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公开(公告)号：CN101542632A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000558.2
申请日：2008-05-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/76 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供电阻变化型存储装置，该电阻变化型存储装置(100)具有与各可变电阻层(114)串联连接并且阈值电压为VF的电流抑制元件(116)，在数据的写入或读出时，在与选择非易失性存储元件对应的第一配线(WL)上施加第一电压V1，在与选择非易失性存储元件对应的第二配线(BL)上施加第二电压V2，在与选择非易失性存储元件不对应的第一配线(WL)上施加第三电压V3，在与选择非易失性存储元件不对应的第二配线(BL)上施加第四电压V4，以V5＝(V1+V2)/2作为第五电压V5，满足V2≤V3＜V5和V5＜V4≤V1，并且满足(V1－V4)＜VF或(V3－V2)＜VF。
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公开(公告)号：CN1333386C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN99810988.6
申请日：1999-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B5/60
CPC classification number: G11B5/4853 , G11B5/484 , G11B5/5552
Abstract: 一种信息记录/重现设备，包括：头支撑机构，它包括头和用于携带该头的滑动器；主驱动装置，该头支撑机构还包括：负载梁；多个薄板，包括第一薄板和第二薄板；支撑该滑动器的部件；第一驱动子装置，包括固定在第一薄板上的第一薄膜；第二驱动子装置，包括固定在第二薄板上的第二薄膜，驱动子装置利用薄膜的挠性变形使得头作微小移动。
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公开(公告)号：CN1628976A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410042697.5
申请日：2004-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C04B35/472 , B41J2/14233 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3227 , C04B2235/3262 , C04B2235/787 , G01C19/5621 , G01C19/5628 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/0973 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种压电元件及其制造方法、有该压电元件的喷墨头、喷墨式记录装置及角速度传感器。压电元件具备第一电极膜(2)；压电体层叠膜(10)，由形成于第一电极膜(2)上的第一压电体膜(3)、和形成于该第一压电体膜(3)上且由其来控制结晶取向性的第二压电体膜(4)构成；和形成于第二压电体膜(4)上的第二电极膜(5)。第一和第二压电体膜(3、4)是结晶生长方向从压电体层叠膜(10)的厚度方向一侧指向另一侧的柱状粒子的集合体。第二压电体膜(4)的柱状粒子的截面直径比第一压电体膜(3)的柱状粒子的截面直径大。压电体层叠膜(10)的厚度1与第二压电体膜(4)的截面直径d的比l/d为20以上、60以下。
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公开(公告)号：CN1076850C
公开(公告)日：2001-12-26
申请号：CN94119379.9
申请日：1994-12-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L41/316 , C04B35/472 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C30B23/02 , C30B29/32 , H01L37/025
Abstract: 提供了一种强电介质薄膜，它是通过向添加了La的钛酸铅中添加由能与氧原子进行6配位结合的Mg和Mn中选取的至少一种元素而形成的强电介质薄膜，在薄膜形成时赋予了高的C轴取向性，并且不需要象大晶体那样进行极化处理。它的制造方法是在MgO单晶板9上预先通过溅射形成基底白金电极，然后将单晶板9置于基板加热器10上。从真空室7内抽气，用基板加热器10加热基板9，通过喷嘴14向真空室7内通入作为溅射气体的Ar和O2，保持高真空度。由高频电源8向靶1输入高频电功率其产生等离子体，从而在基板9上成膜。例如，可制造组成为[(1-x)·Pb1-yLayTi1-y/4O3+x·MgO](x＝0.01～0.10，y＝0.05～0.25)的强电介质薄膜。
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公开(公告)号：CN1153398A
公开(公告)日：1997-07-02
申请号：CN96112720.1
申请日：1996-10-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/31
Abstract: 一种有经过精细加工的电介质元件的制造方法。该方法包括利用由氢氟酸和氧化剂构成的腐蚀剂，将在基板上形成的电介质膜蚀刻成规定的图形的工序、以及通过利用由还原剂构成的第1处理液、接着利用由酸构成的第2处理液分别进行处理，将蚀刻残渣除去的工序。能不产生残渣而使电介质膜形成精细的图形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1111388A
公开(公告)日：1995-11-08
申请号：CN94119379.9
申请日：1994-12-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L41/316 , C04B35/472 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C30B23/02 , C30B29/32 , H01L37/025
Abstract: 提供了一种强电介质薄膜，它是通过向添加了La的钛酸铅中添加由能与氧原子进行6配位结合的Mg和Mn中选取的至少一种元素而形成的强电介质薄膜，在薄膜形成时赋予了高的C轴取向性，并且不需要象大晶体那样进行极化处理。它的制造方法是在MgO单晶板9上预先通过溅射形成基底白金电极，然后将单晶板9置于基板加热器10上。从真空室7内抽气，用基板加热器10加热基板9，通过喷嘴14向真空室7内通入作为溅射气体的Ar和O2，保持高真空度。由高频电源8向靶1输入高频电功率其产生等离子体，从而在基板9上成膜。例如，可制造组成为[(1-x)·Pb1-yLayTi1-y/4O3+x·MgO](x＝0.01～0.10，y＝0.05～0.25)的强电介质薄膜。
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公开(公告)号：CN103250253A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201280004090.0
申请日：2012-10-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625
Abstract: 提供一种非易失性半导体存储装置，具备减小了构成电阻变化元件的下部电极和电阻变化层之间的寄生电阻的电阻变化元件。该非易失性半导体存储装置具备：基板（201）；以及电阻变化元件（208），形成于基板（201）上；电阻变化元件（208）具有：下部电极层（202），形成于基板（201）上；电阻变化层（203），形成于下部电极层（202）上；以及上部电极层（204），形成于电阻变化层（203）上；下部电极层（202）至少包括：第1导电层（202a）；以及第2导电层（202c），形成于第1导电层（202a）上，与电阻变化层（203）相接；在第1导电层（202a）的上表面形成有第1导电层（202a）被氧化而成的层、即氧化变质层（202b）。
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公开(公告)号：CN102790073A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210287006.2
申请日：2009-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x
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公开(公告)号：CN101542730B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200880000421.7
申请日：2008-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , Y10S438/90
Abstract: 本发明提供具有高速且可逆的稳定的改写特性、良好的电阻值的保持特性并用于信息家电等电子设备的非易失性存储元件及其制造方法，以及使用了该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(107)；和存在于第一电极(103)与第二电极(107)之间、且电阻值根据施加在两电极(103)、(107)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(106)，该电阻变化层(106)具有叠层有具有由TaOx(其中，0≤x＜2.5)表示的组成的第一含钽层、和具有至少由TaOy(其中，x＜y)表示的组成的第二含钽层的叠层结构。
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公开(公告)号：CN101836296A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200980100763.0
申请日：2009-08-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x＜y；将成为漏极的N型扩散层区域(302b)与下部电极(309a)连接来构成存储器单元(300)，使得在使电阻变化层(309b)成为高电阻的极性的电压信号被施加到晶体管(317)和电阻变化元件(309)的时候，在晶体管(317)不发生基板偏置效果。
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