公开(公告)号：CN104798448B

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201380060162.8

申请日：2013-10-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宇圆田大介 ,  丰田英志 ,  鸟成刚 ,  清水祐作 ,  森弘幸

IPC: H05K1/03 ,  C08J5/18 ,  C08L63/00

CPC classification number: C08J5/18 ,  C08G59/08 ,  C08G59/621 ,  C08G59/686 ,  C08J2363/00 ,  C08L63/00 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49822 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191

Abstract: 一种树脂片，是用于形成可与形成于半导体芯片上的电极连接的布线电路基板的树脂片，所述树脂片在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且25℃以下的甲乙酮中浸渍2400秒钟后的重量减少率为1.0重量％以下。

公开(公告)号：CN103890116A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280050829.1

申请日：2012-09-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宇圆田大介 ,  白川裕亮 ,  浜本宽 ,  小田高司 ,  丰田英志 ,  松村健

IPC: C09J7/00 ,  C08G73/10 ,  C09J179/08 ,  B32B27/00 ,  B32B27/34

CPC classification number: C08G73/1082 ,  C08G73/1042 ,  C08G73/105 ,  C09D5/20 ,  C09D179/08

Abstract: 本发明的目的在于提供一种在更高温度下表现剥离性的热剥离型片材。提供一种热剥离型片材，其在200℃保持1分钟后的该温度下对硅晶圆的剪切粘接力为0.25kg/5×5mm以上，在大于200℃且为500℃以下的温度区域中的任意温度保持3分钟后的该温度下对硅晶圆的剪切粘接力不足0.25kg/5×5mm。

公开(公告)号：CN103531676A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310270481.3

申请日：2013-06-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高桥智一 ,  秋月伸也 ,  杉村敏正 ,  松村健 ,  宇圆田大介

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L21/6836 ,  H01L33/0079 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明提供一种LED的制造方法，根据本发明的实施方式的LED的制造方法包括：背面研磨LED晶圆的基板，所述LED晶圆包括所述基板和形成在所述基板的一面上的发光元件；在所述背面研磨之后，在所述基板的外侧形成反射层；以及在所述LED晶圆的发光元件的外侧贴附耐热性压敏粘合片。

公开(公告)号：CN102569263A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110370054.3

申请日：2011-11-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宇圆田大介 ,  松村健 ,  井上刚一 ,  盛田美希

IPC: H01L23/552

CPC classification number: H01L25/0657 ,  C09J7/28 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/552 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明涉及半导体装置用胶粘薄膜以及半导体装置。本发明的课题在于减少从一个半导体芯片释放的电磁波对同一封装内的另一个半导体芯片、安装的衬底、相邻的器件、封装等产生的影响。一种半导体装置用胶粘薄膜，具有胶粘剂层和电磁波屏蔽层，其特征在于，透过所述半导体装置用胶粘薄膜的电磁波的衰减量，对于50MHz～20GHz范围的频域的至少一部分而言，为3dB以上。

公开(公告)号：CN102559085A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110367402.1

申请日：2011-11-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宇圆田大介 ,  松村健 ,  井上刚一 ,  盛田美希

IPC: C09J7/02 ,  H01L23/552 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01079 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及倒装芯片型半导体背面用薄膜、切割带一体型半导体背面用薄膜、倒装芯片型半导体背面用薄膜的制造方法以及半导体装置。本发明的课题在于可以在倒装芯片式连接到被粘物上的半导体元件的背面设置电磁波屏蔽层，并且可以在不降低生产率的情况下制造具有该电磁波屏蔽层的半导体装置。一种倒装芯片型半导体背面用薄膜，用于在倒装芯片式连接到被粘物上的半导体元件的背面上形成，其具有胶粘剂层和电磁波屏蔽层。

公开(公告)号：CN1589980B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200410079435.6

申请日：2004-04-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 寺田好夫 ,  并河亮 ,  宇圆田大介 ,  船津麻美

IPC: B08B7/00 ,  H01L21/30

CPC classification number: B08B1/006 ,  B08B1/00 ,  B08B7/00 ,  B08B7/0028 ,  C11D3/162 ,  C11D17/049 ,  H05K3/26

