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公开(公告)号：CN101288165A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200680037893.0
申请日：2006-09-08
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 杰弗里·马克斯
IPC: H01L21/77 , C25D5/02 , C25D5/04 , C25D17/28 , G02F1/1368 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L29/4908 , C25D5/022 , C25D5/06 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/458
Abstract: 提供用于将金属特征限定为液晶显示器(LCD)一部分的方法和系统。该方法应用于玻璃基板，并且该玻璃基板具有限定在该玻璃基板或该玻璃基板的层上的掩蔽导电金属层(例如，阻挡层)。反型光刻胶掩模施加在该掩蔽导电金属层上。然后在该反型光刻胶掩模上形成电镀弯液面。该电镀弯液面至少包含电解溶液和电镀化学品，其中，该电镀弯液面在掩蔽导电金属层上的未被该反型光刻胶掩模覆盖的区域内形成金属特征。
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公开(公告)号：CN110379918B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201910500208.2
申请日：2016-04-20
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 本发明涉及图案化MRAM堆栈的干法等离子体蚀刻法。提供了蚀刻金属的方法，所述方法通过沉积可与待被蚀刻的金属和卤素反应以形成挥发性物质的材料以及将衬底暴露于含卤素的气体和活化气体以蚀刻衬底来进行。所沉积的材料可以包括硅、锗、钛、碳、锡、以及它们的组合。方法适合于制造MRAM结构并且可以包括在不破坏真空的情况下将ALD和ALE工艺结合。
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公开(公告)号：CN108807128B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810642746.0
申请日：2016-01-12
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3213 , H01L43/12 , H01L21/316
Abstract: 本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。
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公开(公告)号：CN108682737A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810360987.6
申请日：2015-03-27
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L43/12
CPC classification number: H01L43/12 , C23F1/08 , C23F1/12 , C23F4/00 , H01L21/02554 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L45/1675
Abstract: 本发明涉及蚀刻非挥发性金属材料的方法，具体提供了一种在一个或者多个循环内蚀刻具有至少一个金属层的堆叠的方法。实施初始步骤，将至少一个金属层的一部分转化成金属氧化物、金属卤化物或者晶格损坏的金属部位。实施反应步骤，提供一个或者多个循环，其中每个循环包括提供有机溶剂蒸气以形成溶剂化的金属、金属卤化物或者金属氧化物的状态，以及提供有机配体溶剂以形成挥发性的有机金属化合物。实施挥发性的有机金属化合物的解吸。
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公开(公告)号：CN107039264A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611177683.3
申请日：2016-12-19
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/308
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C16/045 , C23C16/24 , H01J37/32 , H01J37/321 , H01J37/32422 , H01J37/32651 , H01L21/02211 , H01L21/02252 , H01L21/0332 , H01L21/0335 , H01L21/0337 , H01L21/3081 , H01L21/32055 , H01L21/3086
Abstract: 本发明涉及在图案化结构上的定向沉积。本发明提供了通过在图案化结构上执行高度非共形(定向)沉积来促进图案化的方法和相关装置。所述方法包括在图案化结构(例如硬掩模)上沉积膜。沉积可以是衬底选择性的，使得膜相对于下伏的待蚀刻的材料具有高的蚀刻选择性，并且是图案选择性的，使得膜定向沉积以复制图案化结构的图案。在一些实施方式中，在与执行后续蚀刻的室相同的室中执行沉积。在一些实施方式中，沉积可在通过真空传送室连接到蚀刻室的单独室(例如，PECVD沉积室)中执行。沉积可在蚀刻工艺期间之前或在蚀刻工艺期间的选定的间隔期间执行。在一些实施方式中，沉积涉及沉积工艺和处理工艺的多个循环。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047541A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510053668.7
