公开(公告)号：CN113782478A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202110597940.3

申请日：2021-05-31

Applicant: 日东电工株式会社 ,  日东精机株式会社

Inventor： 秋月伸也 ,  山本雅之

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供能够相对于形成有环状凸部的半导体晶圆的环状凸部形成面精度良好地粘贴粘合片并能更可靠地避免在该半导体晶圆产生损伤的粘合片粘贴方法、粘合片粘贴装置和半导体产品的制造方法。该粘合片粘贴方法具备粘贴过程，在该粘贴过程中，通过对在一个面的外周具有环状凸部(Ka)的晶圆(W)的环状凸部形成面附着有粘合片(DT)而构成的片复合体(M)施加比大气压高的压力，从而将粘合片(DT)粘贴于晶圆(W)的环状凸部形成面。在粘贴过程中，能够对粘合片(DT)施加足够大的按压力(V1)，因此能够大大提高粘合片(DT)与晶圆(W)的密合力。因此，即使在经过了时间的情况下也能够避免粘合片(DT)从晶圆(W)剥离。

公开(公告)号：CN1330704C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200410100191.5

申请日：2004-12-03

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 丰田英志 ,  冈田武士 ,  吉川桂介 ,  惠藤拓也 ,  池村和弘 ,  秋月伸也 ,  石坂刚 ,  内田贵大 ,  丰田庆

IPC: C08L63/00 ,  C09K3/10 ,  H01L23/28

CPC classification number: C08L61/06 ,  C08G59/621 ,  C08G59/688 ,  C08L61/04 ,  C08L63/00 ,  H01L23/293 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  C08L2666/22 ,  C08L2666/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种生产半导体封装用环氧树脂组合物的方法，该组合物不会引起空隙产生等并且可靠性优异。一种生产半导体封装用环氧树脂组合物的方法，其中环氧树脂组合物包含下列组分(A)至(C)：(A)环氧树脂，(B)酚树脂，和(C)固化促进剂，该方法包括预先在1.333至66.65kPa的减压下和在100至230℃的加热条件下混合包含组分(A)至(C)的组分中除组分(A)外的全部或部分组分，和然后使组分(A)和剩余组分与得到的混合物混合。

公开(公告)号：CN117995741A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311210398.7

申请日：2023-09-19

Applicant: 日东电工株式会社 ,  日东精机株式会社

Inventor： 秋月伸也 ,  山本雅之 ,  村山聪洋

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够对工件更加精度良好地粘贴粘合带的粘合带粘贴装置。对于对工件(W)粘贴粘合带(PT)的粘合带粘贴装置(1)，具备：保持台(13)，其保持工件(W)的被保持面(Wb)；腔室(29)，其收纳保持台(13)，通过利用上外壳(29B)和下外壳(29A)夹入输送用片(T)而将该腔室(29)划分成上空间(H2)和下空间(H1)；以及粘贴单元(9)，其在上空间(H2)与下空间(H1)之间产生压差(Gs)，利用该压差(Gs)将粘合带(PT)粘贴于工件(W)，保持台(13)具备：工件支承部(39)，其由刚体构成，支承工件(W)；和凹部(41)，其防止工件(W)以倾斜着的状态被保持。

公开(公告)号：CN117542782A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202310831242.4

申请日：2023-07-07

Applicant: 日东电工株式会社 ,  日东精机株式会社

Inventor： 秋月伸也 ,  山本雅之 ,  村山聪洋

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供在以利用支承体支承工件的状态进行各种处理的结构中能够防止工件产生不良且使工件容易地脱离支承体的工件处理方法和工件处理装置。工件处理方法具备：将由保持工件(W)的保持薄膜(3)层叠在承载件(1)之上而成的薄膜层叠体(5)载置于支承台的过程；将工件(W)载置于薄膜层叠体(5)中的保持薄膜(3)侧而使工件(W)保持于保持薄膜(3)的过程；对工件(W)进行预定处理的过程；以及使工件(W)脱离薄膜层叠体(5)的过程，保持薄膜(3)由包含有机硅化合物、氟化合物或聚酰亚胺的多孔体构成。

公开(公告)号：CN103531676A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310270481.3

申请日：2013-06-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高桥智一 ,  秋月伸也 ,  杉村敏正 ,  松村健 ,  宇圆田大介

