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公开(公告)号：CN101039014A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710005407.3
申请日：2007-02-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L24/32 , H01L2224/83385 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322
Abstract: 本发明公开了一种光半导体装置。目的在于：提供一种使施加在半导体激光芯片的残留应力施加在所希望的方向上且一定的范围内，以提高半导体激光的性能、可靠性，提高批量生产性的光半导体装置。本发明的光半导体装置20，包括：半导体激光芯片21、安装半导体激光芯片21的基台23、和夹在基台23的上表面与半导体激光芯片21的下表面之间的焊剂层24。半导体激光芯片朝上弯曲为凸起的形状。
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公开(公告)号：CN1489201A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03155316.8
申请日：2003-08-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L25/16 , H01L23/3677 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0652 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/09701 , H01L2924/16152 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H05K1/0206 , H05K1/0306 , H05K1/183 , H05K3/4061 , H05K3/4605 , H05K2203/049 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明的半导体器件，以两面形成电路图形的高导热性陶瓷基片为中心基片，高导热性陶瓷基片一个面上具备具有第1腔体结构的不少于1层的第1电路板，另一个面上具备具有第2腔体结构的不少于1层的第2电路板，第1腔体内的高导热性陶瓷基片上的电路图形上安装第1有源元件，第2腔体内的高导热性陶瓷基片上的电路图形上安装第2有源元件，第2电路板表面上整体形成外部电极，对第1电路板面进行外壳封装或树脂封装，其中，在第2电路板上形成散热性过孔，高导热性陶瓷基片和第2电路板表面的外部电极导热性连接，从第1和第2有源元件选择出的至少一个有源元件发生的热，从高导热性陶瓷基片和散热性过孔经由第2电路板表面的外部电极向外部散热。
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公开(公告)号：CN1412838A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02147355.2
申请日：2002-10-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K1/186 , H01L23/3121 , H01L23/5389 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , H05K1/112 , H05K1/183 , H05K3/284 , H05K3/4614 , H05K3/4629 , H01L2924/00015 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种高频半导体装置，包括：陶瓷基片，包含装于所述陶瓷基片下部的半导体元件与无源元件的元件群，以及为将所述元件群埋没而在所述陶瓷基片下部形成的复合树脂材料层。所述复合树脂材料层由包含环氧树脂与无机充填物的复合树脂材料形成，所述复合树脂材料层的下面呈平坦状，且有外部连接电极形成。采用如射频模块那样的具有接收与发送系统一体化结构的封装，在小型化、高安装密度及散热性等方面性能优良。
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公开(公告)号：CN101960588A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107710.1
申请日：2009-03-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L23/49805 , H01L23/3107 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01079 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。在由多种材料构成的半导体装置中，在经过将粘合的多种材料切断的工序以进行制造的情况下，在切断面露出多种材料的边界线。在该边界线残留有切断时的内部应力，水分、腐蚀性气体容易侵入。因此，用被覆层覆盖出现在切断面的边界线，以防止水分、气体等侵入。此时，为了能够在基板上附有多个半导体装置的状态下直接一并地形成被覆层，在露出边界线的同时进行不将多个半导体装置彼此切离的不完全切割。
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公开(公告)号：CN100521177C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610071051.9
申请日：2006-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01079 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/16195 , H01L2924/00
Abstract: 提供不预先形成分离槽而制造的同时，实施了为搁置光学部件的方法的光学器件用膜腔构造体、光学器件及光学器件用膜腔构造体的制造方法。光学器件用膜腔构造体(C1)，是由绝缘体层(11、13、15)和金属层(12、14、16)相互交错叠层而成，形成了组装于布线衬底的组装面，包括与布线衬底电连接的第一端子部(112)、上表面中央部上具有近似的开口部(2a)的膜腔部(2)、围绕开口部(2a)在上表面形成的搁置透过光学元件芯片(121)接收的光线或发出的光线的透光性构件(124)的透光性构件搁置部(15a)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101399430A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810149135.9