申请日：2015-02-02
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 杰弗里·马克斯 , 理查德·A·戈奇奥 , 丹尼斯·M·豪斯曼 , 阿德里安·拉瓦伊 , 托马斯·尼斯利 , 斯利士·K·雷迪 , 巴德里·N·瓦拉达拉简 , 阿尔图尔·科利奇 , 乔治·安德鲁·安东内利
IPC: H01L21/033 , H01L21/67
CPC classification number: G03F1/76 , C23C18/14 , C23C18/1612 , C23C18/165 , C23C18/182 , G03F7/0043 , G03F7/16 , G03F7/167 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/3213
Abstract: 本发明涉及结合真空的硬掩模工艺和装置，具体而言，用于形成金属硬掩模的结合真空的无光致抗蚀剂的方法和装置可以提供低于30纳米图案的分辨率。在半导体衬底上沉积对图案化剂敏感的含金属(例如，金属盐或有机金属化合物)膜。含金属膜然后通过在真空环境下暴露于图案化剂而被直接图案化(即，不使用光致抗蚀剂)，从而形成所述金属掩模。例如，所述含金属膜是感光性的，图案化使用低于30nm波长的光的光刻(诸如EUV光刻)来进行。
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公开(公告)号：CN104953027A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510140906.8
申请日：2015-03-27
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L43/12
CPC classification number: H01L43/12 , C23F1/08 , C23F1/12 , C23F4/00 , H01L21/02554 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L45/1675
Abstract: 本发明涉及蚀刻非挥发性金属材料的方法，具体提供了一种在一个或者多个循环内蚀刻具有至少一个金属层的堆叠的方法。实施初始步骤，将至少一个金属层的一部分转化成金属氧化物、金属卤化物或者晶格损坏的金属部位。实施反应步骤，提供一个或者多个循环，其中每个循环包括提供有机溶剂蒸气以形成溶剂化的金属、金属卤化物或者金属氧化物的状态，以及提供有机配体溶剂以形成挥发性的有机金属化合物。实施挥发性的有机金属化合物的解吸。
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公开(公告)号：CN101828252B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200880113115.4
申请日：2008-10-15
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 约翰·M·德拉里奥斯 , 埃里克·M·弗里尔 , 迈克尔·拉夫金 , 杰弗里·马克斯
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: 提供用于清洁晶片表面、尤其是图案化晶片的表面的方法和设备。该清洁设备包括在面向该图案化晶片的表面上具有通道的清洁头，该晶片具有占主导地位的图案。流过该通道的清洁材料在图案化晶片的表面施加剪切力，其晶片的方位设为相对该清洁头的一定方向。该剪切力、该图案化晶片的一定方向和该清洁头提高该表面污染物的去除效率。
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公开(公告)号：CN101496141A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200780026262.3
申请日：2007-04-30
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 黄志松 , 杰弗里·马克斯 , S·M·列扎·萨贾迪
IPC: H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/3086 , H01L21/3088 , H01L21/31144 , H01L21/32139
Abstract: 提供一种用于在蚀刻层提供特征的方法。在蚀刻层上提供具有牺牲特征的图案化牺牲层。在该牺牲特征内形成共形侧壁，其包括至少两个侧壁形成工艺循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和侧壁轮廓成形阶段。将共形侧壁之间的图案化牺牲层部分去除，留下其间具有间隙的共形侧壁，在该间隙的图案化牺牲层部分被选择性去除。使用该共形侧壁作为蚀刻掩膜在该蚀刻层蚀刻特征，其中穿过共形侧壁之间的间隙在蚀刻层中蚀刻特征，在该间隙的该图案化牺牲层部分被选择性去除。
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公开(公告)号：CN118263107A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410212576.8
申请日：2019-03-12
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 克伦·J·卡纳里克 , 萨曼莎·西亚姆-华·坦 , 潘阳 , 杰弗里·马克斯
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/308 , H01L21/768 , H01L21/67
Abstract: 提供了一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法。用冷却剂温度低于‑20℃的冷却剂冷却堆叠件。使蚀刻气体流入蚀刻室。由蚀刻气体产生等离子体。相对于图案化的掩模将特征选择性地蚀刻到堆叠件中。
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