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L21/6836 ,  H01L33/0079 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明提供一种LED的制造方法，根据本发明的实施方式的LED的制造方法包括：背面研磨LED晶圆的基板，所述LED晶圆包括所述基板和形成在所述基板的一面上的发光元件；在所述背面研磨之后，在所述基板的外侧形成反射层；以及在所述LED晶圆的发光元件的外侧贴附耐热性压敏粘合片。

公开(公告)号：CN113782477A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202110584797.4

申请日：2021-05-27

Applicant: 日东电工株式会社 ,  日东精机株式会社

Inventor： 秋月伸也 ,  山本雅之

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供能够相对于形成有环状凸部的半导体晶圆的环状凸部形成面精度良好地粘贴粘合片并能更可靠地避免在半导体晶圆产生损伤的粘合片粘贴方法、粘合片粘贴装置和半导体产品的制造方法。该粘合片粘贴方法具备：第1粘贴过程，在该第1粘贴过程中，将粘合带(DT)和在一个面的外周具有环状凸部(Ka)的晶圆(W)收纳于腔室(29)，在将腔室(29)的内部空间减压了的状态下使粘合带(DT)接触于晶圆(W)的环状凸部形成面，由此利用粘合带(DT)覆盖该环状凸部形成面；以及第2粘贴过程，该第2粘贴过程是在该第1粘贴过程之后，通过提高腔室(29)的内部空间的压力，从而将粘合带(DT)粘贴于晶圆(W)的环状凸部形成面。

公开(公告)号：CN103531675A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310269366.4

申请日：2013-06-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高桥智一 ,  秋月伸也 ,  杉村敏正 ,  松村健 ,  宇圆田大介

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/60 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L21/6836 ,  H01L33/0079 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明提供一种LED的制造方法，根据本发明的实施方式的LED的制造方法包括：在LED晶圆的基板的外侧形成反射层，所述LED晶圆包括所述基板和在所述基板的一面上的发光元件；以及在形成反射层之前，将耐热性压敏粘合片贴附到所述发光元件的外侧。

公开(公告)号：CN103531673A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310268247.7

申请日：2013-06-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高桥智一 ,  秋月伸也 ,  杉村敏正 ,  松村健 ,  宇圆田大介

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336

Abstract: 一种LED的制造方法，根据本发明的实施方式的LED的制造方法包括：背面研磨LED晶圆的基板，该LED晶圆包括发光元件和该基板；以及在背面研磨之前或者在背面研磨中研磨该基板之后，将保护片贴附到该LED晶圆。

公开(公告)号：CN103165478A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210543925.1

申请日：2012-12-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 清水祐作 ,  秋月伸也 ,  小田高司 ,  丰田英志 ,  松村健

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体芯片的污染少且生产效率高的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法，其特征在于，其是具备半导体芯片的半导体装置的制造方法，该制造方法具备以下工序：工序A，准备半导体芯片；工序B，准备具有热固化型树脂层的树脂片；工序C，在热固化型树脂层上配置多个半导体芯片；和工序D，在多个半导体芯片上配置保护膜，并通过隔着配置的保护膜而施加的压力，将多个半导体芯片埋入热固化型树脂层；其中，保护膜对水的接触角为90°以下。

公开(公告)号：CN101906236A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010198300.7

申请日：2010-06-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 秋月伸也 ,  石坂刚 ,  田渊康子 ,  市川智昭

IPC: C08L63/00 ,  C08K13/02 ,  C08K5/09 ,  C08G59/68 ,  C08G59/22 ,  C08G59/24 ,  H01L23/29

CPC classification number: C08G59/245 ,  C08G59/5073 ,  C08G59/621 ,  C08G59/686 ,  C08L63/00 ,  C08L71/00 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L2924/0002 ,  C08L2666/22 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体封装用环氧树脂组合物以及使用所述组合物的半导体装置，所述组合物包括如下成分(A)至(E)：(A)双官能环氧树脂，(B)固化剂，(C)以式(1)表示的咪唑化合物，其中R1和R2各自独立地表示烷基或羟烷基，且其中R1和R2中的至少一个表示羟烷基，R3表示烷基或芳基，(D)具有550至800的数均分子量的直链饱和羧酸，和(E)无机填料。