公开(公告)号：CN1724588A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510091387.7

申请日：2005-06-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤井弘文 ,  宇圆田大介 ,  寺田好夫 ,  船津麻美 ,  并河亮 ,  丸冈伸明 ,  石坂整 ,  天野康弘

IPC: C08L47/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种特别是可用于除尘的耐热性树脂，以及使用该树脂的耐热性优异的半导体装置的除尘用基板。其在高温下可以使用，而且可用于HDD用途和一部分半导体用途等即使产生有机硅污染的重大危害的场合。本发明提供在主链中具有丁二烯－丙烯腈共聚物作为一部分结构单元的耐热性树脂以及使用该树脂的除尘用基板。

公开(公告)号：CN101402091B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN200810170809.3

申请日：2004-04-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 寺田好夫 ,  并河亮 ,  宇圆田大介 ,  船津麻美

IPC: B08B1/00 ,  B08B7/00 ,  H01L21/30

CPC classification number: B08B1/006 ,  B08B1/00 ,  B08B7/00 ,  B08B7/0028 ,  C11D3/162 ,  C11D17/049 ,  H05K3/26

Abstract: 本发明涉及清洁片、具有清洁功能的承载元件和基片处理设备的清洁方法。包括清洁层和层压于该清洁层上的可剥离的保护膜的清洁片，其中当保护膜被从清洁层剥离时，根据飞行时间二次离子质谱法，在阳离子的情况下相对于C2H3+或在阴离子的情况下相对于O-，在清洁层中碎片离子CH3Si+，C3H9Si+，C5H15Si2O+，C5H15Si3O3+，C7H21Si3O2+，CH3SiO-，CH3SiO2-和Si+的相对强度为0.1或更少。

公开(公告)号：CN1589980B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200410079435.6

申请日：2004-04-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 寺田好夫 ,  并河亮 ,  宇圆田大介 ,  船津麻美

IPC: B08B7/00 ,  H01L21/30

CPC classification number: B08B1/006 ,  B08B1/00 ,  B08B7/00 ,  B08B7/0028 ,  C11D3/162 ,  C11D17/049 ,  H05K3/26

Abstract: 包括清洁层和层压于该清洁层上的可剥离的保护膜的清洁片，其中当保护膜被从清洁层剥离时，根据飞行时间二次离子质谱法，在阳离子的情况下相对于C2H3+或在阴离子的情况下相对于O-，在清洁层中碎片离子CH3Si+，C3H9Si+，C5H15Si2O+，C5H15Si3O3+，C7H21Si3O2+，CH3SiO-，CH3SiO2-和Si+的相对强度为0.1或更少。

公开(公告)号：CN101402091A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810170809.3

申请日：2004-04-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 寺田好夫 ,  并河亮 ,  宇圆田大介 ,  船津麻美

IPC: B08B1/00 ,  B08B7/00 ,  H01L21/30

CPC classification number: B08B1/006 ,  B08B1/00 ,  B08B7/00 ,  B08B7/0028 ,  C11D3/162 ,  C11D17/049 ,  H05K3/26

Abstract: 本发明涉及清洁片、具有清洁功能的承载元件和基片处理设备的清洁方法。包括清洁层和层压于该清洁层上的可剥离的保护膜的清洁片，其中当保护膜被从清洁层剥离时，根据飞行时间二次离子质谱法，在阳离子的情况下相对于C2H3+或在阴离子的情况下相对于O－，在清洁层中碎片离子CH3Si+，C3H9Si+，C5H15Si2O+，C5H15Si3O3+，C7H21Si3O2+，CH3SiO－，CH3SiO2－和Si+的相对强度为0.1或更少。

公开(公告)号：CN1589980A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410079435.6

申请日：2004-04-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 寺田好夫 ,  并河亮 ,  宇圆田大介 ,  船津麻美

IPC: B08B7/00 ,  H01L21/30

CPC classification number: B08B1/006 ,  B08B1/00 ,  B08B7/00 ,  B08B7/0028 ,  C11D3/162 ,  C11D17/049 ,  H05K3/26

Abstract: 包括清洁层和层压于该清洁层上的可剥离的保护膜的清洁片，其中当保护膜被从清洁层剥离时，根据飞行时间二次离子质谱法，在阳离子的情况下相对于C2H3+或在阴离子的情况下相对于O－，在清洁层中碎片离子CH3Si+，C3H9Si+，C5H15Si2O+，C5H15Si3O3+，C7H21Si3O2+，CH3SiO－，CH3SiO2－和Si+的相对强度为0.1或更少。

公开(公告)号：CN3467196D

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200430009792.6

申请日：2004-09-30

Applicant: 日东电工株式会社

Designer： 宇圆田大介 ,  船津麻美 ,  寺田好夫 ,  并河亮 ,  石坂整 ,  川西道朗

Abstract: 本外观设计涉及一种用于清洁半导体制

公开(公告)号：CN3465635D

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200430009793.0

申请日：2004-09-30

Applicant: 日东电工株式会社

Designer： 船津麻美 ,  寺田好夫 ,  宇圆田大介 ,  并河亮 ,  石坂整 ,  川西道朗

公开(公告)号：CN3470388D

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200430009791.1

申请日：2004-09-30

Applicant: 日东电工株式会社

Designer： 宇圆田大介 ,  船津麻美 ,  寺田好夫 ,  并河亮 ,  石坂整 ,  川西道朗