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公开(公告)号：CN105518827A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480049063.4
申请日：2014-09-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布尚·N·左普 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 博·郑 , 雷雨 , 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 柳尚澔 , 马修·亚伯拉罕
IPC: H01L21/205
Abstract: 本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分；将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤，直至达到金属层的预定厚度。
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公开(公告)号：CN104081531A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201380007248.4
申请日：2013-02-26
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 雷雨 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 傅新宇 , 唐薇 , 阿蒂夫·努里
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供采用掺杂Si、Al、Ga、Ge、In及/或Hf的TiN及/或TaN膜的装置和方法。此类膜可用作高k介电帽层、PMOS功函数层、铝阻挡层和/或氟阻挡物。这些TiSiN、TaSiN、TiAlN、TaAlN、TiGaN、TaGaN、TiGeN、TaGeN、TiInN、TaInN、TiHfN或TaHfN膜可用于传统上使用TiN及/或TaN膜处，或者所述膜可结合TiN及/或TaN使用。
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公开(公告)号：CN113924656B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202080040979.9
申请日：2020-05-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 林永景 , 卡拉·M·伯纳尔·拉莫斯 , 李路平 , 陈世忠 , 杰奎琳·S·阮奇 , 杨逸雄 , 史蒂文·C.H·洪 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 吉田尚美 , 董琳
Abstract: 描述了形成和处理半导体装置的方法。某些实施方式涉及包括偶极区的电子装置，偶极区具有层间电介质、高K介电材料、和偶极层。偶极层包括以下的一者或多者：氮化钛镧(TiLaN)、氮化钛钇(TiYN)、氮化钛锶(TiSrN)、氮化钛镁(TiMgN)、氮化钛铝(TiAlN)、氮化钛钽(TiTaN)、碳化铪(HfC)、氮化铪(HfN)、氮氧化铪(HfON)、碳氧化铪(HfOC)、碳化铪铝(HfCAl)、氮化铪铝(HfAlN)、或氮碳化铪(HfCN)。
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公开(公告)号：CN110066984B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910069988.X
申请日：2014-09-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布尚·N·左普 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 博·郑 , 雷雨 , 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 柳尚澔 , 马修·亚伯拉罕
IPC: C23C16/18 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分；将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤，直至达到金属层的预定厚度。
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公开(公告)号：CN112877675A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110047033.1
申请日：2016-04-19
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 穆罕默德·M·拉希德 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 马里奥·丹·桑切斯 , 简国强 , 杨义雄 , 迪帕克·贾达夫 , 阿什托西·阿咖瓦
IPC: C23C16/455 , C23C16/452
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与设备。一些实施方式中，基板处理腔室包含：腔室主体；腔室盖组件，所述腔室盖组件具有外壳(housing)，所述外壳包围中央通道，所述中央通道沿着中央轴延伸并具有上部与下部；盖板，所述盖板耦接于所述外壳并具有含轮廓(contoured)的底表面，所述含轮廓的底表面从中央开口向下且向外延伸至所述盖板的周边部，所述中央开口耦接于所述中央通道的下部；以及气体分配板，所述气体分配板配置于所述盖板之下并具有多个缝隙(aperture)，这些缝隙穿过所述气体分配板而配置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105518827B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201480049063.4
申请日：2014-09-10
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布尚·N·左普 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 博·郑 , 雷雨 , 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 柳尚澔 , 马修·亚伯拉罕
IPC: H01L21/205
Abstract: 本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分；将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤，直至达到金属层的预定厚度。
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公开(公告)号：CN104718314B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201380054227.8
申请日：2013-10-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 戴维·汤普森 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 吕新亮 , 唐薇 , 周静 , 赛沙德利·甘古利 , 杰弗里·W·安西斯 , 阿蒂夫·努里 , 法鲁克·京格尔 , 吴典晔 , 张镁 , 陈世忠
CPC classification number: C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45534
Abstract: 所提供的是包括铝、碳和金属的膜，其中铝的元素含量是大于约16％的量，且碳含量小于约50％。还提供了沉积所述膜的方法。
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公开(公告)号：CN105256276B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201510564706.5
申请日：2011-06-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 曹勇 , 唐先民 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 伟·D·王 , 刘振东 , 凯文·莫雷斯 , 穆罕默德·M·拉希德 , 清·X·源 , 阿南塔克里希纳·朱普迪
IPC: C23C14/35 , C23C14/16 , H01L21/285
Abstract: 一种具有增强的离子化和RF功率耦合的低电阻率钨PVD。本文所述实施例提供一种半导体器件以及形成该半导体器件的方法和设备。该半导体器件包括基板及栅电极叠层，该基板具有源极区与漏极区，并且该栅电极叠层位于基板上并且在源极区和漏极区之间。该栅电极叠层包括位于栅极介电层上的导电膜层、位于该导电膜层上的耐火金属氮化物膜层、位于该耐火金属氮化物膜层上的含硅膜层以及位于该含硅膜层上的钨膜层。在一个实施例中，该方法包括使基板置于处理腔室中，其中该基板包括源极区及漏极区、位于该源极区与漏极区之间的栅极介电层以及位于该栅极介电层上的导电膜层。该方法还包括在该导电膜层上沉积耐火金属氮化物膜层、在该耐火金属氮化物膜层上沉积含硅膜层以及在该含硅膜层上沉积钨膜层。
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公开(公告)号：CN107829075A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711049354.5
申请日：2013-10-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 傅新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 , 阿蒂夫·努里 , 张镁 , 戴维·汤普森 , 史蒂夫·G·加奈耶姆
IPC: C23C16/14 , C23C16/455 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/0272 , C23C16/06 , C23C16/14 , C23C16/345 , C23C16/42 , C23C16/45525 , C23C16/45551 , C23C16/45553 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/28088 , H01L21/28506 , H01L21/32051 , H01L21/32053 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供使用含钨反应气体沉积钨膜或含钨膜的原子层沉积方法，所述含钨反应气体包含以下的一或多种：五氯化钨、具有经验式WCl5或WCl6的化合物。
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公开(公告)号：CN106887380A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710145552.5
申请日：2013-03-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 布尚·N·左普 , 阿夫热里诺·V·杰拉托斯 , 博·郑 , 雷宇 , 付新宇 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 尚浩·于 , 马修·亚伯拉罕
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/336
Abstract: 提供用于在半导体器件的接触结构中沉积接触金属层的方法。在一个实施方式中，提供一种沉积接触金属层以用于形成半导体器件中的接触结构的方法。所述方法包括进行循环金属沉积工艺以在基板上沉积接触金属层和对设置在基板上的接触金属层进行退火。所述循环金属沉积工艺包括使基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积接触金属层的一部分，使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺，并重复使基板暴露于沉积前驱物气体混合物和使所述接触金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺的步骤，直到达到所述接触金属层的预定厚度。
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