导体层的表面进行平面化。
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公开(公告)号：CN119769187A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202380061313.5
申请日：2023-08-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00 , H01L21/205 , H01L21/316 , H10D30/67 , H10B53/00
Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的存储装置。该存储装置在半导体层中含有硅的第一晶体管上包括存储单元。存储单元包括电容器及电容器上的第二晶体管。电容器中依次层叠有第一导电体、第一绝缘体和第二导电体。第二导电体兼用作第二晶体管的源极和漏极中的一个。用作第二晶体管的源极和漏极中的另一个的第三导电体位于第二绝缘体上。第二绝缘体及第三导电体设置有到达第二导电体的开口。以与该开口重叠的方式依次层叠有氧化物半导体、第三绝缘体和第四导电体。第四导电体与第一晶体管的源极或漏极电连接。
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公开(公告)号：CN119277781A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410883463.0
申请日：2024-07-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开的发明名称是“半导体装置”。提供一种能够实现微型化的晶体管。该半导体装置包括氧化物半导体层、第一至第四导电层以及第一至第四绝缘层，在具有凹部的第一导电层上依次设置包括与该凹部重叠的第一开口部的第一绝缘层、第二导电层、第二绝缘层及第三导电层，第三绝缘层在第一开口部内至少与第二导电层的侧面接触，氧化物半导体层与第三导电层的顶面以及凹部的底面及侧面接触且在第一开口部内与第三绝缘层接触，第四绝缘层在第一开口部内位于氧化物半导体层的内侧，第四导电层在第一开口部内位于第四绝缘层的内侧，在从截面看时氧化物半导体层具有隔着第三绝缘层与第二导电层重叠且隔着第四绝缘层与第四导电层重叠的区域。
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公开(公告)号：CN118696615A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202380021494.9
申请日：2023-02-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种包括新颖半导体装置的存储装置。该存储装置包括具有晶体管和电容器的存储单元以及导电体。晶体管包括源电极和漏电极中的一个、源电极和漏电极中的另一个、第一栅极绝缘体以及第一栅电极。电容器包括一个电极、配置在一个电极上的介电质以及配置在介电质上的另一个电极。晶体管的源电极和漏电极中的一个的顶面以及侧面与导电体接触，晶体管的源电极和漏电极中的另一个的顶面与电容器的一个电极接触。介电质包含铁电材料。
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公开(公告)号：CN116097401A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202180057321.3
申请日：2021-08-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/268
Abstract: 提供一种绝缘膜的改性方法。本发明包括如下步骤：准备包含氢的绝缘膜的第一工序；以及通过对绝缘膜进行微波处理，使氢脱离为水分子来降低绝缘膜中的氢含量的第二工序。微波处理在200℃以上且300℃以下的温度范围内使用氧气体及氩气体进行，在氧气流量及氩气流量的总和中氧气流量所占的比率优选大于0％且为50％以下。
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