申请日：2008-09-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , G11B7/127 , H01L2224/48091 , H01S5/0021 , H01S5/0071 , H01S5/02212 , H01S5/02216 , H01S5/02224 , H01S5/02248 , H01S5/02292 , H01S5/024 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/34333 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其包含射出从紫外到蓝色的波长的光的发光半导体元件，发光强度无下降、且寿命长。该半导体装置具有：作为发光半导体元件而以450nm以下的波长发光的半导体激光元件(11)；由设置了该半导体激光元件(11)的基座(12a)和封装体主体(12b)构成的封装体(12)；与封装体(12)共同覆盖半导体激光元件(11)的由光学部件(13a)和金属部件(13b)构成的盖(13)，由封装体(12)和盖(13)形成密闭空间(14)。封入密闭空间(14)内的气体，优选其构成为包含氧气15％以上且低于30％，露点被控制在－15℃以上且－5℃以下，并且优选包含氮气或氩气等惰性气体70％以上。
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公开(公告)号：CN1284230C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN02118076.8
申请日：2002-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K3/284 , H01L23/3121 , H01L23/552 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12042 , H01L2924/15159 , H01L2924/15787 , H01L2924/16152 , H01L2924/16195 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H05K1/0218 , H05K3/0052 , H05K2201/09918 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 在本发明的高频模块中，形成绝缘性树脂，以便于封住在基板的一个表面上搭载的高频半导体元件以及电子部件，而且，在该绝缘性树脂的表面上形成金属薄膜。通过该金属薄膜来得到电磁波屏蔽效果。
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公开(公告)号：CN1848418A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200610071051.9
申请日：2006-03-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/01079 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/16195 , H01L2924/00
Abstract: 提供不预先形成分离槽而制造的同时，实施了为搁置光学部件的方法的光学器件用膜腔构造体、光学器件及光学器件用膜腔构造体的制造方法。光学器件用膜腔构造体(C1)，是由绝缘体层(11、13、15)和金属层(12、14、16)相互交错叠层而成，形成了组装于布线衬底的组装面，包括与布线衬底电连接的第一端子部(112)、上表面中央部上具有近似的开口部(2a)的膜腔部(2)、围绕开口部(2a)在上表面形成的搁置透过光学元件芯片(121)接收的光线或发出的光线的透光性构件(124)的透光性构件搁置部(15a)。
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公开(公告)号：CN1221029C
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN02147355.2
申请日：2002-10-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K1/186 , H01L23/3121 , H01L23/5389 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/16152 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H05K1/0306 , H05K1/112 , H05K1/183 , H05K3/284 , H05K3/4614 , H05K3/4629 , H01L2924/00015 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 一种高频半导体装置，包括：陶瓷基片，包含装于所述陶瓷基片下部的半导体元件与无源元件的元件群，以及为将所述元件群埋没而在所述陶瓷基片下部形成的复合树脂材料层。所述复合树脂材料层由包含环氧树脂与无机充填物的复合树脂材料形成，所述复合树脂材料层的下面呈平坦状，且有外部连接电极形成。采用如射频模块那样的具有接收与发送系统一体化结构的封装，在小型化、高安装密度及散热性等方面性能优良。
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公开(公告)号：CN1558714A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN200410003528.0
申请日：2004-01-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H05K5/0091 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H05K3/3405 , H05K9/0039 , H01L2924/00014
Abstract: 本高频装置是在表面设有接地图形的电路基板的正面配置高频电路器件和传送线路，在电路基板上固定金属屏蔽罩以覆盖配置高频电路器件和传送线路。金属屏蔽罩由盖板和接地侧壁构成，该盖板被配置在高频电路器件的上方与电路基板大致平行，该接地侧壁被设置成从该盖板的边缘的一部分垂下的状态、具有弹性并被接合到电路基板的接地图形上，接地侧壁以外的侧面呈开放状。
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