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公开(公告)号：CN102610764A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210010909.6
申请日：2012-01-11
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 并河亮
CPC classification number: H01L51/0097 , H01L51/003 , H01L51/5253 , H01L51/56 , Y02E10/549
Abstract: 一种有机EL装置的制造方法及有机EL装置制造用基板，所述方法包括：有机EL装置的制造方法包括准备其上层叠有树脂基板的粘接片的工序；介由粘接片将树脂基板粘接在硬质基板上的工序；通过在树脂基板上形成有机EL元件，从而制造具备树脂基板和有机EL元件的有机EL装置的工序；以及从硬质基板剥离有机EL装置的工序。粘接片包括：贴附于硬质基板的第一粘接剂层和在第一粘接剂层上形成的、贴附于树脂基板的第二粘接剂层。在树脂基板的端部划分有在厚度方向上投影时与第二粘接剂层不重叠且与第一粘接剂层重叠的非粘接区域。
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公开(公告)号：CN1796528A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510129756.7
申请日：2002-10-31
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B08B7/0028 , C11D17/049 , Y10T428/14 , Y10T428/1452 , Y10T428/1457 , Y10T428/1471 , Y10T428/1476 , Y10T428/2839 , Y10T428/2848
Abstract: 一种清洁片，包括：清洁层和采用包括硅氧烷的释放剂处理的保护膜，保护膜在清洁层的至少一侧上被提供为分隔物，其中当从清洁层剥离分隔物时，按照聚二甲基硅氧烷计算，粘附到清洁层的硅氧烷的量为0.005g/m2或更少。
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公开(公告)号：CN1433341A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN01810681.1
申请日：2001-05-08
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B08B1/00 , B08B7/00 , B08B7/0028 , Y10T156/1052 , Y10T428/2481 , Y10T428/24818 , Y10T428/249982
Abstract: 本发明提供了一种清除基片处理设备内部的异物的清洁片。该清洁片包括基本上没有胶粘性和根据JISK7127确定的拉伸模量不小于0.98N/mm2的清洁层。或者，清洁片包括Vickers硬度不小于10的一个清洁层。
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公开(公告)号：CN101402091B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200810170809.3
申请日：2004-04-14
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B08B1/006 , B08B1/00 , B08B7/00 , B08B7/0028 , C11D3/162 , C11D17/049 , H05K3/26
Abstract: 本发明涉及清洁片、具有清洁功能的承载元件和基片处理设备的清洁方法。包括清洁层和层压于该清洁层上的可剥离的保护膜的清洁片，其中当保护膜被从清洁层剥离时，根据飞行时间二次离子质谱法，在阳离子的情况下相对于C2H3+或在阴离子的情况下相对于O-，在清洁层中碎片离子CH3Si+，C3H9Si+，C5H15Si2O+，C5H15Si3O3+，C7H21Si3O2+，CH3SiO-，CH3SiO2-和Si+的相对强度为0.1或更少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100535031C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200510124931.3
申请日：2005-10-19
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08G73/10 , C09D179/08 , H01L21/312
Abstract: 本发明提供了一种基片处理设备的清洁基片，其包含清洁层，所述清洁层包括位于基片的至少一个表面上的且在20℃～150℃下存储模量(1Hz)为5×107Pa至1×109Pa的耐热性树脂；并且提供了一种适合用于清洁层的并可以用于涉及由于硅氧烷杂质而可能产生严重缺陷的应用，例如HDD应用和一些半导体应用中的耐热性树脂的聚酰亚胺树脂。
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公开(公告)号：CN100372619C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN01812486.0
申请日：2001-05-08
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B08B1/00 , B08B7/00 , B08B7/0028 , Y10T428/1462 , Y10T428/1476 , Y10T428/1481 , Y10T428/28 , Y10T428/2839 , Y10T428/2891
Abstract: 一种清洁片，包括具有不低于1×1013Ω/□的表面电阻率的清洁层。在一种制造具有清洁功能的输运元件的方法中，将清洁片借助一普通粘结层粘到该输运元件上以具有比该输运元件的形状大的形状，然后沿该输运元件的形状切割该清洁片，在该清洁片中由借助作用能量聚合/固化的粘结剂形成的清洁层设置在基体材料的一个表面上，且一普通粘结层设置在其另一表面上，其中，该清洁层的聚合/固化反应在该清洁片被切割成该输运元件的形状后进行。
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公开(公告)号：CN1589980B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200410079435.6
申请日：2004-04-14
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B08B1/006 , B08B1/00 , B08B7/00 , B08B7/0028 , C11D3/162 , C11D17/049 , H05K3/26
Abstract: 包括清洁层和层压于该清洁层上的可剥离的保护膜的清洁片，其中当保护膜被从清洁层剥离时，根据飞行时间二次离子质谱法，在阳离子的情况下相对于C2H3+或在阴离子的情况下相对于O-，在清洁层中碎片离子CH3Si+，C3H9Si+，C5H15Si2O+，C5H15Si3O3+，C7H21Si3O2+，CH3SiO-，CH3SiO2-和Si+的相对强度为0.1或更少。
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公开(公告)号：CN100544839C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200380104054.2
申请日：2003-11-10
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B08B1/00 , H01L21/304 , G02F1/13 , H01L21/68
Abstract: 本发明公开了一种清洁元件，所述清洁元件在通过将清洁元件输送至装置内，清除装置内部的外来物质的过程中，不通过离子杂质污染基板处理装置。本发明还公开了一种清洁元件，所述清洁元件在通过将清洁元件输送至装置内，清除装置内部的外来物质的过程中，不通过金属杂质污染基板处理装置。具体地，公开了一种清洁片，所述清洁片的特征在于在支持体的一个表面上提供F-、Cl-、Br-、NO2-、NO3-、PO43-、SO42-、Na+、NH4+和K+的纯水提取量都为20ppm或更少(于120℃沸腾下提取1小时)，而在支持体的另一个表面上具有粘合剂层。本发明还公开了一种清洁片，其特征在于在支持体的一个表面上提供Na、K、Ca、Mg、Al、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu和Zn或其化合物的量以各自的金属元素计时各自为5ppm(μg/g)的清洁层，以及提供在另一侧上的粘合剂层。
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公开(公告)号：CN1610736A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN02825114.8
申请日：2002-10-31
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C11D17/049 , B08B7/0028 , C11D3/373
Abstract: 一种清洁片，包括：清洁层和采用包括硅氧烷的释放剂处理的保护膜，保护膜在清洁层的至少一侧上被提供为分隔物，其中当从清洁层剥离分隔物时，按照聚二甲基硅氧烷计算，粘附到清洁层的硅氧烷的量为0.005g/m2或更少。
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