公开(公告)号：CN1421744A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02152770.9

申请日：2002-11-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小泽美和 ,  野崎耕司 ,  並木崇久 ,  今纯一 ,  矢野映

IPC: G03F7/095 ,  G03F7/038 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

Abstract: 抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。

公开(公告)号：CN1157453A

公开(公告)日：1997-08-20

申请号：CN96117959.7

申请日：1996-12-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 渡部庆二 ,  野崎耕司 ,  五十岚美和 ,  仓光庸子 ,  矢野映 ,  并木崇久 ,  白泷博 ,  大塚庆太 ,  金峰理明 ,  上原裕二

IPC: G11B5/39

Abstract: 本发明的制造磁阻头的方法包括在构成磁阻器件的多层薄膜上形成有机薄膜、在有机薄膜上形成由抗蚀剂或无机薄膜组成的上面的薄膜、制作有机薄膜和上面的薄膜的图形，使有机薄膜图形的边缘从上面的薄膜图形的边缘向内凹入，从而使在上面的薄膜和多层薄膜上形成的薄的薄膜的颗粒不与有机薄膜图形的侧面部分接触的步骤。

公开(公告)号：CN101649053A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200810129731.0

申请日：2008-08-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  矢野映

IPC: C08G77/60 ,  C08G77/62 ,  C08L83/16 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: C08G77/62 ,  C08G77/60 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835

Abstract: 本发明提供了一种硅化合物、多层布线装置及其制造方法。在基板表面形成的多孔绝缘膜前体层；然后在其上形成的特定的硅化合物层；需要时，将该硅化合物层预固化；通过硅化合物层或预固化层将所述多孔绝缘膜前体在UV下曝光。

公开(公告)号：CN100477106C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200510126871.9

申请日：2005-11-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中田义弘 ,  尾崎史朗 ,  矢野映

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/78 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底10上方形成第一多孔绝缘膜38的步骤；形成第二绝缘膜40的步骤，该第二绝缘膜的密度比该第一多孔绝缘膜38的密度更大；以及利用存在的该第二绝缘膜40将电子束、UV射线或者等离子体施加至该第一多孔绝缘膜38以固化该第一多孔绝缘膜38的步骤。由于将电子束等通过更致密的第二绝缘膜40施加至该第一多孔绝缘膜38，从而能够无损坏地固化该第一多孔绝缘膜38。由于能够保持该第一多孔绝缘膜38不被损坏，因而能够防止吸水性和密度增加，进而能够防止介电常数变大。从而，本发明能够提供包括低介电常数和高机械强度绝缘膜的半导体器件。

公开(公告)号：CN101131926A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710141756.8

申请日：2007-08-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中田义弘 ,  矢野映

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：形成绝缘膜，该绝缘膜包含具有Si－CH3和Si－OH键的材料；以及用紫外线照射该绝缘膜，其中：在紫外线照射后，通过X射线电光子分光光谱确定的C浓度降低率不大于30％，并且绝缘膜中从C－H键、O－H键和Si－OH的Si－O键中选出的一个或多个键的减少率不小于10％。本发明提供一种低介电常数绝缘膜，其具有高模强度并可以避免因为吸收湿气而导致的介电常数增大；一种半导体器件，其可以避免因寄生电容增大而造成的器件响应速度的延迟以及可靠性降低；以及其制造方法。

公开(公告)号：CN1279405C

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN03147412.8

申请日：2003-07-09

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今纯一 ,  野崎耕司 ,  矢野映

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/117 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122

Abstract: 一种包含基础树脂和在图案化曝光波长上具有敏感性的光酸生成剂的化学放大刻蚀剂材料；其中，所述化学放大刻蚀剂材料进一步包含通过图案化曝光之外的处理而产生酸或自由基的活化剂。还公开了一种使用它的图案化方法。

公开(公告)号：CN1802606A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN02802632.2

申请日：2002-08-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野崎耕司 ,  小泽美和 ,  并木崇久 ,  今纯一 ,  矢野映

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/11526 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/095 ,  G03F7/40 ,  H01L21/31138 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11543

Abstract: 本发明提供了一种利用真空紫外光的光蚀刻法实施构图的技术来形成显微图形的方法，抗蚀图形膨胀用材料是由混合包含树脂、交联剂和任何一种非离子表面活性剂及有机溶剂的水溶性或碱溶性组合物所构成的，其中有机溶剂选自醇、直链酯或环酯、酮、直链醚或环醚。

公开(公告)号：CN1787186A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200510065046.2

申请日：2005-04-11

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中田义弘 ,  尾崎史朗 ,  矢野映

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/78 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件制造方法，包括：在半导体衬底10上方形成第一多孔绝缘膜38的步骤；形成第二绝缘膜40的步骤，该第二绝缘膜的密度比该第一多孔绝缘膜38的密度更大；以及利用存在的该第二绝缘膜40将电子束、UV射线或者等离子体施加至该第一多孔绝缘膜38以固化该第一多孔绝缘膜38的步骤。电子束等通过更致密的第二绝缘膜40被施加至该第一多孔绝缘膜38，由此能够无损坏地固化该第一多孔绝缘膜38。使该第一多孔绝缘膜38不被损坏，由此能够防止吸水性和密度增加，并且结果是能够防止介电常数变大。从而，本发明能够提供包括低介电常数和高机械强度绝缘膜的半导体器件。

公开(公告)号：CN1416158A

公开(公告)日：2003-05-07

申请号：CN02118438.0

申请日：2002-04-25

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中田义弘 ,  铃木克己 ,  杉浦岩 ,  矢野映

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 多孔绝缘膜28、40、50由一种绝缘膜形成材料形成，该材料包括具有含C－C键骨架的硅化合物，被热处理分解或蒸发的孔形成材料以及溶解硅化合物和孔形成材料的溶剂，由此多孔绝缘膜可以具有良好的机械强度和较低的介电常数。

公开(公告)号：CN1376740A

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN01133846.6

申请日：2001-12-24

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中田义弘 ,  铃木克己 ,  杉浦严 ,  矢野映

IPC: C08L83/06 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L21/76807 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76835 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S428/901 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249969 ,  Y10T428/249978 ,  Y10T428/249979 ,  Y10T428/2839 ,  C08L83/00 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种组合物,包含硅氧烷树脂、基本上由硅、碳和氢构成的硅化合物,其中在一分子的主链中形成－X－键的碳与硅原子数之比范围为2∶1～12∶1,其中X是(C)m,其中m是1～3的整数,或者9个或更少碳原子的取代或未取代的芳香族基团和溶剂,对该组合物进行热处理以形成低介电常数膜。因此,提供了一种具有优异的耐化学品性和优异的耐潮性的低介电常数膜。通过采用该膜可制造出能快速响应的半导体集成电路。