公开(公告)号：CN110870044B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN201880036882.3

申请日：2018-06-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 程睿 ,  F·王 ,  A·B·玛里克 ,  R·J·维瑟

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213

Abstract: 描述了一种用于在基板上选择性沉积硅膜的方法，基板包含第一表面及第二表面。更具体而言，描述了沉积膜、处理膜以改变某些膜特性及从基板的各种表面选择性蚀刻膜的工艺。可重复沉积、处理及蚀刻以在两个基板表面中的一者上选择性沉积膜。

公开(公告)号：CN116348993A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202180055191.X

申请日：2021-08-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王慧圆 ,  S·S·罗伊 ,  T·越泽 ,  戚波 ,  A·B·玛里克 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/321

Abstract: 本技术的示例包括用于在半导体结构中形成针对锗的扩散阻挡层的半导体处理方法。所述方法可包括从多对Si与SiGe层形成半导体层堆叠。可通过形成硅层，然后形成硅层的锗阻挡层来形成Si与SiGe层对。在一些实施例中，锗阻挡层可以是小于或约硅锗层可形成在锗阻挡层上，以完成Si与SiGe层对的形成。在一些实施例中，硅层可以是非晶硅层，而SiGe层可特征在于大于或约5原子％的锗。本技术的示例还包括半导体结构，所述半导体结构包括硅锗层、锗阻挡层和硅层。

公开(公告)号：CN110678981B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201880033951.5

申请日：2018-05-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  段子青 ,  A·B·玛里克 ,  K·陈

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/41 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40

Abstract: 描述半导体器件(例如，3D‑NAND)中字线分离的方法。金属膜沉积在字线中及在间隔开的氧化物层的堆叠的表面上。通过高温氧化及蚀刻氧化物，或通过以单层方式氧化表面及蚀刻氧化物的低温原子层蚀刻，来移除金属膜。在移除金属覆盖层之后，字线被金属膜填充。

公开(公告)号：CN111696853B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202010581539.6

申请日：2016-01-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  K·陈 ,  S·慕克吉 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本文涉及处理基板的方法。本文揭示的实施例通常涉及形成氧化硅膜的方法。此方法可包括在具有末端羟基的基板的表面上执行硅烷化。接着使用等离子体与H2O浸泡来再生成基板的表面上的羟基以执行额外的硅烷化。进一步的方法包括使用路易斯酸来催化这些暴露表面，直接地使该暴露第一和第二表面非活化及在侧壁表面上沉积含硅层。多个等离子体处理可被执行以沉积具有期望厚度的层。

公开(公告)号：CN110226224B

公开(公告)日：2023-02-28

申请号：CN201880008558.0

申请日：2018-01-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·巴斯 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455

Abstract: 本文描述相对于第二基板表面将膜选择性地沉积至第一基板表面上的方法。所述方法可包括以下步骤：在不保护电介质的情况下，将第二金属沉积于第一金属上；用交联的自组装单层保护所述金属；以及在所述金属受保护的同时，将第二电介质沉积电介质于第一电介质上。

公开(公告)号：CN111696853A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN202010581539.6

申请日：2016-01-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 陈一宏 ,  K·陈 ,  S·慕克吉 ,  A·B·玛里克

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 本文涉及处理基板的方法。本文揭示的实施例通常涉及形成氧化硅膜的方法。此方法可包括在具有末端羟基的基板的表面上执行硅烷化。接着使用等离子体与H2O浸泡来再生成基板的表面上的羟基以执行额外的硅烷化。进一步的方法包括使用路易斯酸来催化这些暴露表面，直接地使该暴露第一和第二表面非活化及在侧壁表面上沉积含硅层。多个等离子体处理可被执行以沉积具有期望厚度的层。

公开(公告)号：CN111566786A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201880084984.2

申请日：2018-12-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·B·穆里克 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔 ,  S·S·罗伊 ,  Y·饶 ,  R·弗里德 ,  U·米特拉

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/306 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67

Abstract: 描述了蚀刻金属氧化物膜而蚀刻残留物较少的处理方法。所述方法包括：用金属卤化物蚀刻剂蚀刻金属氧化物膜；以及将所述蚀刻残留物暴露于还原剂以去除所述蚀刻残留物。一些实施方式涉及蚀刻氧化钨膜。一些实施方式利用卤化钨蚀刻金属氧化物膜。一些实施方式利用氢气作为还原剂以去除蚀刻残留物。

公开(公告)号：CN111133579A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880057320.7

申请日：2018-08-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： P·古帕拉加 ,  S·S·罗伊 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/07 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L21/321 ,  H01L21/02

Abstract: 描述了形成存储器结构的方法。金属膜沉积在结构化基板的特征中，且体积地膨胀以形成柱。将毯覆膜沉积达一高度，所述高度小于所述柱的高度，且从所述柱的顶部移除所述毯覆膜。减少所述柱的高度，使得所述柱的顶部是在所述毯覆膜的表面下方，且任选地重复该工艺，以形成预定高度的结构。在形成所述预定高度的结构之后，能够从所述特征移除所述柱，以形成高深宽比特征。

公开(公告)号：CN111066140A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201880058616.0

申请日：2018-09-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·罗伊 ,  S·冈迪科塔 ,  A·B·玛里克 ,  A·B·穆里克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027

Abstract: 描述了产生自对准的结构的方法。方法包含在基板特征中形成含金属薄膜，且硅化所述含金属薄膜以形成包含金属硅化物的自对准的结构。在某些实施例中，控制形成所述自对准的结构的速率。在某些实施例中，控制用于形成所述自对准的结构的所述含金属薄膜的体积膨胀的量。也描述了形成自对准的通孔的方法。

公开(公告)号：CN111052346A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880055895.5

申请日：2018-08-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·S·罗伊 ,  P·古帕拉加 ,  A·B·玛里克 ,  S·冈迪科塔

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/304

Abstract: 描述了形成自对准高深宽比特征的处理方法。所述方法包括在结构化基板上沉积金属膜、容积地扩张所述金属膜、在所扩张的柱体之间沉积第二膜、与可选地使所述柱体凹陷以及重复此处理以形成高深宽比结构。