公开(公告)号：CN102468185A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110366976.7

申请日：2011-11-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宇圆田大介 ,  松村健 ,  井上刚一 ,  盛田美希

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/552 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L24/27 ,  C09J7/28 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/552 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83091 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/85097 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/2804 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明涉及芯片接合薄膜、切割/芯片接合薄膜、芯片接合薄膜的制造方法以及具有芯片接合薄膜的半导体装置。本发明的课题在于提供可以在不降低生产率的情况下制造具有电磁波屏蔽层的半导体装置。一种芯片接合薄膜，其具有胶粘剂层和由金属箔构成的电磁波屏蔽层，或者一种芯片接合薄膜，其具有胶粘剂层和通过蒸镀形成的电磁波屏蔽层。

公开(公告)号：CN101500718A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200780029948.8

申请日：2007-06-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 菅生悠树 ,  寺田好夫 ,  宇圆田大介 ,  并河亮 ,  吉田良德 ,  前野洋平

IPC: B08B1/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67046 ,  B08B1/00 ,  B08B7/0028 ,  C23C16/4407

Abstract: 本发明提供一种在清洁部位不产生污染、并能够简便、可靠、充分地除去微细的异物、特别是亚微米级的异物的清洁部件。并且，本发明提供一种具有该清洁部件的带清洁功能的搬送部件、以及使用该带清洁功能的搬送部件的基板处理装置的清洁方法。本发明的清洁部件具有清洁层，所述清洁层在表面具有多个柱状结构的凸部，该柱状结构的凸部的长径比为5以上。

公开(公告)号：CN1724588A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510091387.7

申请日：2005-06-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤井弘文 ,  宇圆田大介 ,  寺田好夫 ,  船津麻美 ,  并河亮 ,  丸冈伸明 ,  石坂整 ,  天野康弘

IPC: C08L47/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种特别是可用于除尘的耐热性树脂，以及使用该树脂的耐热性优异的半导体装置的除尘用基板。其在高温下可以使用，而且可用于HDD用途和一部分半导体用途等即使产生有机硅污染的重大危害的场合。本发明提供在主链中具有丁二烯－丙烯腈共聚物作为一部分结构单元的耐热性树脂以及使用该树脂的除尘用基板。

公开(公告)号：CN103996672A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410168418.3

申请日：2011-11-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宇圆田大介 ,  松村健 ,  井上刚一 ,  盛田美希

IPC: H01L23/552

CPC classification number: H01L25/0657 ,  C09J7/28 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/552 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明涉及半导体装置用胶粘薄膜以及半导体装置。本发明的课题在于减少从一个半导体芯片释放的电磁波对同一封装内的另一个半导体芯片、安装的衬底、相邻的器件、封装等产生的影响。一种半导体装置用胶粘薄膜，具有胶粘剂层和电磁波屏蔽层，其特征在于，透过所述半导体装置用胶粘薄膜的电磁波的衰减量，对于50MHz～20GHz范围的频域的至少一部分而言，为3dB以上。

公开(公告)号：CN103531675A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310269366.4

申请日：2013-06-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高桥智一 ,  秋月伸也 ,  杉村敏正 ,  松村健 ,  宇圆田大介

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/60 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L21/6836 ,  H01L33/0079 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明提供一种LED的制造方法，根据本发明的实施方式的LED的制造方法包括：在LED晶圆的基板的外侧形成反射层，所述LED晶圆包括所述基板和在所述基板的一面上的发光元件；以及在形成反射层之前，将耐热性压敏粘合片贴附到所述发光元件的外侧。

公开(公告)号：CN103531673A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310268247.7

申请日：2013-06-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高桥智一 ,  秋月伸也 ,  杉村敏正 ,  松村健 ,  宇圆田大介

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336

Abstract: 一种LED的制造方法，根据本发明的实施方式的LED的制造方法包括：背面研磨LED晶圆的基板，该LED晶圆包括发光元件和该基板；以及在背面研磨之前或者在背面研磨中研磨该基板之后，将保护片贴附到该LED晶圆。

公开(公告)号：CN102898967A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210260877.5

申请日：2012-07-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  大西谦司 ,  宇圆田大介

IPC: C09J7/00 ,  C09J133/00 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08

Abstract: 本发明涉及胶粘片及其用途。本发明提供在抑制半导体晶片等的破裂或缺损的同时化学稳定性优良、并且物性容易控制的半导体装置制造用的胶粘片。一种半导体装置制造用的胶粘片，其特征在于，含有：热塑性树脂，所述热塑性树脂具有环氧基并且不具有羧基，热固性树脂，和络合物形成性有机化合物，所述络合物形成性有机化合物含有包含叔氮原子作为环原子的杂环化合物，并且能够与阳离子形成络合物。

公开(公告)号：CN102768966A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210134882.1

申请日：2012-04-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宇圆田大介 ,  并河亮 ,  松村健

IPC: H01L21/66 ,  B08B1/00

CPC classification number: B08B1/006

Abstract: 本发明提供用于除去附着在导通测试用探针卡的探针上的异物的清洁装置，其特征在于，其不磨耗探针就可有效地除去附着的异物。本发明的清洁片具有用于除去附着在导通测试用探针卡的探针上的异物的清洁层，其特征在于，该清洁层的按照JIS-B-0601求出的算数平均粗糙度Ra为100nm以下。

公开(公告)号：CN101402091B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN200810170809.3

申请日：2004-04-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 寺田好夫 ,  并河亮 ,  宇圆田大介 ,  船津麻美

IPC: B08B1/00 ,  B08B7/00 ,  H01L21/30

CPC classification number: B08B1/006 ,  B08B1/00 ,  B08B7/00 ,  B08B7/0028 ,  C11D3/162 ,  C11D17/049 ,  H05K3/26

Abstract: 本发明涉及清洁片、具有清洁功能的承载元件和基片处理设备的清洁方法。包括清洁层和层压于该清洁层上的可剥离的保护膜的清洁片，其中当保护膜被从清洁层剥离时，根据飞行时间二次离子质谱法，在阳离子的情况下相对于C2H3+或在阴离子的情况下相对于O-，在清洁层中碎片离子CH3Si+，C3H9Si+，C5H15Si2O+，C5H15Si3O3+，C7H21Si3O2+，CH3SiO-，CH3SiO2-和Si+的相对强度为0.1或更少。

公开(公告)号：CN100535031C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200510124931.3

申请日：2005-10-19

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 寺田好夫 ,  藤井弘文 ,  并河亮 ,  宇圆田大介 ,  天野康弘

IPC: C08G73/10 ,  C09D179/08 ,  H01L21/312

Abstract: 本发明提供了一种基片处理设备的清洁基片，其包含清洁层，所述清洁层包括位于基片的至少一个表面上的且在20℃～150℃下存储模量(1Hz)为5×107Pa至1×109Pa的耐热性树脂；并且提供了一种适合用于清洁层的并可以用于涉及由于硅氧烷杂质而可能产生严重缺陷的应用，例如HDD应用和一些半导体应用中的耐热性树脂的聚酰亚胺树脂。