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公开(公告)号：CN111133579A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201880057320.7
申请日：2018-08-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L27/06 , H01L27/07 , H01L21/768 , H01L21/283 , H01L21/321 , H01L21/02
Abstract: 描述了形成存储器结构的方法。金属膜沉积在结构化基板的特征中，且体积地膨胀以形成柱。将毯覆膜沉积达一高度，所述高度小于所述柱的高度，且从所述柱的顶部移除所述毯覆膜。减少所述柱的高度，使得所述柱的顶部是在所述毯覆膜的表面下方，且任选地重复该工艺，以形成预定高度的结构。在形成所述预定高度的结构之后，能够从所述特征移除所述柱，以形成高深宽比特征。
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公开(公告)号：CN111066140A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201880058616.0
申请日：2018-09-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 描述了产生自对准的结构的方法。方法包含在基板特征中形成含金属薄膜，且硅化所述含金属薄膜以形成包含金属硅化物的自对准的结构。在某些实施例中，控制形成所述自对准的结构的速率。在某些实施例中，控制用于形成所述自对准的结构的所述含金属薄膜的体积膨胀的量。也描述了形成自对准的通孔的方法。
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公开(公告)号：CN111052346A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880055895.5
申请日：2018-08-06
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/304
Abstract: 描述了形成自对准高深宽比特征的处理方法。所述方法包括在结构化基板上沉积金属膜、容积地扩张所述金属膜、在所扩张的柱体之间沉积第二膜、与可选地使所述柱体凹陷以及重复此处理以形成高深宽比结构。
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公开(公告)号：CN117524848A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311477340.9
申请日：2018-05-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/50 , C23C16/56 , C23C16/26 , G03F7/20 , H01L21/311 , H01L21/683 , H01L21/67 , H10B43/27 , H10B41/20 , H01L21/033 , H10B41/27 , H10B43/20 , H01J37/32
Abstract: 本公开的实施方式大体涉及集成电路的制造。更具体地，本文中描述的实施方式提供用于沉积用于图案化应用的高密度膜的技术。在一个实施方式中，提供一种处理基板的方法。该方法包括使含烃气体混合物流动至处理腔室的处理容积中，该处理腔室具有定位于静电吸盘上的基板。该基板维持在介于约0.5毫托与约10托之间的压力下。该方法还包括通过将第一RF偏压施加于该静电吸盘，在基板层级产生等离子体，以在该基板上沉积类金刚石碳膜。该类金刚石碳膜具有大于1.8g/cc的密度及小于‑500MPa的应力。
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公开(公告)号：CN116978778A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310971928.3
申请日：2017-06-26
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本文描述的实现大体涉及一种用于形成金属层的方法和一种用于在金属层上形成氧化物层的方法，在一个实现中，在种晶层上形成所述金属层，并且所述种晶层有助于所述金属层中的金属以小粒度成核而不影响所述金属层的导电性。可以使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成所述金属层，并且氮气可以与前驱物气体一起流入处理腔室中，在另一个实现中，在所述金属层上形成阻挡层，以便防止所述金属层在随后的氧化物层沉积工艺期间氧化，在另一个实现中，在沉积所述氧化物层之前处理所述金属层，以防止所述金属层氧化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111066139B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201880057132.4
申请日：2018-08-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 描述产生自对准结构的方法。所述方法包括：在基板特征中形成金属次氧化物膜，以及氧化所述次氧化物膜以形成自对准结构，所述自对准结构包括金属氧化物。在一些实施例中，可沉积金属膜，并接着处理金属膜以形成金属次氧化物膜。在一些实施例中，可重复沉积和处理金属膜以形成金属次氧化物膜的工艺，直到在基板特征内形成预定深度的金属次氧化物膜为止。
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公开(公告)号：CN112889128A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201980069906.X
申请日：2019-11-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/505
Abstract: 本文描述的实施例关于磁性和电磁系统以及用于控制PECVD腔室的处理空间中产生的等离子体的密度分布以影响膜的沉积分布的方法。在一个实施例中，多个固定架设置在磁性壳体系统的旋转磁性壳体中。所述多个固定架中的每个固定架设置在所述旋转磁性壳体中，每个固定架之间的距离为d。所述多个固定架具有可移除地设置在其中的多个磁铁。当旋转磁性壳体绕圆形中心开口旋转时，所述多个磁铁经配置在圆环形路径中行进。
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公开(公告)号：CN107949918B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201680050010.3
申请日：2016-08-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/324 , H01L29/417
Abstract: 本文中所述的实施方式总体涉及对基板上的三维(3D)结构的掺杂。在一个实施方式中，保形的含掺杂物膜可沉积在3D结构上方。可结合在膜中的合适的掺杂物可以包括硼、磷、和其他合适的掺杂物。随后可使膜退火以将掺杂物扩散至3D结构中。
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公开(公告)号：CN112514031A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050230.X
申请日：2019-08-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L29/16 , H01L27/11524
Abstract: 公开了一种石墨烯阻挡层。一些实施例涉及能够防止从填充层扩散到基板表面中和/或反之亦然的石墨烯阻挡层。一些实施例涉及防止氟从钨层扩散到下面的基板中的石墨烯阻挡层。附加实施例涉及包含石墨烯阻挡层的电子装置。
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公开(公告)号：CN111066139A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201880057132.4
申请日：2018-08-28
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 描述产生自对准结构的方法。所述方法包括：在基板特征中形成金属次氧化物膜，以及氧化所述次氧化物膜以形成自对准结构，所述自对准结构包括金属氧化物。在一些实施例中，可沉积金属膜，并接着处理金属膜以形成金属次氧化物膜。在一些实施例中，可重复沉积和处理金属膜以形成金属次氧化物膜的工艺，直到在基板特征内形成预定深度的金属次氧化物膜为止。
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