Abstract: 包括清洁层和层压于该清洁层上的可剥离的保护膜的清洁片，其中当保护膜被从清洁层剥离时，根据飞行时间二次离子质谱法，在阳离子的情况下相对于C2H3+或在阴离子的情况下相对于O-，在清洁层中碎片离子CH3Si+，C3H9Si+，C5H15Si2O+，C5H15Si3O3+，C7H21Si3O2+，CH3SiO-，CH3SiO2-和Si+的相对强度为0.1或更少。

公开(公告)号：CN102413951B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201080018442.9

申请日：2010-04-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宇圆田大介

IPC: B08B1/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: B08B1/00 ,  B08B7/00 ,  B08B7/0028 ,  C09J7/22

Abstract: 本发明提供一种异物去除性能及搬送性能优异，且可效率尤其良好地去除具有规定粒径的异物的清洁片及带有清洁功能的搬送构件。本发明的清洁片具备实质上不具有粘合力的清洁层，该清洁层具有平均表面粗糙度Ra为0.10μm以上的凹凸形状部分，并且该清洁层对硅晶圆的镜面的以JIS-Z-0237规定的180°剥离粘合力为小于0.20N/10mm。本发明的带有清洁功能的搬送构件具备搬送构件、设置在该搬送构件的至少单面的本发明的清洁层。

公开(公告)号：CN104910825A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510225030.7

申请日：2012-07-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  菅生悠树 ,  宇圆田大介

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/14 ,  C09J133/08 ,  C09J133/12 ,  C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/06 ,  C09J11/04

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及胶粘片及其用途。本发明提供在抑制半导体晶片等的破裂或缺损的同时具有化学稳定性、并且物性容易控制的半导体装置制造用的胶粘片。一种半导体装置制造用的胶粘片，其特征在于，含有：热塑性树脂，所述热塑性树脂具有羧基并且不具有环氧基；热固性树脂；和络合物形成性有机化合物，所述络合物形成性有机化合物含有具有两个以上酚羟基的苯环，并且能够与阳离子形成络合物。

公开(公告)号：CN104798448A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201380060162.8

申请日：2013-10-16

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宇圆田大介 ,  丰田英志 ,  鸟成刚 ,  清水祐作 ,  森弘幸

IPC: H05K1/03 ,  C08J5/18 ,  C08L63/00

CPC classification number: C08J5/18 ,  C08G59/08 ,  C08G59/621 ,  C08G59/686 ,  C08J2363/00 ,  C08L63/00 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49822 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191

Abstract: 一种树脂片，是用于形成可与形成于半导体芯片上的电极连接的布线电路基板的树脂片，所述树脂片在180℃进行1小时热固化后，在20℃以上且25℃以下的甲乙酮中浸渍2400秒钟后的重量减少率为1.0重量％以下。

公开(公告)号：CN103515279A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310247086.3

申请日：2013-06-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 秋月伸也 ,  杉村敏正 ,  宇圆田大介 ,  松村健

IPC: H01L21/683 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/58 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/6835 ,  H01L33/0079 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/0002 ,  H01L24/80 ,  H01L2924/0001

Abstract: 本发明提供能够实现生产效率进一步提高的半导体元件的制造方法。本发明的半导体元件的制造方法，具有以下工序：将转印用基板和形成于功能层形成用基板上的功能层借助临时固定层进行贴合的工序；除去功能层形成用基板而使功能层露出的工序；在露出的功能层上贴合最终基板的工序；和将临时固定层和转印用基板从功能层分离的工序，其中，对于临时固定层而言，(A)在200℃保持1分钟后在该温度下对硅晶片的剪切粘接力为0.25kg/5×5mm以上，并且在大于200℃且500℃以下的温度区域中的任意温度下保持3分钟后在该温度下对硅晶片的剪切粘接力小于0.25kg/5×5mm；或者(B)在50℃的N-甲基-2-吡咯烷酮中浸渍60秒钟并且在150℃下干燥30分钟后的重量减少率为1.0重量％以上。